{"id":2183,"date":"2026-04-14T05:20:25","date_gmt":"2026-04-14T05:20:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2183"},"modified":"2026-04-14T05:20:28","modified_gmt":"2026-04-14T05:20:28","slug":"8-inch-sic-epitaxial-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/8-inch-sic-epitaxial-wafer\/","title":{"rendered":"Pastilha epitaxial de SiC de 8 polegadas e 200 mm"},"content":{"rendered":"

\"PastilhaA pastilha epitaxial SiC de 8 polegadas representa o mais recente avan\u00e7o na tecnologia de semicondutores de banda larga. Constru\u00eddo sobre um substrato de SiC de 200 mm com uma camada epitaxial de alta qualidade, este produto foi concebido para suportar o fabrico de dispositivos de pot\u00eancia escal\u00e1veis e de elevada efici\u00eancia.<\/p>\n

Em compara\u00e7\u00e3o com bolachas mais pequenas, as bolachas de SiC de 8 polegadas aumentam significativamente a \u00e1rea utiliz\u00e1vel, permitindo uma maior produ\u00e7\u00e3o de dispositivos por bolacha e reduzindo o custo por chip. Isto torna-as uma solu\u00e7\u00e3o essencial para as ind\u00fastrias que est\u00e3o a fazer a transi\u00e7\u00e3o para a produ\u00e7\u00e3o em grande escala de dispositivos de pot\u00eancia de carboneto de sil\u00edcio.<\/p>\n

As bolachas epitaxiais de SiC combinam as vantagens intr\u00ednsecas do carboneto de sil\u00edcio, incluindo o amplo intervalo de banda, o elevado campo el\u00e9trico de rutura e a excelente condutividade t\u00e9rmica, com camadas epitaxiais controladas com precis\u00e3o e adaptadas ao fabrico de dispositivos. Estas bolachas s\u00e3o amplamente utilizadas em MOSFETs de nova gera\u00e7\u00e3o, d\u00edodos Schottky e m\u00f3dulos de pot\u00eancia integrados.<\/p>\n

\n

Especifica\u00e7\u00f5es principais<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e2metro<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Di\u00e2metro<\/td>\n200 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de condutividade<\/td>\nTipo N<\/td>\n<\/tr>\n
Espessura<\/td>\n700 \u00b1 50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Acabamento da superf\u00edcie<\/td>\nDupla face CMP polida<\/td>\n<\/tr>\n
Orienta\u00e7\u00e3o<\/td>\n4,0\u00b0 fora do eixo \u00b10,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
entalhe<\/td>\nOrienta\u00e7\u00e3o padr\u00e3o do entalhe<\/td>\n<\/tr>\n
Perfil da borda<\/td>\nChanfro \/ Aresta arredondada<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosidade da superf\u00edcie<\/td>\nN\u00edvel sub-nanom\u00e9trico<\/td>\n<\/tr>\n
Embalagem<\/td>\nCassete ou contentor de bolacha \u00fanica<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Resistividade t\u00edpica:<\/p>\n

    \n
  • Tipo N: 0,015-0,028 \u03a9-cm<\/li>\n
  • Semi-isolante: \u22651E7 \u03a9-cm<\/li>\n<\/ul>\n

    Graus dispon\u00edveis:<\/p>\n

      \n
    • Grau zero de MPD<\/li>\n
    • Grau de produ\u00e7\u00e3o<\/li>\n
    • Grau de investiga\u00e7\u00e3o<\/li>\n
    • Grau fict\u00edcio<\/li>\n<\/ul>\n

      \"PastilhaCapacidades da camada epitaxial<\/h2>\n

      A camada epitaxial \u00e9 cultivada utilizando tecnologia avan\u00e7ada de deposi\u00e7\u00e3o de vapor qu\u00edmico (CVD), permitindo um controlo preciso da espessura, da concentra\u00e7\u00e3o de dopagem e da uniformidade.<\/p>\n

      A personaliza\u00e7\u00e3o dispon\u00edvel inclui:<\/p>\n

        \n
      • Camadas epitaxiais do tipo N ou do tipo P<\/li>\n
      • Espessura de epinefrina ajust\u00e1vel para diferentes estruturas de dispositivos<\/li>\n
      • Perfis de dopagem uniformes em toda a bolacha<\/li>\n
      • Baixa densidade de defeitos para um rendimento elevado do dispositivo<\/li>\n<\/ul>\n

        A epitaxia de alta qualidade \u00e9 essencial para obter um desempenho el\u00e9trico est\u00e1vel e uma fiabilidade a longo prazo nos dispositivos de pot\u00eancia.<\/p>\n

        \"PastilhaProcesso de fabrico<\/h2>\n

        Prepara\u00e7\u00e3o do substrato<\/strong>
        Os substratos de SiC monocristalino de elevada pureza s\u00e3o produzidos utilizando m\u00e9todos de crescimento a alta temperatura e polidos para obter uma rugosidade superficial ultra baixa.<\/p>\n

        Crescimento epitaxial<\/strong>
        A camada epitaxial \u00e9 depositada a alta temperatura utilizando sistemas CVD, garantindo uma espessura uniforme e propriedades materiais consistentes em toda a bolacha de 200 mm.<\/p>\n

        Controlo de Dopagem<\/strong>
        \u00c9 aplicada uma dopagem precisa durante o crescimento epitaxial para satisfazer os requisitos de diferentes arquitecturas de dispositivos.<\/p>\n

        Metrologia e Inspe\u00e7\u00e3o<\/strong>
        Cada bolacha \u00e9 submetida a testes abrangentes, incluindo an\u00e1lise de superf\u00edcie, mapeamento de defeitos e carateriza\u00e7\u00e3o el\u00e9ctrica para garantir uma qualidade consistente.<\/p>\n

        Vantagens<\/h2>\n

        Fabrico escal\u00e1vel<\/strong>
        O tamanho do wafer de 8 polegadas aumenta significativamente a produ\u00e7\u00e3o de chips por wafer, melhorando a efici\u00eancia da produ\u00e7\u00e3o e reduzindo o custo por dispositivo.<\/p>\n

        Desempenho de alta efici\u00eancia<\/strong>
        As propriedades do material SiC permitem menores perdas de comuta\u00e7\u00e3o, maior densidade de pot\u00eancia e melhor efici\u00eancia energ\u00e9tica.<\/p>\n

        Excelente gest\u00e3o t\u00e9rmica<\/strong>
        A elevada condutividade t\u00e9rmica permite um funcionamento est\u00e1vel em condi\u00e7\u00f5es de elevada pot\u00eancia e reduz os requisitos de arrefecimento.<\/p>\n

        Baixa densidade de defeitos<\/strong>
        O crescimento avan\u00e7ado de cristais e os processos epitaxiais garantem um elevado rendimento e um desempenho fi\u00e1vel do dispositivo.<\/p>\n

        Plataforma preparada para o futuro<\/strong>
        Os wafers de SiC de 8 polegadas est\u00e3o alinhados com a tend\u00eancia da ind\u00fastria de semicondutores para formatos de wafer maiores e produ\u00e7\u00e3o em massa automatizada.<\/p>\n

        \"\"<\/p>\n

        Aplica\u00e7\u00f5es<\/h2>\n

        Ve\u00edculos el\u00e9ctricos<\/strong>
        Utilizados em inversores de tra\u00e7\u00e3o, carregadores de bordo e conversores DC-DC. O tamanho maior da pastilha permite a produ\u00e7\u00e3o em massa de dispositivos de alimenta\u00e7\u00e3o de alta efici\u00eancia para plataformas de ve\u00edculos el\u00e9ctricos.<\/p>\n

        Sistemas de energia renov\u00e1vel<\/strong>
        Aplicado em inversores solares e conversores de energia e\u00f3lica, onde a efici\u00eancia e a fiabilidade s\u00e3o fundamentais para o funcionamento a longo prazo.<\/p>\n

        Eletr\u00f3nica de pot\u00eancia industrial<\/strong>
        Suporta accionamentos de motores, sistemas de automa\u00e7\u00e3o e equipamento de alta pot\u00eancia que requer uma convers\u00e3o de energia est\u00e1vel e eficiente.<\/p>\n

        Infraestrutura 5G e RF<\/strong>
        Permite componentes RF de alta frequ\u00eancia e alta pot\u00eancia utilizados em sistemas de comunica\u00e7\u00e3o e esta\u00e7\u00f5es de base.<\/p>\n

        Eletr\u00f3nica de consumo<\/strong>
        Utilizado em fontes de alimenta\u00e7\u00e3o compactas e de elevada efici\u00eancia e em sistemas de carregamento r\u00e1pido.<\/p>\n

        FAQ<\/h2>\n

        Q1: Qual \u00e9 a principal vantagem dos wafers de SiC de 8 polegadas?
        A maior dimens\u00e3o da bolacha aumenta o n\u00famero de chips por bolacha, reduzindo significativamente o custo de fabrico por dispositivo e melhorando a efici\u00eancia da produ\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

        Q2: A tecnologia SiC de 8 polegadas est\u00e1 madura?
        Est\u00e1 atualmente a transitar da produ\u00e7\u00e3o-piloto para a fase inicial da produ\u00e7\u00e3o em massa, com uma ado\u00e7\u00e3o crescente no fabrico de semicondutores avan\u00e7ados.<\/p>\n

        Q3: As camadas epitaxiais podem ser personalizadas?
        Sim, o tipo de dopagem, a espessura e as propriedades el\u00e9ctricas podem ser adaptados para satisfazer os requisitos espec\u00edficos do dispositivo.<\/p>\n

        Q4: As linhas de produ\u00e7\u00e3o existentes s\u00e3o compat\u00edveis com bolachas de 8 polegadas?
        Poder\u00e3o ser necess\u00e1rias algumas actualiza\u00e7\u00f5es do equipamento, mas muitas f\u00e1bricas modernas est\u00e3o j\u00e1 a preparar-se para o processamento de SiC de 200 mm.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

        A pastilha epitaxial SiC de 8 polegadas representa o mais recente avan\u00e7o na tecnologia de semicondutores de banda larga. 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