{"id":2504,"date":"2026-06-01T02:33:36","date_gmt":"2026-06-01T02:33:36","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2504"},"modified":"2026-06-01T02:38:59","modified_gmt":"2026-06-01T02:38:59","slug":"through-glass-via-tgv-technology","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/through-glass-via-tgv-technology\/","title":{"rendered":"Tecnologia Through Glass Via (TGV): Uma solu\u00e7\u00e3o de interliga\u00e7\u00e3o essencial para embalagens 2.5D\/3D de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o e integra\u00e7\u00e3o de chiplets"},"content":{"rendered":"

Com o r\u00e1pido crescimento da computa\u00e7\u00e3o com IA, das comunica\u00e7\u00f5es 5G\/6G e das aplica\u00e7\u00f5es de RF de alta frequ\u00eancia, as interconex\u00f5es tradicionais baseadas em sil\u00edcio (TSV) est\u00e3o cada vez mais limitadas pela perda de sinal, pelo stress t\u00e9rmico e por restri\u00e7\u00f5es de custo. Neste contexto, Tecnologia Through Glass Via (TGV)<\/strong> <\/mark>i<\/a>est\u00e1 a revelar-se um avan\u00e7o fundamental na embalagem avan\u00e7ada de semicondutores.<\/p>\n\n\n\n

A tecnologia TGV permite a interconex\u00e3o el\u00e9trica vertical atrav\u00e9s da forma\u00e7\u00e3o e metaliza\u00e7\u00e3o de microvias em substratos de vidro ultrafinos. \u00c9 amplamente considerada uma tecnologia fundamental para as arquiteturas de encapsulamento 2.5D\/3D e de chiplets.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

1. O que \u00e9 o TGV (Through Glass Via)?<\/h2>\n\n\n\n

TGV refere-se ao processo de cria\u00e7\u00e3o vias verticais \u00e0 escala de microns (10\u201350 \u03bcm)<\/strong> em substratos de vidro ultrafinos (100\u2013700 \u03bcm)<\/strong> tais como vidro borossilicato ou s\u00edlica fundida, seguido de metaliza\u00e7\u00e3o (normalmente com cobre) para formar vias condutoras.<\/p>\n\n\n\n

Substitui os interposers TSV (Through Silicon Via) tradicionais e oferece vantagens como:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Menor perda de sinal<\/li>\n\n\n\n
  • Menor esfor\u00e7o t\u00e9rmico<\/li>\n\n\n\n
  • Custo de produ\u00e7\u00e3o mais baixo<\/li>\n\n\n\n
  • Melhor desempenho nas frequ\u00eancias altas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    2. Princ\u00edpio de funcionamento fundamental<\/h2>\n\n\n\n

    Uma estrutura t\u00edpica do TGV \u00e9 composta por:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Substrato de vidro (suporte diel\u00e9trico)<\/strong><\/li>\n\n\n\n
    • Estrutura de microvias verticais<\/strong><\/li>\n\n\n\n
    • Vias condutoras com enchimento met\u00e1lico (cobre)<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Estas estruturas permitem liga\u00e7\u00f5es verticais de alta densidade entre chips ou m\u00f3dulos, sendo particularmente adequadas para a transmiss\u00e3o de sinais de alta velocidade e alta frequ\u00eancia.<\/p>\n\n\n\n

      3. Fluxo do processo TGV padr\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n

      1) Prepara\u00e7\u00e3o do substrato<\/h3>\n\n\n\n
        \n
      • Limpeza e secagem<\/li>\n\n\n\n
      • Revestimento de fotorresist\u00eancia \/ litografia<\/li>\n\n\n\n
      • Remo\u00e7\u00e3o de contaminantes superficiais<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        2) Perfura\u00e7\u00e3o a laser de vias (processo-chave)<\/h3>\n\n\n\n

        O processamento a laser ultrarr\u00e1pido (lasers de picossegundos ou femtossegundos) \u00e9 utilizado para modificar as estruturas internas do vidro:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Provoca microfissuras ou zonas alteradas<\/li>\n\n\n\n
        • Cria uma rela\u00e7\u00e3o de aspecto elevada atrav\u00e9s de canais<\/li>\n\n\n\n
        • Atinge di\u00e2metros a partir de 3 \u03bcm<\/strong><\/li>\n\n\n\n
        • Formato de ecr\u00e3 at\u00e9 150:1<\/strong><\/li>\n\n\n\n
        • Atrav\u00e9s da uniformidade > 95%<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Este \u00e9 o passo mais cr\u00edtico no fabrico do TGV.<\/p>\n\n\n\n

          3) Grava\u00e7\u00e3o por via h\u00famida e limpeza<\/h3>\n\n\n\n
            \n
          • Grava\u00e7\u00e3o qu\u00edmica HF\/BHF<\/li>\n\n\n\n
          • Remo\u00e7\u00e3o de regi\u00f5es modificadas a laser<\/li>\n\n\n\n
          • Suaviza\u00e7\u00e3o atrav\u00e9s das paredes laterais<\/li>\n\n\n\n
          • Controlo preciso do di\u00e2metro<\/li>\n\n\n\n
          • Remo\u00e7\u00e3o de contaminantes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

            4) Metaliza\u00e7\u00e3o (Etapa cr\u00edtica)<\/h3>\n\n\n\n

            (1) Deposi\u00e7\u00e3o da camada de sementes<\/h4>\n\n\n\n
              \n
            • Deposi\u00e7\u00e3o por pulveriza\u00e7\u00e3o cat\u00f3dica de camadas de Ti\/Cu ou AlN\/Cu<\/li>\n\n\n\n
            • Garante a ader\u00eancia e a condutividade<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              (2) Galvanoplastia de cobre<\/h4>\n\n\n\n
                \n
              • Galvanoplastia por impulsos ou corrente cont\u00ednua<\/li>\n\n\n\n
              • Sem vazios atrav\u00e9s do preenchimento<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                (3) Planariza\u00e7\u00e3o da superf\u00edcie<\/h4>\n\n\n\n
                  \n
                • Polimento qu\u00edmico-mec\u00e2nico (CMP)<\/li>\n\n\n\n
                • Tratamento de superf\u00edcie antioxidante<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  5) Camada de redistribui\u00e7\u00e3o (RDL) e bumping<\/h3>\n\n\n\n
                    \n
                  • Fia\u00e7\u00e3o RDL ultrafina<\/li>\n\n\n\n
                  • Nova linha\/novo espa\u00e7o at\u00e9 \u22642 \u03bcm<\/strong><\/li>\n\n\n\n
                  • Roteamento multicamadas (at\u00e9 6 camadas RDL)<\/li>\n\n\n\n
                  • Pilares de cobre ou sali\u00eancias de solda para liga\u00e7\u00e3o<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    6) Testes e corte em cubos<\/h3>\n\n\n\n
                      \n
                    • Testes el\u00e9tricos<\/li>\n\n\n\n
                    • Corte de wafers<\/li>\n\n\n\n
                    • Inspe\u00e7\u00e3o final e embalagem<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      4. Compara\u00e7\u00e3o das principais tecnologias de forma\u00e7\u00e3o de vias<\/h2>\n\n\n\n
                      Tecnologia<\/th>Vantagens<\/th>Desvantagens<\/th>Aplica\u00e7\u00f5es<\/th><\/tr><\/thead>
                      Laser ultrarr\u00e1pido + grava\u00e7\u00e3o por corros\u00e3o h\u00famida<\/td>Alta precis\u00e3o, vias de 3\u201310 \u03bcm, elevada rela\u00e7\u00e3o de aspecto, excelente uniformidade<\/td>Custo elevado do equipamento, processo complexo<\/td>Chips de IA, HBM, aplica\u00e7\u00f5es de RF<\/td><\/tr>
                      Perfura\u00e7\u00e3o direta a laser<\/td>Baixo custo, alta velocidade<\/td>Paredes laterais rugosas, rela\u00e7\u00e3o de aspecto baixa (<20:1)<\/td>Vias de grande dimens\u00e3o, utiliza\u00e7\u00e3o em baixas frequ\u00eancias<\/td><\/tr>
                      Grava\u00e7\u00e3o a seco (RIE\/ICP)<\/td>Alta precis\u00e3o, paredes laterais verticais<\/td>Lento, caro<\/td>Vias ultrapequenas (<5 \u03bcm)<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                      5. Tecnologia de metaliza\u00e7\u00e3o PVD sobre vidro<\/h2>\n\n\n\n

                      Na produ\u00e7\u00e3o do TGV, tecnologia de revestimento PVD para vidro<\/strong> desempenha um papel fundamental na obten\u00e7\u00e3o de estruturas de interliga\u00e7\u00e3o fi\u00e1veis.<\/p>\n\n\n\n

                      Caracter\u00edsticas do processo<\/h3>\n\n\n\n
                        \n
                      • Processo interno de pulveriza\u00e7\u00e3o PVD de qualidade semicondutora<\/li>\n\n\n\n
                      • Deposi\u00e7\u00e3o de cobre de alta ader\u00eancia<\/li>\n\n\n\n
                      • Espessura m\u00e1xima do cobre at\u00e9 10 \u03bcm<\/strong><\/li>\n\n\n\n
                      • Excelente uniformidade de espessura<\/li>\n\n\n\n
                      • Baixo empenamento e elevada planicidade<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Vantagens do material<\/h3>\n\n\n\n
                          \n
                        • Elevada dureza<\/li>\n\n\n\n
                        • Excelente resist\u00eancia ao desgaste<\/li>\n\n\n\n
                        • Elevada resist\u00eancia \u00e0 corros\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
                        • Propriedades qu\u00edmicas est\u00e1veis<\/li>\n\n\n\n
                        • Desempenho duradouro do revestimento<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          6. Principais vantagens da tecnologia TGV<\/h2>\n\n\n\n

                          Em compara\u00e7\u00e3o com a tecnologia TSV tradicional, a TGV oferece:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Menor perda de transmiss\u00e3o do sinal (ideal para aplica\u00e7\u00f5es de alta frequ\u00eancia)<\/li>\n\n\n\n
                          • Menor tens\u00e3o t\u00e9rmica (melhor compatibilidade do CTE do vidro)<\/li>\n\n\n\n
                          • Potencial de redu\u00e7\u00e3o dos custos de produ\u00e7\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
                          • Elevada estabilidade dimensional<\/li>\n\n\n\n
                          • Maior adequa\u00e7\u00e3o a arquiteturas de interconex\u00e3o densas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            7. \u00c1reas de aplica\u00e7\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n

                            A tecnologia TGV est\u00e1 a expandir-se rapidamente para:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Embalagem de chips de computa\u00e7\u00e3o para IA<\/li>\n\n\n\n
                            • Mem\u00f3ria de alta largura de banda (HBM)<\/li>\n\n\n\n
                            • M\u00f3dulos de front-end de RF 5G\/6G<\/li>\n\n\n\n
                            • Fot\u00f3nica de sil\u00edcio e interconex\u00e3o \u00f3tica (CPO)<\/li>\n\n\n\n
                            • Integra\u00e7\u00e3o heterog\u00e9nea de chiplets<\/li>\n\n\n\n
                            • Interliga\u00e7\u00f5es de alta velocidade para centros de dados<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              8. Perspectivas do setor<\/h2>\n\n\n\n

                              \u00c0 medida que as tecnologias de embalagem avan\u00e7adas continuam a evoluir no sentido de uma maior densidade, menor consumo de energia e funcionamento a frequ\u00eancias mais elevadas, a TGV est\u00e1 a tornar-se uma tecnologia fundamental para:<\/p>\n\n\n\n

                              \n

                              Arquiteturas de interconex\u00e3o 3D na era p\u00f3s-Moore<\/strong><\/p>\n<\/blockquote>\n\n\n\n

                              As tend\u00eancias futuras de desenvolvimento incluem:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Estruturas de vias com menos de 5 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n
                              • Integra\u00e7\u00e3o RDL de maior densidade<\/li>\n\n\n\n
                              • Maior consist\u00eancia na produ\u00e7\u00e3o em massa<\/li>\n\n\n\n
                              • Integra\u00e7\u00e3o profunda com sistemas baseados em chiplets<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Conclus\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n

                                A tecnologia TGV (Through Glass Via) est\u00e1 a afirmar-se como uma solu\u00e7\u00e3o de interliga\u00e7\u00e3o de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o, gra\u00e7as ao seu desempenho em altas frequ\u00eancias, ao baixo stress t\u00e9rmico e \u00e0 sua rentabilidade.<\/p>\n\n\n\n

                                Os seus principais avan\u00e7os residem em:<\/p>\n\n\n\n

                                  \n
                                • Forma\u00e7\u00e3o de vias por laser ultrarr\u00e1pido<\/li>\n\n\n\n
                                • Galvanoplastia de cobre sem poros<\/li>\n\n\n\n
                                • Fresagem RDL multicamadas ultrafina<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Com a ado\u00e7\u00e3o em escala comercial prevista para os pr\u00f3ximos anos, o TGV desempenhar\u00e1 um papel fundamental na viabiliza\u00e7\u00e3o de sistemas de computa\u00e7\u00e3o de IA e de comunica\u00e7\u00e3o de alta velocidade.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                  With the rapid growth of AI computing, 5G\/6G communications, and high-frequency RF applications, traditional silicon-based interconnects (TSV) are increasingly limited by signal loss, thermal stress, and cost constraints. Against this backdrop, Through Glass Via (TGV) technology is emerging as a key breakthrough in advanced semiconductor packaging. TGV enables vertical electrical interconnection by forming and metallizing […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2507,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[25],"tags":[1354,1410,44,1412,1411,1414,1409,1415,1417,1418,214,1407,1408,1416,1413],"class_list":["post-2504","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technology-applications","tag-2-5d-packaging","tag-3d-packaging","tag-advanced-packaging","tag-borosilicate-glass","tag-chiplet-integration","tag-fused-silica","tag-glass-interposer","tag-glass-via","tag-high-frequency-interconnect","tag-low-signal-loss","tag-semiconductor-packaging","tag-tgv","tag-through-glass-via","tag-tsv-alternative","tag-ultra-thin-glass-substrate"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2504","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2504"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2504\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2510,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2504\/revisions\/2510"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2507"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2504"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2504"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2504"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}