{"id":1968,"date":"2026-03-23T06:01:20","date_gmt":"2026-03-23T06:01:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=1968"},"modified":"2026-03-23T06:03:52","modified_gmt":"2026-03-23T06:03:52","slug":"lpcvd-oxidation-furnace","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/lpcvd-oxidation-furnace\/","title":{"rendered":"Forno de oxida\u00e7\u00e3o LPCVD de 6\/8\/12 polegadas Deposi\u00e7\u00e3o de pel\u00edcula fina de alta uniformidade para fabrico avan\u00e7ado de semicondutores"},"content":{"rendered":"

O forno de oxida\u00e7\u00e3o LPCVD de 6\/8\/12 polegadas \u00e9 uma ferramenta de fabrico de semicondutores de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o, concebida para uma deposi\u00e7\u00e3o precisa e uniforme de pel\u00edcula fina. \u00c9 amplamente aplicado no crescimento de camadas de polissil\u00edcio, nitreto de sil\u00edcio e \u00f3xido de sil\u00edcio de alta qualidade em bolachas, garantindo um desempenho consistente para semicondutores de pot\u00eancia, substratos avan\u00e7ados e outras aplica\u00e7\u00f5es de alta precis\u00e3o.<\/p>\n

Este equipamento combina tecnologia avan\u00e7ada de deposi\u00e7\u00e3o a baixa press\u00e3o, controlo inteligente da temperatura e design de processo ultra-limpo para obter uma uniformidade excecional de pel\u00edcula fina e um elevado rendimento. A sua configura\u00e7\u00e3o de reator vertical permite um processamento eficiente por lotes, enquanto o seu processo de deposi\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica evita danos induzidos por plasma, tornando-o ideal para processos cr\u00edticos como a forma\u00e7\u00e3o de diel\u00e9ctricos de porta, camadas de amortecimento de tens\u00f5es e \u00f3xidos protectores.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

Principais vantagens<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • Deposi\u00e7\u00e3o de pel\u00edcula fina de alta uniformidade:<\/strong> O ambiente de baixa press\u00e3o (0,1-10 Torr) garante uma uniformidade wafer-to-wafer e intra-wafer de \u00b11,5%, essencial para o fabrico de dispositivos de elevado desempenho.<\/li>\n
  • Conce\u00e7\u00e3o do Reator Vertical:<\/strong> Processa 150-200 bolachas por lote, melhorando o rendimento e a efici\u00eancia da produ\u00e7\u00e3o para o fabrico de semicondutores \u00e0 escala industrial.<\/li>\n
  • Processo de deposi\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica (500-900\u00b0C):<\/strong> Proporciona uma deposi\u00e7\u00e3o suave e sem plasma para proteger substratos sens\u00edveis e manter uma elevada qualidade da pel\u00edcula.<\/li>\n
  • Controlo inteligente da temperatura:<\/strong> Monitoriza\u00e7\u00e3o e ajuste em tempo real com precis\u00e3o de \u00b11\u00b0C para resultados est\u00e1veis e repet\u00edveis.<\/li>\n
  • C\u00e2mara de processo ultra-limpa:<\/strong> Minimiza a contamina\u00e7\u00e3o por part\u00edculas, suportando SiC e outros materiais de bolacha avan\u00e7ados.<\/li>\n
  • Configura\u00e7\u00e3o personaliz\u00e1vel:<\/strong> O design flex\u00edvel acomoda v\u00e1rios requisitos de processo, incluindo oxida\u00e7\u00e3o a seco ou h\u00famida e diferentes tamanhos de bolacha.<\/li>\n<\/ul>\n

    Especifica\u00e7\u00f5es t\u00e9cnicas<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
    \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
    Carater\u00edstica<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Tamanho da pastilha<\/td>\n6\/8\/12 Polegadas<\/td>\n<\/tr>\n
    Materiais compat\u00edveis<\/td>\nPolissil\u00edcio, Nitreto de sil\u00edcio, \u00d3xido de sil\u00edcio<\/td>\n<\/tr>\n
    Tipo de oxida\u00e7\u00e3o<\/td>\nOxig\u00e9nio seco \/ Oxig\u00e9nio h\u00famido (DCE, HCL)<\/td>\n<\/tr>\n
    Gama de temperaturas do processo<\/td>\n500\u00b0C-900\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Zona de temperatura constante<\/td>\n\u2265800 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    Precis\u00e3o do controlo da temperatura<\/td>\n\u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Controlo de part\u00edculas<\/td>\n0,32\u03bcm), 0,32\u03bcm), 0,226\u03bcm)<\/td>\n<\/tr>\n
    Espessura da pel\u00edcula<\/td>\nNIT1500 \u00b150 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
    Uniformidade<\/td>\nDentro da bolacha <2,5%, bolacha a bolacha <2,5%, lote a lote <2%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Carater\u00edsticas do produto<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    • O manuseamento automatizado de bolachas garante uma elevada seguran\u00e7a e efici\u00eancia operacional.<\/li>\n
    • A c\u00e2mara de processamento ultra-limpa reduz o risco de contamina\u00e7\u00e3o e mant\u00e9m a qualidade consistente da pel\u00edcula.<\/li>\n
    • A uniformidade superior da espessura da pel\u00edcula suporta o fabrico avan\u00e7ado de n\u00f3s.<\/li>\n
    • O controlo inteligente da temperatura e da press\u00e3o em tempo real permite ajustes precisos do processo.<\/li>\n
    • O suporte de pastilha de SiC reduz a fric\u00e7\u00e3o e a gera\u00e7\u00e3o de part\u00edculas, aumentando a vida \u00fatil da pastilha.<\/li>\n
    • O design modular permite a personaliza\u00e7\u00e3o para diversas aplica\u00e7\u00f5es e necessidades de processo.<\/li>\n<\/ul>\n

      Princ\u00edpio do processo de deposi\u00e7\u00e3o\"\"<\/strong><\/span><\/h2>\n
        \n
      1. Introdu\u00e7\u00e3o ao g\u00e1s:<\/strong> Os gases reagentes s\u00e3o introduzidos no tubo em condi\u00e7\u00f5es de baixa press\u00e3o (0,25-1 Torr).<\/li>\n
      2. Difus\u00e3o de superf\u00edcie:<\/strong> As mol\u00e9culas difundem-se livremente pela superf\u00edcie da bolacha, assegurando uma cobertura uniforme.<\/li>\n
      3. Adsor\u00e7\u00e3o:<\/strong> Os reagentes aderem \u00e0 superf\u00edcie da bolacha antes da rea\u00e7\u00e3o qu\u00edmica.<\/li>\n
      4. Rea\u00e7\u00e3o qu\u00edmica:<\/strong> A decomposi\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica forma a pel\u00edcula fina desejada diretamente sobre o substrato.<\/li>\n
      5. Remo\u00e7\u00e3o de subprodutos:<\/strong> Os gases n\u00e3o reactivos s\u00e3o evacuados para manter a pureza e evitar interfer\u00eancias.<\/li>\n
      6. Forma\u00e7\u00e3o de filmes:<\/strong> Os produtos da rea\u00e7\u00e3o acumulam-se gradualmente, formando uma camada de pel\u00edcula fina uniforme e est\u00e1vel.<\/li>\n<\/ol>\n

        Aplica\u00e7\u00f5es<\/strong><\/span><\/h2>\n
          \n
        • Camada de \u00f3xido de prote\u00e7\u00e3o:<\/strong> Protege as bolachas de sil\u00edcio da contamina\u00e7\u00e3o e reduz a canaliza\u00e7\u00e3o de i\u00f5es durante os processos de dopagem.<\/li>\n<\/ul>\n

          \"\"<\/p>\n

            \n
          • Camada de \u00f3xido de almofada:<\/strong> Actua como um amortecedor de tens\u00f5es entre as camadas de sil\u00edcio e de nitreto de sil\u00edcio, evitando a fissura\u00e7\u00e3o da bolacha e melhorando o rendimento.<\/li>\n<\/ul>\n

            \"\"<\/p>\n

              \n
            • Camada de \u00f3xido de porta:<\/strong> Fornece a camada diel\u00e9ctrica em estruturas MOS, assegurando uma condu\u00e7\u00e3o precisa da corrente e o controlo do efeito de campo.<\/li>\n<\/ul>\n

              \"\"<\/p>\n

              Configura\u00e7\u00f5es do sistema<\/strong><\/span><\/h2>\n
                \n
              • LPCVD vertical:<\/strong> Os gases do processo fluem de cima para baixo, conseguindo uma deposi\u00e7\u00e3o uniforme em todos os wafers de um lote.<\/li>\n<\/ul>\n

                \"\"<\/p>\n

                  \n
                • LPCVD horizontal:<\/strong> Os gases fluem ao longo do comprimento dos substratos, adequados para uma produ\u00e7\u00e3o cont\u00ednua e de grande volume, embora a espessura da deposi\u00e7\u00e3o possa variar ligeiramente perto do lado da entrada.<\/li>\n<\/ul>\n

                  \"\"<\/p>\n

                  Perguntas mais frequentes<\/strong><\/span><\/h2>\n

                  Q1: Para que \u00e9 que o LPCVD \u00e9 utilizado principalmente?<\/strong>
                  R: O LPCVD \u00e9 um processo de deposi\u00e7\u00e3o de pel\u00edcula fina a baixa press\u00e3o, amplamente utilizado no fabrico de semicondutores para a deposi\u00e7\u00e3o de polissil\u00edcio, nitreto de sil\u00edcio e \u00f3xido de sil\u00edcio, permitindo pel\u00edculas uniformes e de alta qualidade para o fabrico de dispositivos avan\u00e7ados.<\/p>\n

                  Q2: Em que \u00e9 que o LPCVD difere do PECVD?<\/strong>
                  R: A LPCVD baseia-se na ativa\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica a baixa press\u00e3o para produzir pel\u00edculas de elevada pureza, enquanto a PECVD utiliza plasma a temperaturas mais baixas para uma deposi\u00e7\u00e3o mais r\u00e1pida, muitas vezes com uma qualidade de pel\u00edcula ligeiramente inferior.<\/p>\n

                  Q3: Que tamanhos de bolacha e materiais s\u00e3o compat\u00edveis com este forno de oxida\u00e7\u00e3o LPCVD?<\/strong>
                  R: Este forno suporta wafers de 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas e \u00e9 compat\u00edvel com wafers de polissil\u00edcio, nitreto de sil\u00edcio, \u00f3xido de sil\u00edcio e SiC, proporcionando flexibilidade para v\u00e1rias aplica\u00e7\u00f5es de semicondutores.<\/p>\n

                  Q4: O forno de oxida\u00e7\u00e3o LPCVD pode ser personalizado para processos espec\u00edficos?<\/strong>
                  R: Sim, o sistema oferece configura\u00e7\u00f5es modulares, incluindo zonas de temperatura ajust\u00e1veis, controlo do fluxo de g\u00e1s e modos de oxida\u00e7\u00e3o (seco ou h\u00famido), permitindo-lhe satisfazer diversos requisitos de processo, tanto para investiga\u00e7\u00e3o como para produ\u00e7\u00e3o \u00e0 escala industrial.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                  O forno de oxida\u00e7\u00e3o LPCVD (deposi\u00e7\u00e3o qu\u00edmica de vapor a baixa press\u00e3o) de 6\/8\/12 polegadas \u00e9 uma ferramenta de fabrico de semicondutores de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o, concebida para uma deposi\u00e7\u00e3o precisa e uniforme de pel\u00edcula fina. \u00c9 amplamente aplicado no crescimento de camadas de polissil\u00edcio, nitreto de sil\u00edcio e \u00f3xido de sil\u00edcio de alta qualidade em bolachas, garantindo um desempenho consistente para semicondutores de pot\u00eancia, substratos avan\u00e7ados e outras aplica\u00e7\u00f5es de alta 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