{"id":2167,"date":"2026-04-14T02:28:42","date_gmt":"2026-04-14T02:28:42","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2167"},"modified":"2026-04-14T02:28:45","modified_gmt":"2026-04-14T02:28:45","slug":"4-inch-4h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/4-inch-4h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Pastilha de carboneto de sil\u00edcio 4H-N de 4 polegadas e 100 mm"},"content":{"rendered":"

\"PastilhaA bolacha de carboneto de sil\u00edcio 4H-N de 4 polegadas \u00e9 um substrato condutor de SiC concebido para aplica\u00e7\u00f5es avan\u00e7adas de semicondutores de pot\u00eancia. Baseia-se no pol\u00edtipo de cristal 4H, que \u00e9 amplamente reconhecido na ind\u00fastria pelo seu desempenho el\u00e9trico e t\u00e9rmico superior.<\/p>\n

O carboneto de sil\u00edcio pertence aos materiais semicondutores de terceira gera\u00e7\u00e3o e oferece vantagens significativas em rela\u00e7\u00e3o ao sil\u00edcio tradicional. O seu amplo intervalo de banda, o elevado campo el\u00e9trico de rutura e a excelente condutividade t\u00e9rmica tornam-no altamente adequado para dispositivos que funcionam em condi\u00e7\u00f5es de alta tens\u00e3o, alta frequ\u00eancia e alta temperatura.<\/p>\n

Esta bolacha \u00e9 normalmente utilizada para o fabrico de dispositivos de pot\u00eancia, tais como MOSFETs, d\u00edodos de barreira Schottky, JFETs e IGBTs. Estes dispositivos s\u00e3o componentes cr\u00edticos nos sistemas de energia modernos, onde a efici\u00eancia, a fiabilidade e o design compacto s\u00e3o essenciais. O formato de 4 polegadas proporciona um equil\u00edbrio entre a efici\u00eancia de custos e o rendimento do dispositivo, tornando-o amplamente adotado tanto em ambientes de investiga\u00e7\u00e3o como de produ\u00e7\u00e3o industrial.<\/p>\n

Especifica\u00e7\u00f5es<\/h2>\n
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\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e2metro<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Di\u00e2metro<\/td>\n100 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Espessura<\/td>\n350 \u00b1 25 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n4H<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de condutividade<\/td>\nTipo N<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosidade da superf\u00edcie<\/td>\nRa \u2264 0,2 nm<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u2264 10 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Deformar<\/td>\n\u2264 30 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Densidade de defeitos<\/td>\nMPD < 1 ea\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n
Borda<\/td>\nBisel de 45\u00b0, norma SEMI<\/td>\n<\/tr>\n
Grau<\/td>\nProdu\u00e7\u00e3o \/ Investiga\u00e7\u00e3o \/ Dummy<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Estes par\u00e2metros garantem uma elevada qualidade da superf\u00edcie e estabilidade dimensional, que s\u00e3o essenciais para o crescimento epitaxial e para os processos de fabrico de dispositivos.<\/p>\n

Carater\u00edsticas do material<\/h2>\n

O carboneto de sil\u00edcio apresenta um grande intervalo de banda de aproximadamente 3,26 eV, o que permite que os dispositivos funcionem a tens\u00f5es significativamente mais elevadas do que o sil\u00edcio. Isto resulta numa melhor capacidade de manuseamento de energia e em perdas de condu\u00e7\u00e3o reduzidas.\"\"<\/p>\n

Outra propriedade importante \u00e9 o seu elevado campo el\u00e9trico de rutura, que pode ser quase dez vezes superior ao do sil\u00edcio. Este facto permite estruturas de dispositivos mais finas e uma maior efici\u00eancia nos sistemas de convers\u00e3o de energia.<\/p>\n

A condutividade t\u00e9rmica \u00e9 tamb\u00e9m uma vantagem fundamental. O SiC conduz o calor cerca de tr\u00eas vezes mais eficazmente do que o sil\u00edcio, permitindo que os dispositivos mantenham um desempenho est\u00e1vel em condi\u00e7\u00f5es de carga elevada. Isto reduz a necessidade de sistemas de arrefecimento complexos e melhora a fiabilidade geral do sistema.<\/p>\n

Al\u00e9m disso, o carboneto de sil\u00edcio mant\u00e9m carater\u00edsticas el\u00e9ctricas est\u00e1veis a temperaturas superiores a 600\u00b0C. Isto torna-o particularmente adequado para aplica\u00e7\u00f5es em ambientes agressivos, como sistemas de energia autom\u00f3vel, accionamentos industriais e eletr\u00f3nica aeroespacial.<\/p>\n

O material oferece tamb\u00e9m uma elevada mobilidade de electr\u00f5es e uma baixa resist\u00eancia \u00e0 liga\u00e7\u00e3o, contribuindo para velocidades de comuta\u00e7\u00e3o mais r\u00e1pidas e para uma menor perda de energia em dispositivos de pot\u00eancia.<\/p>\n

Tamanhos de wafer dispon\u00edveis<\/h2>\n

As pastilhas de carboneto de sil\u00edcio est\u00e3o dispon\u00edveis em v\u00e1rios di\u00e2metros para satisfazer diferentes necessidades de aplica\u00e7\u00e3o:<\/p>\n

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\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Tamanho<\/th>\nDi\u00e2metro<\/th>\nGama de espessuras<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
2 polegadas<\/td>\n50,8 mm<\/td>\n330-350 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
3 polegadas<\/td>\n76,2 mm<\/td>\n350-500 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
4 polegadas<\/td>\n100 mm<\/td>\n350-500 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
6 polegadas<\/td>\n150 mm<\/td>\n350-500 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
8 polegadas<\/td>\n200 mm<\/td>\n350-500 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Os tipos comuns incluem 4H-N condutor, HPSI semi-isolante e outras variantes especializadas para aplica\u00e7\u00f5es de RF e energia.<\/p>\n

Aplica\u00e7\u00f5es<\/h2>\n

Nos ve\u00edculos el\u00e9ctricos, as pastilhas de SiC s\u00e3o utilizadas em inversores de tra\u00e7\u00e3o, carregadores de bordo e conversores DC-DC. Melhoram a efici\u00eancia energ\u00e9tica, reduzem a produ\u00e7\u00e3o de calor e permitem projectos de sistemas mais compactos.\"\"<\/p>\n

Nos sistemas de energias renov\u00e1veis, os dispositivos SiC s\u00e3o aplicados em inversores solares e conversores de energia e\u00f3lica. A sua elevada efici\u00eancia contribui para reduzir as perdas de energia e melhorar o desempenho do sistema.<\/p>\n

Os sistemas industriais tamb\u00e9m beneficiam da tecnologia SiC, especialmente em accionamentos de motores de alta pot\u00eancia e equipamento de automa\u00e7\u00e3o em que a fiabilidade e a durabilidade s\u00e3o fundamentais.<\/p>\n

Na infraestrutura da rede el\u00e9ctrica, o carboneto de sil\u00edcio \u00e9 utilizado em sistemas de rede inteligentes e em equipamento de transmiss\u00e3o de alta tens\u00e3o para aumentar a efici\u00eancia da convers\u00e3o de energia e reduzir as perdas do sistema.<\/p>\n

As aplica\u00e7\u00f5es aeroespaciais e de defesa utilizam SiC para eletr\u00f3nica de elevada fiabilidade que tem de funcionar em condi\u00e7\u00f5es ambientais e de temperatura extremas.<\/p>\n

Compara\u00e7\u00e3o Si vs SiC<\/h2>\n
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\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Im\u00f3veis<\/th>\nSil\u00edcio<\/th>\nCarboneto de sil\u00edcio<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Bandgap<\/td>\n1,12 eV<\/td>\n3,26 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Campo de decomposi\u00e7\u00e3o<\/td>\nBaixa<\/td>\nElevado<\/td>\n<\/tr>\n
Condutividade t\u00e9rmica<\/td>\nModerado<\/td>\nElevado<\/td>\n<\/tr>\n
Temperatura m\u00e1xima<\/td>\n~150\u00b0C<\/td>\n>600\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Efici\u00eancia<\/td>\nPadr\u00e3o<\/td>\nElevado<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

O sil\u00edcio continua a ser adequado para a eletr\u00f3nica convencional e de baixa pot\u00eancia, enquanto o carboneto de sil\u00edcio \u00e9 cada vez mais preferido para sistemas de alta pot\u00eancia e elevada efici\u00eancia.<\/p>\n

FAQ<\/h2>\n

P: Qual \u00e9 a diferen\u00e7a entre bolachas de sil\u00edcio e de carboneto de sil\u00edcio?<\/strong>
As bolachas de sil\u00edcio s\u00e3o amplamente utilizadas em circuitos integrados e dispositivos electr\u00f3nicos normais. As bolachas de carboneto de sil\u00edcio s\u00e3o concebidas para a eletr\u00f3nica de pot\u00eancia, que exige alta tens\u00e3o, alta temperatura e alta efici\u00eancia.<\/p>\n

P: Como \u00e9 que o SiC se compara com o GaN?<\/strong>
O SiC \u00e9 normalmente utilizado em aplica\u00e7\u00f5es de alta tens\u00e3o e alta pot\u00eancia, como ve\u00edculos el\u00e9ctricos e redes de energia. O GaN \u00e9 mais adequado para aplica\u00e7\u00f5es de alta frequ\u00eancia e baixa tens\u00e3o, incluindo sistemas de RF e dispositivos de carregamento r\u00e1pido.<\/p>\n

P: O carboneto de sil\u00edcio \u00e9 uma cer\u00e2mica ou um semicondutor?<\/strong>
O carboneto de sil\u00edcio \u00e9 simultaneamente uma cer\u00e2mica e um semicondutor. Combina uma elevada resist\u00eancia mec\u00e2nica com excelentes propriedades el\u00e9ctricas, o que o torna adequado para aplica\u00e7\u00f5es electr\u00f3nicas exigentes.<\/p>\n

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A bolacha de carboneto de sil\u00edcio 4H-N de 4 polegadas \u00e9 um material essencial para a eletr\u00f3nica de pot\u00eancia moderna. A sua combina\u00e7\u00e3o de efici\u00eancia el\u00e9ctrica, desempenho t\u00e9rmico e fiabilidade torna-a um substrato essencial para os dispositivos da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o. \u00c0 medida que as ind\u00fastrias continuam a exigir uma maior efici\u00eancia energ\u00e9tica e desempenho do sistema, as pastilhas de SiC est\u00e3o a tornar-se cada vez mais importantes em aplica\u00e7\u00f5es comerciais e industriais.<\/p>","protected":false},"featured_media":2168,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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