{"id":2112,"date":"2026-04-03T05:44:04","date_gmt":"2026-04-03T05:44:04","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2112"},"modified":"2026-04-03T05:44:13","modified_gmt":"2026-04-03T05:44:13","slug":"silicon-carbide-sic-epitaxy-equipment-and-industry-overview","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/silicon-carbide-sic-epitaxy-equipment-and-industry-overview\/","title":{"rendered":"Vis\u00e3o geral do equipamento de epitaxia de carboneto de sil\u00edcio (SiC) e da ind\u00fastria"},"content":{"rendered":"

A epitaxia de semicondutores refere-se ao processo de crescimento de pel\u00edculas finas monocristalinas em substratos de sil\u00edcio ou de carboneto de sil\u00edcio (SiC). A camada epitaxial partilha a mesma orienta\u00e7\u00e3o cristalina que o substrato e pode ser cultivada utilizando o mesmo material (homoepitaxia) ou materiais diferentes (heteroepitaxia). Para dispositivos de alta frequ\u00eancia e alta pot\u00eancia, o crescimento epitaxial ajuda a otimizar o desempenho do dispositivo: as camadas epitaxiais de alta resistividade proporcionam uma elevada tens\u00e3o de rutura, enquanto os substratos de baixa resistividade reduzem a resist\u00eancia em s\u00e9rie, diminuindo a tens\u00e3o de satura\u00e7\u00e3o. As camadas epitaxiais podem ser dopadas como tipo P ou tipo N, formando jun\u00e7\u00f5es PN que permitem o fluxo de corrente unidirecional, possibilitando a retifica\u00e7\u00e3o. A epitaxia de SiC \u00e9 amplamente aplicada em eletr\u00f3nica de pot\u00eancia, dispositivos de radiofrequ\u00eancia (RF) e aplica\u00e7\u00f5es optoelectr\u00f3nicas.<\/p>\n\n\n\n

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1. Cadeia industrial do SiC e distribui\u00e7\u00e3o de valor<\/h3>\n\n\n\n

A cadeia industrial dos dispositivos de SiC \u00e9 constitu\u00edda por tr\u00eas segmentos principais: substrato, epitaxia e fabrico de dispositivos (conce\u00e7\u00e3o, fabrico e embalagem). As fases de substrato e epitaxia representam cerca de 70% da cadeia de valor, enquanto o processamento a jusante dos dispositivos representa apenas 30%. Este facto contrasta com os dispositivos de sil\u00edcio convencionais, em que o processamento p\u00f3s-wafer \u00e9 respons\u00e1vel pela maior parte dos custos de produ\u00e7\u00e3o. A elevada concentra\u00e7\u00e3o de valor a montante real\u00e7a a import\u00e2ncia estrat\u00e9gica das tecnologias de substrato e epitaxia.<\/p>\n\n\n\n

Segmento de substrato<\/strong> envolve o crescimento de cristais, o corte da bolacha, a retifica\u00e7\u00e3o e o polimento. O crescimento de cristais pode ser conseguido atrav\u00e9s de Transporte F\u00edsico de Vapor (PVT), Deposi\u00e7\u00e3o Qu\u00edmica de Vapor a Alta Temperatura (HTCVD) ou Epitaxia em Fase L\u00edquida (LPE). O corte da bolacha utiliza serras de fio, fio de diamante, laser ou m\u00e9todos de separa\u00e7\u00e3o a frio, enquanto o polimento qu\u00edmico-mec\u00e2nico (CMP) assegura superf\u00edcies planas e sem defeitos, adequadas para o crescimento epitaxial.<\/p>\n\n\n\n

2. Processo de produ\u00e7\u00e3o de substratos de SiC<\/h3>\n\n\n\n
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  1. Crescimento de cristais:<\/strong>\n