{"id":2048,"date":"2026-04-01T05:59:16","date_gmt":"2026-04-01T05:59:16","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2048"},"modified":"2026-04-01T06:04:59","modified_gmt":"2026-04-01T06:04:59","slug":"microfluidic-laser-equipment-for-high-precision-semiconductor-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/microfluidic-laser-equipment-for-high-precision-semiconductor-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Equipamento laser microflu\u00eddico para processamento de bolachas semicondutoras de alta precis\u00e3o"},"content":{"rendered":"

\"\"O equipamento laser microflu\u00eddico utiliza tecnologia avan\u00e7ada de laser de microjacto para proporcionar um processamento de alta precis\u00e3o e com poucos danos t\u00e9rmicos para bolachas semicondutoras e outros materiais duros, fr\u00e1geis ou com grande intervalo de banda. Ao combinar um jato de \u00e1gua submicr\u00f3nico com um feixe de laser, o sistema orienta a energia do laser com precis\u00e3o para a superf\u00edcie da pe\u00e7a de trabalho, enquanto o fluxo de \u00e1gua arrefece continuamente e remove os detritos. Esta tecnologia resolve eficazmente os desafios comuns do laser convencional e do processamento mec\u00e2nico, incluindo danos t\u00e9rmicos, microfissuras, contamina\u00e7\u00e3o, conicidade e deforma\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

\"\"Carater\u00edsticas principais<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • Tipo de laser:<\/strong> Laser de Nd:YAG de estado s\u00f3lido bombeado por d\u00edodo, comprimento de onda 532\/1064 nm, largura de impulso em \u03bcs\/ns, pot\u00eancia m\u00e9dia 10-200 W<\/li>\n
  • Sistema de jato de \u00e1gua:<\/strong> \u00c1gua desionizada e filtrada a baixa press\u00e3o; o microjacto ultrafino consome apenas 1 L\/h a 300 bar, for\u00e7a negligenci\u00e1vel (<0,1 N)<\/li>\n
  • Bocal:<\/strong> Safira ou diamante, 30-150 \u03bcm de di\u00e2metro para uma orienta\u00e7\u00e3o precisa do laser<\/li>\n
  • Sistema auxiliar:<\/strong> Bombas de alta press\u00e3o e unidades de tratamento de \u00e1gua garantem um desempenho est\u00e1vel do jato<\/li>\n
  • Precis\u00e3o:<\/strong> Precis\u00e3o de posicionamento \u00b15 \u03bcm, precis\u00e3o de posicionamento repetido \u00b12 \u03bcm<\/li>\n
  • Capacidade de processamento:<\/strong> Rugosidade da superf\u00edcie Ra \u22641,2-1,6 \u03bcm, velocidade de corte linear \u226550 mm\/s, velocidade de abertura \u22651,25 mm\/s, corte de circunfer\u00eancia \u22656 mm\/s<\/li>\n<\/ul>\n

    Especifica\u00e7\u00f5es t\u00e9cnicas<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
    \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
    Especifica\u00e7\u00e3o<\/th>\nOp\u00e7\u00e3o 1<\/th>\nOp\u00e7\u00e3o 2<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Volume da bancada (mm)<\/td>\n300\u00d7300\u00d7150<\/td>\n400\u00d7400\u00d7200<\/td>\n<\/tr>\n
    Eixo linear XY<\/td>\nMotor linear<\/td>\nMotor linear<\/td>\n<\/tr>\n
    Eixo linear Z<\/td>\n150<\/td>\n200<\/td>\n<\/tr>\n
    Precis\u00e3o de posicionamento (\u03bcm)<\/td>\n\u00b15<\/td>\n\u00b15<\/td>\n<\/tr>\n
    Precis\u00e3o de posicionamento repetido (\u03bcm)<\/td>\n\u00b12<\/td>\n\u00b12<\/td>\n<\/tr>\n
    Acelera\u00e7\u00e3o (G)<\/td>\n1<\/td>\n0.29<\/td>\n<\/tr>\n
    Controlo num\u00e9rico<\/td>\n3 eixos \/ 3+1 \/ 3+2 eixos<\/td>\n3 eixos \/ 3+1 \/ 3+2 eixos<\/td>\n<\/tr>\n
    Comprimento de onda (nm)<\/td>\n532\/1064<\/td>\n532\/1064<\/td>\n<\/tr>\n
    Pot\u00eancia nominal (W)<\/td>\n50\/100\/200<\/td>\n50\/100\/200<\/td>\n<\/tr>\n
    Press\u00e3o do jato de \u00e1gua (bar)<\/td>\n50-100<\/td>\n50-600<\/td>\n<\/tr>\n
    Tamanho do bocal (\u03bcm)<\/td>\n30-150<\/td>\n30-150<\/td>\n<\/tr>\n
    Dimens\u00f5es da m\u00e1quina (mm)<\/td>\n1445\u00d71944\u00d72260<\/td>\n1700\u00d71500\u00d72120<\/td>\n<\/tr>\n
    Peso (T)<\/td>\n2.5<\/td>\n3<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Aplica\u00e7\u00f5es<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    1. Corte e fatiamento de pastilhas<\/strong>\n
        \n
      • Materiais: Sil\u00edcio (Si), carboneto de sil\u00edcio (SiC), nitreto de g\u00e1lio (GaN) e outras pastilhas duras\/fr\u00e1geis<\/li>\n
      • Vantagens: Substitui as l\u00e2minas de diamante tradicionais, reduz a quebra de arestas (20 \u03bcm), aumenta a velocidade de corte em 30%, permite o corte furtivo de bolachas ultrafinas (<50 \u03bcm)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
      • Perfura\u00e7\u00e3o de cavacos e processamento de microfuros<\/strong>\n
          \n
        • Aplica\u00e7\u00f5es: Perfura\u00e7\u00e3o de vias atrav\u00e9s do sil\u00edcio (TSV), matrizes de microfuros t\u00e9rmicos para dispositivos de pot\u00eancia<\/li>\n
        • Carater\u00edsticas: Abertura 10-200 \u03bcm, rela\u00e7\u00e3o profundidade-largura at\u00e9 10:1, rugosidade da superf\u00edcie Ra <0,5 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
        • Embalagem avan\u00e7ada<\/strong>\n
            \n
          • Aplica\u00e7\u00f5es: Abertura de janela RDL, embalagem ao n\u00edvel da bolacha (Fan-Out WLP)<\/li>\n
          • Vantagens: Evita o stress mec\u00e2nico, melhora o rendimento para >99,5%<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
          • Processamento de semicondutores compostos<\/strong>\n
              \n
            • Materiais: GaN, SiC e outros semicondutores de banda larga<\/li>\n
            • Carater\u00edsticas: Grava\u00e7\u00e3o de entalhe de porta, recozimento a laser, controlo preciso da energia para evitar a decomposi\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
            • Repara\u00e7\u00e3o de defeitos e afina\u00e7\u00e3o<\/strong>\n
                \n
              • Aplica\u00e7\u00f5es: Fus\u00e3o de laser para circuitos de mem\u00f3ria, afina\u00e7\u00e3o de conjuntos de microlentes para sensores \u00f3pticos<\/li>\n
              • Precis\u00e3o: Controlo de energia \u00b11%, erro de posicionamento de repara\u00e7\u00e3o <0,1 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ol>\n

                \"\"<\/p>\n

                Destaques e vantagens<\/strong><\/span><\/h2>\n
                  \n
                • O processamento a frio, limpo e controlado minimiza os danos causados pelo calor, as microfissuras e a conicidade<\/li>\n
                • O jato de \u00e1gua ultrafino garante uma orienta\u00e7\u00e3o precisa do laser e uma remo\u00e7\u00e3o eficiente dos detritos<\/li>\n
                • Adequado para materiais duros, fr\u00e1geis e transparentes, como SiC, GaN, diamante, LTCC e cristais fotovoltaicos<\/li>\n
                • Compat\u00edvel com o fabrico de semicondutores de alta precis\u00e3o, embalagem avan\u00e7ada, componentes aeroespaciais e microeletr\u00f3nica<\/li>\n
                • Aumenta o rendimento, reduz o desperd\u00edcio de material e preserva as propriedades do material<\/li>\n<\/ul>\n

                  Certifica\u00e7\u00e3o e conformidade<\/strong><\/span><\/h2>\n
                    \n
                  • Conformidade com RoHS<\/li>\n
                  • Concebida para aplica\u00e7\u00f5es de semicondutores de alta precis\u00e3o<\/li>\n
                  • Suporta um processamento reprodut\u00edvel, repet\u00edvel e automatizado<\/li>\n<\/ul>\n

                    FAQ<\/strong><\/span><\/h2>\n

                    1. Que tipos de materiais podem ser processados com equipamento laser microflu\u00eddico?<\/strong>
                    A tecnologia laser microflu\u00eddica pode processar com precis\u00e3o materiais semicondutores duros, fr\u00e1geis e de grande intervalo de banda, incluindo sil\u00edcio (Si), carboneto de sil\u00edcio (SiC), nitreto de g\u00e1lio (GaN), diamante, substratos cer\u00e2micos de carbono LTCC, cristais fotovoltaicos e outros materiais avan\u00e7ados. \u00c9 ideal para aplica\u00e7\u00f5es que requerem danos t\u00e9rmicos m\u00ednimos e elevada qualidade de superf\u00edcie.<\/p>\n

                    2. Como \u00e9 que a tecnologia laser de microjacto melhora o fabrico de bolachas semicondutoras?<\/strong>
                    Ao combinar um jato de \u00e1gua sub-micr\u00f3nico com um feixe de laser, a tecnologia atinge uma precis\u00e3o sub-micr\u00f3nica, minimizando as zonas afectadas pelo calor, a contamina\u00e7\u00e3o e a quebra de arestas. Substitui as l\u00e2minas mec\u00e2nicas tradicionais para corte em cubos, perfura\u00e7\u00e3o e microestrutura\u00e7\u00e3o, melhorando o rendimento e reduzindo o desperd\u00edcio de material.<\/p>\n

                    3. Para que aplica\u00e7\u00f5es \u00e9 que o equipamento laser microflu\u00eddico \u00e9 mais adequado?<\/strong>
                    Este equipamento \u00e9 amplamente utilizado em:<\/p>\n

                      \n
                    • Corte em cubos de bolachas e corte furtivo de bolachas ultra-finas (<50 \u03bcm)<\/li>\n
                    • Perfura\u00e7\u00e3o de vias atrav\u00e9s do sil\u00edcio (TSV) e matrizes de microfuros para CIs 3D e dispositivos de pot\u00eancia<\/li>\n
                    • Empacotamento avan\u00e7ado, como abertura de janelas RDL, empacotamento ao n\u00edvel da bolacha (Fan-Out WLP) e grava\u00e7\u00e3o de portas\/recozimento com laser para semicondutores GaN e SiC<\/li>\n<\/ul>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                      O equipamento laser microflu\u00eddico utiliza tecnologia avan\u00e7ada de laser de microjacto para proporcionar um processamento de alta precis\u00e3o e com poucos danos t\u00e9rmicos para bolachas semicondutoras e outros materiais duros, fr\u00e1geis ou com grande intervalo de 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