{"id":2173,"date":"2026-04-14T03:08:56","date_gmt":"2026-04-14T03:08:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2173"},"modified":"2026-04-14T03:08:59","modified_gmt":"2026-04-14T03:08:59","slug":"4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Pastilha de carboneto de sil\u00edcio HPSI de 4 polegadas e 100 mm"},"content":{"rendered":"

\"PastilhaA bolacha de carboneto de sil\u00edcio HPSI de 4 polegadas \u00e9 um substrato semi-isolante de elevada pureza concebido para aplica\u00e7\u00f5es avan\u00e7adas de RF, micro-ondas e optoelectr\u00f3nica. HPSI refere-se a material semi-isolante de elevada pureza, caracterizado por uma resistividade extremamente elevada e um excelente isolamento el\u00e9trico.<\/p>\n

O carboneto de sil\u00edcio \u00e9 um semicondutor de banda larga composto por sil\u00edcio e carbono. Em compara\u00e7\u00e3o com as pastilhas de sil\u00edcio convencionais, oferece uma condutividade t\u00e9rmica superior, um campo el\u00e9trico de rutura mais elevado e um melhor desempenho em condi\u00e7\u00f5es de funcionamento extremas. Na forma de semi-isolante, o SiC reduz significativamente a condu\u00e7\u00e3o parasita, tornando-o uma plataforma ideal para dispositivos electr\u00f3nicos de alta frequ\u00eancia e alta pot\u00eancia.<\/p>\n

Este formato de bolacha de 4 polegadas \u00e9 amplamente utilizado tanto na investiga\u00e7\u00e3o como na produ\u00e7\u00e3o industrial devido ao seu equil\u00edbrio entre custo, maturidade e compatibilidade de processos. \u00c9 especialmente adequado para dispositivos RF, sistemas de comunica\u00e7\u00e3o 5G, m\u00f3dulos de radar e tecnologias \u00f3pticas emergentes, como componentes de guia de ondas AR.<\/p>\n

Especifica\u00e7\u00f5es<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e2metro<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Di\u00e2metro<\/td>\n100 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Espessura<\/td>\n350 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Material<\/td>\nSiC monocristalino<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo<\/td>\nHPSI (semi-isolante)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistividade<\/td>\n\u22651E5 a \u22651E10 ohm-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosidade da superf\u00edcie<\/td>\nCMP Ra \u2264 0,2 nm<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u2264 10 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Deformar<\/td>\n\u2264 30 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Orienta\u00e7\u00e3o<\/td>\nOp\u00e7\u00f5es no eixo ou fora do eixo<\/td>\n<\/tr>\n
Borda<\/td>\nChanfro padr\u00e3o SEMI<\/td>\n<\/tr>\n
Grau<\/td>\nProdu\u00e7\u00e3o \/ Investiga\u00e7\u00e3o \/ Dummy<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Estes par\u00e2metros garantem uma elevada qualidade da superf\u00edcie, uma baixa densidade de defeitos e propriedades mec\u00e2nicas est\u00e1veis necess\u00e1rias para o crescimento epitaxial e o fabrico de dispositivos de precis\u00e3o.<\/p>\n

Carater\u00edsticas do material\"\"<\/h2>\n

O carboneto de sil\u00edcio \u00e9 um dos mais importantes materiais semicondutores de terceira gera\u00e7\u00e3o. O seu largo intervalo de banda permite que os dispositivos funcionem a tens\u00f5es mais elevadas com correntes de fuga mais baixas em compara\u00e7\u00e3o com o sil\u00edcio.<\/p>\n

Para os wafers HPSI, a carater\u00edstica definidora \u00e9 a sua resistividade extremamente elevada. Esta propriedade minimiza o fluxo de corrente indesejado dentro do substrato, o que \u00e9 fundamental para manter a integridade do sinal em aplica\u00e7\u00f5es de RF e micro-ondas.<\/p>\n

A condutividade t\u00e9rmica \u00e9 significativamente mais elevada do que a dos materiais semicondutores tradicionais, permitindo uma dissipa\u00e7\u00e3o eficiente do calor durante o funcionamento a alta pot\u00eancia. Isto reduz o stress t\u00e9rmico e melhora a fiabilidade a longo prazo.<\/p>\n

O SiC tamb\u00e9m apresenta um elevado campo el\u00e9trico de rutura, permitindo que os dispositivos suportem alta tens\u00e3o sem aumentar o tamanho. Al\u00e9m disso, o material mant\u00e9m um desempenho est\u00e1vel a altas temperaturas, altas frequ\u00eancias e exposi\u00e7\u00e3o \u00e0 radia\u00e7\u00e3o, tornando-o adequado para ambientes exigentes.<\/p>\n

Aplica\u00e7\u00f5es<\/h2>\n

Dispositivos de RF e micro-ondas<\/strong>
As pastilhas de carboneto de sil\u00edcio HPSI s\u00e3o amplamente utilizadas como substratos para amplificadores RF e circuitos de alta frequ\u00eancia. A sua elevada resistividade reduz as perdas parasitas e melhora a efici\u00eancia da transmiss\u00e3o de sinais, tornando-as essenciais para a eletr\u00f3nica de comunica\u00e7\u00f5es avan\u00e7ada.<\/p>\n

Infraestrutura de comunica\u00e7\u00e3o 5G<\/strong>
Nos sistemas 5G, os dispositivos funcionam a frequ\u00eancias mais elevadas e requerem materiais com excelente isolamento el\u00e9trico. As pastilhas de SiC HPSI suportam um desempenho est\u00e1vel em esta\u00e7\u00f5es de base e m\u00f3dulos sem fios, permitindo uma maior efici\u00eancia na transmiss\u00e3o de dados e uma menor perda de energia.<\/p>\n

\u00d3culos de realidade aumentada e sistemas \u00f3pticos<\/strong>
Nos dispositivos de realidade aumentada, as pastilhas de SiC s\u00e3o utilizadas em componentes \u00f3pticos e relacionados com guias de ondas. A sua estabilidade estrutural e compatibilidade com tecnologias de processamento de precis\u00e3o apoiam o desenvolvimento de sistemas \u00f3pticos compactos e de elevado desempenho.<\/p>\n

Radar e sistemas de defesa<\/strong>
Os substratos HPSI SiC s\u00e3o adequados para eletr\u00f3nica de radar e defesa que requerem alta pot\u00eancia, alta frequ\u00eancia e fiabilidade. Mant\u00eam um funcionamento est\u00e1vel em condi\u00e7\u00f5es ambientais extremas, incluindo alta temperatura e radia\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

Dispositivos optoelectr\u00f3nicos<\/strong>
Estas bolachas s\u00e3o tamb\u00e9m utilizadas em dispositivos optoelectr\u00f3nicos e fot\u00f3nicos, em que o isolamento el\u00e9trico e o desempenho t\u00e9rmico s\u00e3o fundamentais para a efici\u00eancia e estabilidade do dispositivo.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

Graus dispon\u00edveis<\/h2>\n

Grau de produ\u00e7\u00e3o
Utilizado para o fabrico comercial de dispositivos com controlo de qualidade rigoroso e baixa densidade de defeitos.<\/p>\n

Grau de investiga\u00e7\u00e3o
Adequado para desenvolvimento laboratorial, testes e otimiza\u00e7\u00e3o de processos.<\/p>\n

Grau fict\u00edcio
Aplicado na calibra\u00e7\u00e3o de equipamentos, ensaios de processos e utiliza\u00e7\u00e3o n\u00e3o funcional.<\/p>\n

Compara\u00e7\u00e3o Si vs SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Im\u00f3veis<\/th>\nSil\u00edcio<\/th>\nCarboneto de sil\u00edcio<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Bandgap<\/td>\n1,12 eV<\/td>\n~3,26 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Resistividade<\/td>\nBaixa<\/td>\nMuito elevado (HPSI)<\/td>\n<\/tr>\n
Condutividade t\u00e9rmica<\/td>\nModerado<\/td>\nElevado<\/td>\n<\/tr>\n
Capacidade de frequ\u00eancia<\/td>\nLimitada<\/td>\nExcelente<\/td>\n<\/tr>\n
Foco na aplica\u00e7\u00e3o<\/td>\nL\u00f3gica e CI<\/td>\nRF e alta-frequ\u00eancia<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

O sil\u00edcio continua a dominar a eletr\u00f3nica convencional, enquanto o carboneto de sil\u00edcio \u00e9 cada vez mais utilizado em sistemas de alta frequ\u00eancia e de elevado desempenho.<\/p>\n

FAQ<\/h2>\n

P: O que \u00e9 uma pastilha de carboneto de sil\u00edcio HPSI?
Uma bolacha HPSI \u00e9 um substrato de carboneto de sil\u00edcio semi-isolante de elevada pureza com uma resistividade el\u00e9ctrica muito elevada, concebido para aplica\u00e7\u00f5es RF, micro-ondas e optoelectr\u00f3nicas.<\/p>\n

P: Porque \u00e9 que a resistividade elevada \u00e9 importante?
A elevada resistividade reduz a condu\u00e7\u00e3o parasita e a interfer\u00eancia de sinal, o que \u00e9 fundamental para manter a efici\u00eancia e a integridade do sinal em dispositivos de alta frequ\u00eancia.<\/p>\n

P: O carboneto de sil\u00edcio \u00e9 adequado para aplica\u00e7\u00f5es \u00f3pticas?
Sim, o carboneto de sil\u00edcio pode ser utilizado em determinadas aplica\u00e7\u00f5es \u00f3pticas e fot\u00f3nicas devido \u00e0 sua estabilidade t\u00e9rmica e compatibilidade com processos de fabrico avan\u00e7ados.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

A pastilha de carboneto de sil\u00edcio HPSI de 4 polegadas \u00e9 um material essencial para sistemas electr\u00f3nicos de alta frequ\u00eancia e da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o. A sua combina\u00e7\u00e3o de elevada resistividade, desempenho t\u00e9rmico e estabilidade estrutural faz com que seja a escolha ideal para dispositivos RF, infra-estruturas de comunica\u00e7\u00e3o e tecnologias \u00f3pticas emergentes. Como a procura de sistemas de alta efici\u00eancia e de alta frequ\u00eancia continua a crescer, os substratos de SiC HPSI est\u00e3o a tornar-se cada vez mais importantes em aplica\u00e7\u00f5es avan\u00e7adas de semicondutores.<\/p>","protected":false},"featured_media":2174,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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