{"id":2280,"date":"2026-04-17T02:27:09","date_gmt":"2026-04-17T02:27:09","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2280"},"modified":"2026-04-17T02:28:35","modified_gmt":"2026-04-17T02:28:35","slug":"tgv-technology-for-advanced-packaging","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/tgv-technology-for-advanced-packaging\/","title":{"rendered":"Tecnologia Through Glass Via (TGV) para embalagens avan\u00e7adas"},"content":{"rendered":"<h2 class=\"wp-block-heading\">1. Introdu\u00e7\u00e3o: Contexto do sector e antecedentes da engenharia<\/h2>\n\n\n\n<p>No embalamento avan\u00e7ado de semicondutores, a procura cont\u00ednua de maior largura de banda, menor perda de sinal e melhor estabilidade t\u00e9rmica est\u00e1 a conduzir a uma transi\u00e7\u00e3o dos substratos org\u00e2nicos tradicionais para materiais de interliga\u00e7\u00e3o mais avan\u00e7ados.<\/p>\n\n\n\n<p>Com base nas tend\u00eancias de desenvolvimento industrial observadas nas linhas avan\u00e7adas de embalagem e fabrico de substratos, os substratos de vidro t\u00eam demonstrado cada vez mais um forte potencial em aplica\u00e7\u00f5es de alta frequ\u00eancia e alta densidade devido \u00e0 sua..:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Baixa constante diel\u00e9ctrica (Dk)<\/li>\n\n\n\n<li>Baixa perda diel\u00e9ctrica (Df)<\/li>\n\n\n\n<li>Elevada estabilidade dimensional<\/li>\n\n\n\n<li>Excelentes propriedades de isolamento el\u00e9trico<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Entre as tecnologias de interconex\u00e3o \u00e0 base de vidro, a Through Glass Via (TGV) surgiu como uma solu\u00e7\u00e3o essencial para arquitecturas de embalagem da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o, incluindo interpositores 2,5D, m\u00f3dulos RF e sistemas de computa\u00e7\u00e3o de elevado desempenho.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"1024\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-1024x1024.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-2281\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-1024x1024.jpg 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-300x300.jpg 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-150x150.jpg 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-768x768.jpg 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-12x12.jpg 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-600x600.jpg 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-100x100.jpg 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging.jpg 1120w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2. Defini\u00e7\u00e3o t\u00e9cnica de TGV (Through Glass Via)<\/h2>\n\n\n\n<p><strong>Atrav\u00e9s do Vidro Via (TGV)<\/strong> refere-se a uma estrutura de interliga\u00e7\u00e3o vertical formada pela cria\u00e7\u00e3o de vias \u00e0 microescala num substrato de vidro, seguida de metaliza\u00e7\u00e3o para estabelecer a conetividade el\u00e9ctrica entre ambas as superf\u00edcies.<\/p>\n\n\n\n<p>Do ponto de vista do fabrico, o TGV n\u00e3o \u00e9 um processo \u00fanico, mas um sistema integrado de v\u00e1rias fases que combina tecnologias de modifica\u00e7\u00e3o a laser, grava\u00e7\u00e3o a h\u00famido, metaliza\u00e7\u00e3o, galvanoplastia e planariza\u00e7\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<p>Em compara\u00e7\u00e3o com a tecnologia de via de sil\u00edcio (TSV), a TGV proporciona:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Menor atenua\u00e7\u00e3o do sinal de RF<\/li>\n\n\n\n<li>Capacit\u00e2ncia parasita reduzida<\/li>\n\n\n\n<li>Estabilidade de transmiss\u00e3o de alta frequ\u00eancia melhorada<\/li>\n\n\n\n<li>Controlo dimensional melhorado ao n\u00edvel da bolacha<\/li>\n\n\n\n<li>Melhor compatibilidade da integra\u00e7\u00e3o \u00f3tico-el\u00e9ctrica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Estas carater\u00edsticas tornam o TGV particularmente adequado para m\u00f3dulos front-end de RF, interpositores de embalagem AI e plataformas de integra\u00e7\u00e3o optoelectr\u00f3nica.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">3. Via Capacidades de Engenharia de Forma\u00e7\u00e3o (vis\u00e3o ao n\u00edvel do processo)<\/h2>\n\n\n\n<p>Em ambientes de produ\u00e7\u00e3o industrial, a forma\u00e7\u00e3o de vias TGV \u00e9 normalmente conseguida atrav\u00e9s de um processo h\u00edbrido de modifica\u00e7\u00e3o a laser e grava\u00e7\u00e3o qu\u00edmica.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.1 Capacidade de processamento estrutural<\/h3>\n\n\n\n<p>As actuais gamas de capacidades de processos maduros incluem:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>R\u00e1cio de aspeto at\u00e9 15:1<\/strong><br>Apoio \u00e0 forma\u00e7\u00e3o de vias profundas em substratos de vidro finos.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Gama de espessuras de vidro: 0,2 mm a 1,5 mm<\/strong><br>Abrangendo dispositivos ultra-finos e plataformas de interposi\u00e7\u00e3o padr\u00e3o.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Controlo de elevada precis\u00e3o geom\u00e9trica:<\/strong>\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Circularidade &gt; 95%<\/li>\n\n\n\n<li>R\u00e1cio da cintura &gt; 0,9<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Estes par\u00e2metros indicam uma morfologia est\u00e1vel da via, o que \u00e9 fundamental para garantir uma metaliza\u00e7\u00e3o uniforme e minimizar a varia\u00e7\u00e3o da resist\u00eancia el\u00e9ctrica.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.2 Perspetiva de engenharia (Considera\u00e7\u00e3o da estabilidade do processo)<\/h3>\n\n\n\n<p>Do ponto de vista do fabrico, a manuten\u00e7\u00e3o da consist\u00eancia da geometria da via \u00e9 um dos principais factores determinantes do rendimento. Perfis de via inconsistentes podem levar a:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Deposi\u00e7\u00e3o n\u00e3o uniforme da camada de sementes<\/li>\n\n\n\n<li>Esvaziamento durante a galvanoplastia<\/li>\n\n\n\n<li>Aumento da varia\u00e7\u00e3o da resist\u00eancia el\u00e9ctrica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Por conseguinte, a precis\u00e3o do alinhamento do laser e o controlo da isotropia da grava\u00e7\u00e3o s\u00e3o par\u00e2metros cr\u00edticos do processo.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4. Tecnologia de metaliza\u00e7\u00e3o e enchimento de cobre<\/h2>\n\n\n\n<p>A metaliza\u00e7\u00e3o de TGV \u00e9 amplamente reconhecida como um dos passos tecnicamente mais desafiantes devido ao elevado r\u00e1cio de aspeto e \u00e0 geometria confinada das vias de vidro.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.1 Processo de deposi\u00e7\u00e3o de cobre multicamada<\/h3>\n\n\n\n<p>Um fluxo de processo industrial t\u00edpico inclui:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sputtering (forma\u00e7\u00e3o de camadas de sementes)<\/li>\n\n\n\n<li>Deposi\u00e7\u00e3o de cobre sem eletr\u00f3lise<\/li>\n\n\n\n<li>Eletrodeposi\u00e7\u00e3o (via enchimento)<\/li>\n\n\n\n<li>Polimento qu\u00edmico-mec\u00e2nico (CMP)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Esta abordagem em v\u00e1rias fases garante:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Vias condutoras cont\u00ednuas<\/li>\n\n\n\n<li>Distribui\u00e7\u00e3o uniforme de cobre ao longo das paredes laterais da via<\/li>\n\n\n\n<li>Desempenho el\u00e9trico est\u00e1vel em estruturas ao n\u00edvel da bolacha<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.2 Desafios da engenharia de processos<\/h3>\n\n\n\n<p>Com base nas carater\u00edsticas dos processos industriais, os principais desafios t\u00e9cnicos incluem:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Limita\u00e7\u00e3o do transporte de massa em vias de elevado r\u00e1cio de aspeto<\/li>\n\n\n\n<li>Uniformidade da distribui\u00e7\u00e3o de i\u00f5es durante a galvanoplastia<\/li>\n\n\n\n<li>Acumula\u00e7\u00e3o de stress durante a deposi\u00e7\u00e3o de cobre<\/li>\n\n\n\n<li>Fiabilidade da ader\u00eancia da interface entre o vidro e as camadas met\u00e1licas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>A conce\u00e7\u00e3o avan\u00e7ada do sistema de galvaniza\u00e7\u00e3o e a otimiza\u00e7\u00e3o do campo de fluxo s\u00e3o normalmente necess\u00e1rias para atenuar estes efeitos.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5. Arquitetura do sistema de equipamento e integra\u00e7\u00e3o de processos<\/h2>\n\n\n\n<p>Nas linhas de fabrico industrial de TGV, o desempenho do equipamento determina diretamente o rendimento do processo, especialmente em ambientes de processo h\u00famidos.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.1 Sistema de secagem e controlo de defeitos<\/h3>\n\n\n\n<p>Ap\u00f3s as etapas de processamento h\u00famido, s\u00e3o utilizados sistemas de secagem via:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Reduzir a microfissura\u00e7\u00e3o induzida por res\u00edduos l\u00edquidos<\/li>\n\n\n\n<li>Melhorar a estabilidade estrutural das vias gravadas<\/li>\n\n\n\n<li>Aumentar o rendimento global nos processos p\u00f3s-etch<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.2 Processo de cobre e otimiza\u00e7\u00e3o da fiabilidade mec\u00e2nica<\/h3>\n\n\n\n<p>O equipamento de processamento relacionado com o cobre contribui para:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Redu\u00e7\u00e3o das roturas mec\u00e2nicas durante o polimento<\/li>\n\n\n\n<li>Melhoria da for\u00e7a de ades\u00e3o entre camadas<\/li>\n\n\n\n<li>Maior fiabilidade da via em ciclos t\u00e9rmicos<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.3 Controlo da precis\u00e3o da modifica\u00e7\u00e3o do laser<\/h3>\n\n\n\n<p>Os sistemas laser utilizados na forma\u00e7\u00e3o do TGV fornecem:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Caminhos de modifica\u00e7\u00e3o est\u00e1veis em materiais de vidro quebradi\u00e7os<\/li>\n\n\n\n<li>Elevada perpendicularidade das paredes laterais da via<\/li>\n\n\n\n<li>Alinhamento posicional preciso em substratos de grande \u00e1rea<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Estes factores t\u00eam um impacto significativo na uniformidade da grava\u00e7\u00e3o a jusante e na taxa de sucesso da metaliza\u00e7\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">6. Fluxo do processo de fabrico do TGV integrado<\/h2>\n\n\n\n<p>Um sistema industrial t\u00edpico de produ\u00e7\u00e3o de TGV pode ser dividido em tr\u00eas grandes m\u00f3dulos:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.1 M\u00f3dulo de forma\u00e7\u00e3o de via<\/h3>\n\n\n\n<p>Sequ\u00eancia do processo:<\/p>\n\n\n\n<p>Modifica\u00e7\u00e3o por laser \u2192 Grava\u00e7\u00e3o por via h\u00famida \u2192 Inspe\u00e7\u00e3o AOI<\/p>\n\n\n\n<p>Transforma\u00e7\u00e3o de materiais:<\/p>\n\n\n\n<p>Substrato de vidro \u2192 Estrutura de via de vidro de alta precis\u00e3o<\/p>\n\n\n\n<p>Equipamento de base:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sistema de grava\u00e7\u00e3o de vidro (Wet Bench)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.2 M\u00f3dulo de metaliza\u00e7\u00e3o e enchimento<\/h3>\n\n\n\n<p>Sequ\u00eancia do processo:<\/p>\n\n\n\n<p>Sputtering \u2192 Galvanoplastia \u2192 Galvanoplastia \u2192 CMP<\/p>\n\n\n\n<p>Equipamento de base:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sistema de pr\u00e9-limpeza de bancada h\u00famida<\/li>\n\n\n\n<li>Sistema de revestimento de cobre sem eletr\u00f3lito<\/li>\n\n\n\n<li>Sistema de galvanoplastia de dupla face (configura\u00e7\u00e3o de galvanoplastia em cremalheira)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Este m\u00f3dulo determina a condutividade el\u00e9ctrica e a fiabilidade a longo prazo.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.3 M\u00f3dulo de forma\u00e7\u00e3o da camada de redistribui\u00e7\u00e3o (RDL)<\/h3>\n\n\n\n<p>Sequ\u00eancia do processo:<\/p>\n\n\n\n<p>Revestimento fotorresistente \u2192 Litografia \u2192 Revela\u00e7\u00e3o \u2192 Gravura<\/p>\n\n\n\n<p>Equipamento de base:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sistema de desenvolvimento em bancada h\u00famida<\/li>\n\n\n\n<li>Sistema de grava\u00e7\u00e3o UBM (processamento de vidro de wafer \u00fanico)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Esta fase permite o encaminhamento de interliga\u00e7\u00f5es laterais para integra\u00e7\u00e3o ao n\u00edvel da pastilha.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">7. Desafios em mat\u00e9ria de fiabilidade e fabrico<\/h2>\n\n\n\n<p>Apesar das suas vantagens, a tecnologia TGV enfrenta ainda v\u00e1rios desafios de engenharia e industrializa\u00e7\u00e3o:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Controlo de vazios de cobre de elevada rela\u00e7\u00e3o de aspeto<\/li>\n\n\n\n<li>Gest\u00e3o de tens\u00f5es t\u00e9rmicas em materiais de vidro quebradi\u00e7os<\/li>\n\n\n\n<li>Supress\u00e3o de microfissuras durante as transi\u00e7\u00f5es h\u00famido\/seco<\/li>\n\n\n\n<li>Controlo da contamina\u00e7\u00e3o cruzada em ambientes de bancada h\u00famidos<\/li>\n\n\n\n<li>Controlo da uniformidade do substrato em grandes \u00e1reas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Do ponto de vista do rendimento industrial, estes desafios s\u00e3o abordados principalmente atrav\u00e9s da otimiza\u00e7\u00e3o ao n\u00edvel do equipamento e da integra\u00e7\u00e3o do processo, em vez de melhorias numa \u00fanica etapa.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">8. Tend\u00eancias de desenvolvimento do sector e perspectivas futuras<\/h2>\n\n\n\n<p>Com base nas actuais traject\u00f3rias de desenvolvimento de embalagens de semicondutores, espera-se que a tecnologia TGV evolua para:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>R\u00e1cios de aspeto superiores a 20:1<\/li>\n\n\n\n<li>Plataformas de integra\u00e7\u00e3o de processos h\u00famidos totalmente automatizadas<\/li>\n\n\n\n<li>Materiais de enchimento de cobre de baixa tens\u00e3o e sistemas de barreira<\/li>\n\n\n\n<li>Estruturas de interposi\u00e7\u00e3o optimizadas para alta frequ\u00eancia (RF\/mmWave)<\/li>\n\n\n\n<li>Integra\u00e7\u00e3o da computa\u00e7\u00e3o de IA e das embalagens HPC<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Com a r\u00e1pida expans\u00e3o da infraestrutura de computa\u00e7\u00e3o orientada para a IA, espera-se que a TGV se torne uma tecnologia facilitadora essencial nos ecossistemas de embalagens avan\u00e7adas da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">9. Conclus\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n<p><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/categoria-produto\/laser-drilling-machine\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#0693e3\" class=\"has-inline-color\">Tecnologia Through Glass Via (TGV) <\/mark><\/a>representa um avan\u00e7o cr\u00edtico na engenharia das interliga\u00e7\u00f5es de semicondutores, transformando os substratos de vidro de materiais isolantes passivos em plataformas de interliga\u00e7\u00e3o funcionais de alta densidade.<\/p>\n\n\n\n<p>As suas principais vantagens t\u00e9cnicas incluem:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Capacidade de interconex\u00e3o vertical de alta densidade<\/li>\n\n\n\n<li>Excelente desempenho el\u00e9trico e de RF<\/li>\n\n\n\n<li>Estabilidade dimensional superior<\/li>\n\n\n\n<li>Forte compatibilidade com arquitecturas de embalagem avan\u00e7adas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>De uma perspetiva industrial, o sucesso da implementa\u00e7\u00e3o da TGV depende fortemente da integra\u00e7\u00e3o de sistemas de processamento a laser, equipamento de grava\u00e7\u00e3o a h\u00famido e plataformas avan\u00e7adas de galvanoplastia.<\/p>\n\n\n\n<p>\u00c0 medida que o acondicionamento avan\u00e7ado continua a evoluir para requisitos de maior desempenho e menor perda de sinal, espera-se que o TGV desempenhe um papel cada vez mais importante nos sistemas de integra\u00e7\u00e3o de IA, RF e optoelectr\u00f3nica.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>1. Introduction: Industry Context and Engineering Background In advanced semiconductor packaging, the continuous demand for higher bandwidth, lower signal loss, and improved thermal stability is driving a transition from traditional organic substrates toward more advanced interconnect materials. Based on observed industrial development trends in advanced packaging and substrate manufacturing lines, glass substrates have increasingly demonstrated [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2281,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[24],"tags":[1107,1112,1106,1108,1110,1111,1109,1105,1104,1113],"class_list":["post-2280","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-advanced-semiconductor-packaging","tag-ai-chip-packaging-interposer","tag-glass-interposer-technology","tag-high-aspect-ratio-glass-via","tag-laser-drilling-glass-via-process","tag-rf-glass-substrate-interconnect","tag-tgv-electroplating-system","tag-tgv-manufacturing-process","tag-through-glass-via-technology","tag-wet-bench-tgv-process-equipment"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2280"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2282,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280\/revisions\/2282"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2281"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2280"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2280"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2280"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}