![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262693-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x199.webp\")
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O forno de crescimento por aquecimento por resist\u00eancia de cristal \u00fanico ZMSH SiC \u00e9 um sistema de crescimento de cristais a alta temperatura especificamente concebido para a produ\u00e7\u00e3o de cristais \u00fanicos de carboneto de sil\u00edcio de grande di\u00e2metro, suportando o fabrico de bolachas de SiC de 6, 8 e 12 polegadas<\/p>\n
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uring.<\/p>\n
O forno foi concebido com base no princ\u00edpio de crescimento de cristais por Transporte F\u00edsico de Vapor (PVT), integrando um controlo preciso do aquecimento por resist\u00eancia, uma distribui\u00e7\u00e3o est\u00e1vel do campo t\u00e9rmico, uma gest\u00e3o do ambiente de alto v\u00e1cuo e uma regula\u00e7\u00e3o precisa da press\u00e3o.
Esta configura\u00e7\u00e3o permite o crescimento de monocristais de SiC de elevada pureza e baixa densidade de defeitos, adequados para aplica\u00e7\u00f5es avan\u00e7adas de semicondutores de pot\u00eancia e dispositivos electr\u00f3nicos.<\/p>\n
O sistema foi desenvolvido para satisfazer os requisitos da produ\u00e7\u00e3o industrial, garantindo a estabilidade do processo, a repetibilidade e a fiabilidade operacional a longo prazo em ambientes de crescimento de cristais de SiC em grande escala.<\/p>\n
\n
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O forno adopta uma estrutura de aquecimento por resist\u00eancia multi-zona para obter uma distribui\u00e7\u00e3o uniforme da temperatura axial e radial. Isto minimiza os gradientes t\u00e9rmicos, reduz a tens\u00e3o interna e melhora a integridade estrutural dos cristais durante o processo de crescimento.<\/p>\n
Temperatura m\u00e1xima de funcionamento at\u00e9 2500\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Precis\u00e3o do controlo da temperatura: \u00b11\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Ampla gama de regula\u00e7\u00e3o de press\u00e3o: 1-700 mbar<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Estes par\u00e2metros proporcionam um ambiente termodin\u00e2mico est\u00e1vel, essencial para a sublima\u00e7\u00e3o controlada, o transporte de vapor e a recristaliza\u00e7\u00e3o de cristais no crescimento do SiC.<\/p>\n
Com um cadinho de 900 mm de di\u00e2metro, o sistema suporta o crescimento de lingotes de SiC de 8 e 12 polegadas da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o, permitindo que os fabricantes aumentem a produ\u00e7\u00e3o e melhorem o rendimento e a consist\u00eancia das bolachas.<\/p>\n
O forno mant\u00e9m uma c\u00e2mara de crescimento de baixo vazamento e alto v\u00e1cuo, garantindo menor risco de contamina\u00e7\u00e3o, maior pureza dos cristais e opera\u00e7\u00e3o est\u00e1vel de longa dura\u00e7\u00e3o.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262670-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x300.webp\")
<\/h2>\n<\/p>\n
Substratos de semicondutores de pot\u00eancia<\/p>\n<\/li>\n
M\u00f3dulos de pot\u00eancia para ve\u00edculos el\u00e9ctricos<\/p>\n<\/li>\n
Dispositivos MOSFET e d\u00edodos de alta tens\u00e3o<\/p>\n<\/li>\n
Sistemas de convers\u00e3o de energia de energias renov\u00e1veis<\/p>\n<\/li>\n
Componentes electr\u00f3nicos de alta frequ\u00eancia e de radiofrequ\u00eancia<\/p>\n<\/li>\n
Eletr\u00f3nica de pot\u00eancia industrial<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
<\/p>\n
<\/p>\n
| N\u00e3o.<\/th>\n | Especifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n | Detalhes<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| 1<\/td>\n | Modelo<\/td>\n | PVT-RS-40<\/td>\n<\/tr>\n |
| 2<\/td>\n | Dimens\u00f5es do forno (C \u00d7 L \u00d7 A)<\/td>\n | 2500 \u00d7 2400 \u00d7 3456 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 3<\/td>\n | Di\u00e2metro do cadinho<\/td>\n | 900 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 4<\/td>\n | Press\u00e3o de v\u00e1cuo m\u00e1xima<\/td>\n | 6 \u00d7 10-\u2074 Pa (ap\u00f3s 1,5 h de v\u00e1cuo)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 5<\/td>\n | Taxa de fuga<\/td>\n | \u22645 Pa \/ 12 h (cozedura)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 6<\/td>\n | Di\u00e2metro do eixo de rota\u00e7\u00e3o<\/td>\n | 50 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 7<\/td>\n | Velocidade de rota\u00e7\u00e3o<\/td>\n | 0,5-5 rpm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 8<\/td>\n | M\u00e9todo de aquecimento<\/td>\n | Aquecimento por resist\u00eancia el\u00e9ctrica<\/td>\n<\/tr>\n |
| 9<\/td>\n | Temperatura m\u00e1xima do forno<\/td>\n | 2500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 10<\/td>\n | Pot\u00eancia de aquecimento<\/td>\n | 40 kW \u00d7 2 + 20 kW<\/td>\n<\/tr>\n |
| 11<\/td>\n | Medi\u00e7\u00e3o da temperatura<\/td>\n | Pir\u00f3metro de infravermelhos de duas cores<\/td>\n<\/tr>\n |
| 12<\/td>\n | Gama de temperaturas<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 13<\/td>\n | Precis\u00e3o da temperatura<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 14<\/td>\n | Gama de press\u00e3o<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| 15<\/td>\n | Precis\u00e3o do controlo da press\u00e3o<\/td>\n | \u00b10,5% escala total<\/td>\n<\/tr>\n |
| 16<\/td>\n | Tipo de opera\u00e7\u00e3o<\/td>\n | Carregamento pelo fundo, modos de seguran\u00e7a manual ou autom\u00e1tico<\/td>\n<\/tr>\n |
| 17<\/td>\n | Configura\u00e7\u00f5es opcionais<\/td>\n | Aquecimento multi-zona, monitoriza\u00e7\u00e3o de temperatura dupla<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/h2>\n |