\n| Densidade de defeitos<\/td>\n | \u22640,2 cm-\u00b2 (optimizado para 0,01 cm-\u00b2)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\nCen\u00e1rios de aplica\u00e7\u00e3o<\/h3>\nO equipamento de epitaxia SiC de fluxo de ar vertical do tipo dividido \u00e9 amplamente utilizado no fabrico de semicondutores SiC de alto desempenho, particularmente em ind\u00fastrias que exigem alta efici\u00eancia, alta tens\u00e3o e alto desempenho t\u00e9rmico:<\/p>\n Ve\u00edculos el\u00e9ctricos (VEs)<\/strong>
Utilizado na produ\u00e7\u00e3o de MOSFETs SiC e m\u00f3dulos de pot\u00eancia para inversores, carregadores de bordo e conversores DC-DC, melhorando a efici\u00eancia energ\u00e9tica e a autonomia de condu\u00e7\u00e3o.<\/p>\nSistemas de energia renov\u00e1vel<\/strong>
Aplicado em inversores fotovoltaicos e sistemas de armazenamento de energia, permitindo uma maior efici\u00eancia de convers\u00e3o e fiabilidade.<\/p>\nEletr\u00f3nica de pot\u00eancia industrial<\/strong>
Adequado para accionamentos de motores de alta pot\u00eancia, sistemas de automa\u00e7\u00e3o industrial e unidades de fornecimento de energia que requerem um funcionamento est\u00e1vel e eficiente.<\/p>\nTr\u00e2nsito ferrovi\u00e1rio e redes el\u00e9ctricas<\/strong>
Suporta dispositivos de alta tens\u00e3o e alta frequ\u00eancia utilizados em redes inteligentes, sistemas de tra\u00e7\u00e3o e infra-estruturas de transmiss\u00e3o de energia.<\/p>\nDispositivos de pot\u00eancia topo de gama<\/strong>
Ideal para o fabrico de dispositivos SiC avan\u00e7ados, tais como d\u00edodos Schottky, MOSFETs e componentes de alta tens\u00e3o da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o.<\/p>\n![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-1024x578.png\") <\/p>\n
FAQ<\/h3>\n1. Que tamanhos de bolacha s\u00e3o suportados por este equipamento de epitaxia de tipo dividido?<\/strong>
O sistema suporta wafers de SiC de 6 e 8 polegadas, permitindo que os fabricantes satisfa\u00e7am as actuais exig\u00eancias de produ\u00e7\u00e3o enquanto se preparam para uma futura expans\u00e3o.<\/p>\n2. Quais s\u00e3o as vantagens da conce\u00e7\u00e3o de tipo dividido?<\/strong>
O design modular dividido permite a instala\u00e7\u00e3o independente dos m\u00f3dulos de alimenta\u00e7\u00e3o, exaust\u00e3o e EFEM, melhorando a flexibilidade para a disposi\u00e7\u00e3o da f\u00e1brica e aumentando a conveni\u00eancia da manuten\u00e7\u00e3o.<\/p>\n3. Como \u00e9 que a conce\u00e7\u00e3o do fluxo de ar vertical melhora a qualidade da epitaxia?<\/strong>
O fluxo de ar vertical assegura uma distribui\u00e7\u00e3o uniforme do g\u00e1s atrav\u00e9s da bolacha, conduzindo a uma espessura consistente, dopagem est\u00e1vel e densidade de defeitos reduzida.<\/p>\n4. Este equipamento \u00e9 adequado para o fabrico de grandes volumes?<\/strong><\/p>\nSim, a configura\u00e7\u00e3o de c\u00e2mara dupla suporta o funcionamento cont\u00ednuo de v\u00e1rios fornos, com um rendimento superior a 1100 bolachas por m\u00eas, o que a torna ideal para a produ\u00e7\u00e3o em grande escala e garante bolachas de alta qualidade consistentes com um tempo de inatividade operacional reduzido.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":" O equipamento de epitaxia de carboneto de sil\u00edcio (SiC) de fluxo de ar vertical de tipo dividido \u00e9 um sistema avan\u00e7ado de crescimento epitaxial concebido para a produ\u00e7\u00e3o de alta efici\u00eancia de epi-wafers de SiC de 6 e 8 polegadas. Com uma arquitetura modular de tipo dividido, a fonte de alimenta\u00e7\u00e3o, os m\u00f3dulos de exaust\u00e3o e os m\u00f3dulos EFEM\/PM\/TM podem ser instalados de forma independente em zonas cinzentas ou \u00e1reas de mezanino.<\/p>","protected":false},"featured_media":2087,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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O equipamento de epitaxia de carboneto de sil\u00edcio (SiC) de fluxo de ar vertical de tipo dividido \u00e9 um sistema avan\u00e7ado de crescimento epitaxial concebido para a produ\u00e7\u00e3o de alta efici\u00eancia de epi-wafers de SiC de 6 e 8 polegadas. Com uma arquitetura modular de tipo dividido, a fonte de alimenta\u00e7\u00e3o, os m\u00f3dulos de exaust\u00e3o e os m\u00f3dulos EFEM\/PM\/TM podem ser instalados de forma independente em zonas cinzentas ou \u00e1reas de mezzanine. Esta flexibilidade permite uma integra\u00e7\u00e3o perfeita em ambientes de fabrico modernos, mantendo a capacidade de automatiza\u00e7\u00e3o total atrav\u00e9s do m\u00f3dulo SMIF e da liga\u00e7\u00e3o \u00e0 ponte rolante.<\/p>\n![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Split-Type-Vertical-Airflow-SiC-Epitaxy-Equipment-for-68-Epi-Wafers-3-1-300x300.png\")
Principais vantagens t\u00e9cnicas<\/h3>\n