{"id":2360,"date":"2026-04-22T07:08:49","date_gmt":"2026-04-22T07:08:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2360"},"modified":"2026-04-22T07:13:29","modified_gmt":"2026-04-22T07:13:29","slug":"ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/product\/ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"System implantacji jonowej Ai350HT o \u015bredniej wi\u0105zce i wysokiej temperaturze do przetwarzania wafli SiC i krzemowych 6\/8 cala"},"content":{"rendered":"

\"SystemWysokotemperaturowy system implantacji jon\u00f3w Ai350HT (Medium Beam) jest przeznaczony do 6-calowych i 8-calowych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnikowych p\u0142ytek krzemowych, a tak\u017ce do zastosowa\u0144 w procesach SiC. Jest to \u015bredniopr\u0105dowy implantator jon\u00f3w opracowany do wysokoenergetycznych i wysokotemperaturowych proces\u00f3w domieszkowania w zaawansowanej produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>\n

System obs\u0142uguje zakres energii od 5 keV do 350 keV, umo\u017cliwiaj\u0105c zar\u00f3wno p\u0142ytk\u0105, jak i g\u0142\u0119bok\u0105 implantacj\u0119. Jest on wyposa\u017cony w wysokotemperaturowy uchwyt elektrostatyczny zdolny do pracy w temperaturze do 500\u00b0C, co pozwala na lepsz\u0105 aktywacj\u0119 domieszek i zmniejszenie uszkodze\u0144 siatki podczas implantacji. W po\u0142\u0105czeniu ze stabiln\u0105 wydajno\u015bci\u0105 wi\u0105zki i wysok\u0105 precyzj\u0105 sterowania, system nadaje si\u0119 zar\u00f3wno do produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na bazie krzemu, jak i p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w z szerokim pasmem wzbronionym.<\/p>\n

\n

Cechy<\/h2>\n

Mo\u017cliwo\u015b\u0107 implantacji w wysokiej temperaturze<\/h3>\n

Wyposa\u017cony w wysokotemperaturowy uchwyt elektrostatyczny obs\u0142uguj\u0105cy temperatur\u0119 do 500\u00b0C, umo\u017cliwiaj\u0105cy lepsz\u0105 wydajno\u015b\u0107 implantacji i aktywacj\u0119 domieszek w zaawansowanych procesach.<\/p>\n

Szeroki zakres energii<\/h3>\n

Zakres energii od 5 do 350 keV pozwala na elastyczn\u0105 implantacj\u0119, od tworzenia p\u0142ytkich po\u0142\u0105cze\u0144 po procesy g\u0142\u0119bokiej implantacji.<\/p>\n

Precyzyjna kontrola wi\u0105zki<\/h3>\n

Zapewnia dok\u0142adn\u0105 wydajno\u015b\u0107 implantacji z dok\u0142adno\u015bci\u0105 k\u0105ta \u2264 0,2\u00b0, r\u00f3wnoleg\u0142o\u015bci\u0105 wi\u0105zki \u2264 0,2\u00b0, jednorodno\u015bci\u0105 \u2264 0,5% i powtarzalno\u015bci\u0105 \u2264 0,5%.<\/p>\n

Stabilna wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/h3>\n

Stabilno\u015b\u0107 wi\u0105zki jest kontrolowana w zakresie 10% na godzin\u0119, zapewniaj\u0105c sta\u0142\u0105 jako\u015b\u0107 procesu podczas d\u0142ugich cykli produkcyjnych.<\/p>\n

\u0179r\u00f3d\u0142o jon\u00f3w o d\u0142ugiej \u017cywotno\u015bci<\/h3>\n

Wyposa\u017cony w \u017ar\u00f3d\u0142o jon\u00f3w metalu Al o \u017cywotno\u015bci \u2265150 godzin, co zmniejsza cz\u0119stotliwo\u015b\u0107 konserwacji i poprawia czas pracy.<\/p>\n

Wysoka przepustowo\u015b\u0107<\/h3>\n

Obs\u0142uguje przepustowo\u015b\u0107 \u2265 200 p\u0142ytek na godzin\u0119, odpowiedni\u0105 dla \u015brodowisk produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>\n

Zaawansowana kompatybilno\u015b\u0107 z procesami<\/h3>\n

Kompatybilny z procesami SiC i konwencjonaln\u0105 produkcj\u0105 p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na bazie krzemu.<\/p>\n

\"\"\"\"<\/p>\n

\n

Kluczowe specyfikacje<\/h2>\n

Parametry procesu<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Rozmiar wafla<\/td>\n6-8 cali<\/td>\n<\/tr>\n
Zakres energii<\/td>\n5-350 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Wszczepione elementy<\/td>\nC, Al, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Zakres dawek<\/td>\n1E11-1E17 jon\u00f3w\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Stabilno\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/td>\n\u2264 10% \/ godzin\u0119 (\u22641 przerwanie wi\u0105zki lub wy\u0142adowanie \u0142ukowe na godzin\u0119)<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00f3wnoleg\u0142o\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Dok\u0142adno\u015b\u0107 implantacji<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Zakres k\u0105ta implantu<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Dok\u0142adno\u015b\u0107 k\u0105ta<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Jednorodno\u015b\u0107 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Powtarzalno\u015b\u0107 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Wydajno\u015b\u0107 systemu<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Przepustowo\u015b\u0107<\/td>\n\u2265 200 wafli na godzin\u0119<\/td>\n<\/tr>\n
Maksymalna temperatura uchwytu<\/td>\n500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Rozmiar sprz\u0119tu<\/td>\n6270 \u00d7 3500 \u00d7 3000 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Poziom pr\u00f3\u017cni<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Wyciek promieniowania rentgenowskiego<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Tryb skanowania<\/td>\nPoziome skanowanie elektrostatyczne + pionowe skanowanie mechaniczne<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Pola aplikacji<\/h2>\n

Produkcja p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w SiC<\/h3>\n

Stosowany w produkcji urz\u0105dze\u0144 z w\u0119glika krzemu wymagaj\u0105cych wysokotemperaturowych proces\u00f3w implantacji jon\u00f3w.<\/p>\n

Przetwarzanie p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na bazie krzemu<\/h3>\n

Ma zastosowanie do produkcji uk\u0142ad\u00f3w CMOS i uk\u0142ad\u00f3w scalonych na 6- i 8-calowych waflach.<\/p>\n

Wysokotemperaturowe procesy implantacji<\/h3>\n

Nadaje si\u0119 do proces\u00f3w wymagaj\u0105cych podwy\u017cszonej temperatury w celu zmniejszenia uszkodze\u0144 kryszta\u0142\u00f3w i poprawy aktywacji domieszek.<\/p>\n

Produkcja urz\u0105dze\u0144 zasilaj\u0105cych<\/h3>\n

Stosowany w p\u00f3\u0142przewodnikowych urz\u0105dzeniach mocy wymagaj\u0105cych g\u0142\u0119bokiej implantacji i proces\u00f3w wysokoenergetycznych.<\/p>\n

Zaawansowana in\u017cynieria materia\u0142owa<\/h3>\n

Wspiera implantacj\u0119 jon\u00f3w w zaawansowanych materia\u0142ach p\u00f3\u0142przewodnikowych i \u015brodowiskach rozwoju proces\u00f3w.<\/p>\n

\n

Cz\u0119sto zadawane pytania<\/h2>\n

1. Jakie rozmiary p\u0142ytek obs\u0142uguje Ai350HT?<\/h3>\n

System obs\u0142uguje 6-calowe i 8-calowe wafle i nadaje si\u0119 zar\u00f3wno do linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na bazie krzemu, jak i SiC.<\/p>\n

2. Jaka jest maksymalna temperatura utrzymywana podczas implantacji?<\/h3>\n

System obs\u0142uguje implantacj\u0119 w wysokiej temperaturze do 500\u00b0C przy u\u017cyciu podgrzewanego uchwytu elektrostatycznego z mechanicznym zaciskiem.<\/p>\n

3. Jakie s\u0105 g\u0142\u00f3wne zalety tego systemu dla proces\u00f3w SiC?<\/h3>\n

System \u0142\u0105czy w sobie mo\u017cliwo\u015b\u0107 pracy w wysokich temperaturach, stabiln\u0105 wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki i kompatybilno\u015b\u0107 z procesami SiC, dzi\u0119ki czemu nadaje si\u0119 do zastosowa\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych o szerokim pa\u015bmie przenoszenia.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Wysokotemperaturowy system implantacji jon\u00f3w Ai350HT (Medium Beam) jest przeznaczony do 6-calowych i 8-calowych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnikowych p\u0142ytek krzemowych, a tak\u017ce do zastosowa\u0144 w procesach SiC. Jest to \u015bredniopr\u0105dowy implantator jon\u00f3w opracowany do wysokoenergetycznych i wysokotemperaturowych proces\u00f3w domieszkowania w zaawansowanej produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>","protected":false},"featured_media":2361,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[1177],"product_tag":[1189,1190,1194,1178,1181,1186,1199,1196,1195,1198],"class_list":{"0":"post-2360","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ion-implantation-equipment","7":"product_tag-6-inch-wafer-equipment","8":"product_tag-8-inch-wafer-processing","9":"product_tag-high-temperature-ion-implantation","10":"product_tag-ion-implantation-system","11":"product_tag-lsi-manufacturing-equipment","12":"product_tag-medium-beam-ion-implanter","13":"product_tag-power-device-fabrication-equipment","14":"product_tag-semiconductor-doping-machine","15":"product_tag-sic-implantation-equipment","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor-equipment","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-gallery-with-no-image","22":"ast-product-tabs-layout-horizontal","24":"first","25":"instock","26":"shipping-taxable","27":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2360","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2360"}],"version-history":[{"count":4,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2360\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2367,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2360\/revisions\/2367"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2361"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2360"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2360"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2360"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2360"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}