{"id":2354,"date":"2026-04-22T06:34:59","date_gmt":"2026-04-22T06:34:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2354"},"modified":"2026-04-22T07:16:34","modified_gmt":"2026-04-22T07:16:34","slug":"ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/product\/ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Wysokotemperaturowy system implantacji jonowej Ai300 (\u015brednia wi\u0105zka) do przetwarzania 12-calowych wafli"},"content":{"rendered":"

\"WysokotemperaturowyWysokotemperaturowy system implantacji jon\u00f3w Ai300 (Medium Beam) jest przeznaczony do 12-calowych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w z wafli krzemowych. Jest to \u015bredniopr\u0105dowy implantator jon\u00f3w opracowany do zaawansowanych proces\u00f3w domieszkowania zar\u00f3wno w zastosowaniach p\u00f3\u0142przewodnikowych opartych na krzemie, jak i szerokim pa\u015bmie, w tym liniach procesowych SiC.<\/p>\n

System obs\u0142uguje zakres energii od 5 keV do 300 keV, umo\u017cliwiaj\u0105c elastyczn\u0105 implantacj\u0119 od p\u0142ytkiego tworzenia po\u0142\u0105cze\u0144 do g\u0142\u0119bokiego domieszkowania. Jest on wyposa\u017cony w wysokotemperaturowy podgrzewany stopie\u0144 waflowy o maksymalnej temperaturze do 400\u00b0C, co pozwala na lepsz\u0105 aktywacj\u0119 domieszek i zmniejszenie uszkodze\u0144 sieci podczas implantacji.<\/p>\n

Dzi\u0119ki stabilnej wydajno\u015bci wi\u0105zki, wysokiej precyzji sterowania i kompatybilno\u015bci z procesami uk\u0142ad\u00f3w scalonych na du\u017c\u0105 skal\u0119, system Ai300 jest odpowiedni dla zaawansowanych \u015brodowisk produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>\n

\n

Cechy<\/h2>\n

Zdolno\u015b\u0107 implantu do pracy w wysokich temperaturach<\/h3>\n

Wyposa\u017cony w podgrzewany stopie\u0144 waflowy obs\u0142uguj\u0105cy temperatury do 400\u00b0C, poprawiaj\u0105cy jako\u015b\u0107 implantacji i wydajno\u015b\u0107 aktywacji domieszek.<\/p>\n

Szeroki zakres energii<\/h3>\n

Zakres energii 5-300 keV obs\u0142uguje zar\u00f3wno p\u0142ytkie, jak i g\u0142\u0119bokie procesy implantacji dla zaawansowanych struktur urz\u0105dze\u0144.<\/p>\n

Precyzyjna kontrola wi\u0105zki<\/h3>\n

Zapewnia wysok\u0105 dok\u0142adno\u015b\u0107 implantacji z dok\u0142adno\u015bci\u0105 k\u0105ta \u2264 0,1\u00b0, r\u00f3wnoleg\u0142o\u015bci\u0105 wi\u0105zki \u2264 0,1\u00b0, jednorodno\u015bci\u0105 \u2264 0,5% i powtarzalno\u015bci\u0105 \u2264 0,5%.<\/p>\n

Wysoka wydajno\u015b\u0107<\/h3>\n

Obs\u0142uguje przepustowo\u015b\u0107 do \u2265 500 p\u0142ytek na godzin\u0119, odpowiedni\u0105 do produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na du\u017c\u0105 skal\u0119.<\/p>\n

Mo\u017cliwo\u015bci zaawansowanego \u017ar\u00f3d\u0142a jon\u00f3w<\/h3>\n

Obs\u0142uguje wiele implantowanych pierwiastk\u00f3w, w tym C, B, P, N, He i Ar, spe\u0142niaj\u0105c r\u00f3\u017cnorodne wymagania procesu p\u00f3\u0142przewodnikowego.<\/p>\n

Zgodno\u015b\u0107 z procesami LSI<\/h3>\n

W pe\u0142ni kompatybilny z procesami produkcji uk\u0142ad\u00f3w scalonych na du\u017c\u0105 skal\u0119 i zaawansowan\u0105 produkcj\u0105 urz\u0105dze\u0144.<\/p>\n

\"\" \"\"<\/p>\n

\n

Kluczowe specyfikacje<\/h2>\n

Parametry procesu<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Rozmiar wafla<\/td>\n12 cali<\/td>\n<\/tr>\n
Zakres energii<\/td>\n5-300 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Wszczepione elementy<\/td>\nC, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Zakres dawek<\/td>\n1E11-1E16 jon\u00f3w\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Stabilno\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/td>\n\u2264 10% \/ godzin\u0119 (\u22641 przerwanie wi\u0105zki lub wy\u0142adowanie \u0142ukowe na godzin\u0119)<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00f3wnoleg\u0142o\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Dok\u0142adno\u015b\u0107 implantacji<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Zakres k\u0105ta implantu<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Dok\u0142adno\u015b\u0107 k\u0105ta<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Jednorodno\u015b\u0107 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Powtarzalno\u015b\u0107 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Wydajno\u015b\u0107 systemu<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Przepustowo\u015b\u0107<\/td>\n\u2265 500 wafli na godzin\u0119<\/td>\n<\/tr>\n
Maksymalna temperatura implantu<\/td>\n400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Rozmiar sprz\u0119tu<\/td>\n6400 \u00d7 3640 \u00d7 3100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Poziom pr\u00f3\u017cni<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Wyciek promieniowania rentgenowskiego<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Tryb skanowania<\/td>\nPoziome skanowanie elektrostatyczne + pionowe skanowanie mechaniczne<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Pola aplikacji<\/h2>\n

Przetwarzanie p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w SiC<\/h3>\n

Stosowany w produkcji urz\u0105dze\u0144 z w\u0119glika krzemu, wspieraj\u0105c procesy implantacji w wysokiej temperaturze wymagane dla materia\u0142\u00f3w o szerokim pa\u015bmie przenoszenia.<\/p>\n

Produkcja p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na bazie krzemu<\/h3>\n

Ma zastosowanie do 12-calowych linii produkcyjnych wafli krzemowych do produkcji CMOS i zaawansowanych uk\u0142ad\u00f3w scalonych.<\/p>\n

Wysokotemperaturowe procesy implantacji<\/h3>\n

Obs\u0142uguje procesy implantacji wymagaj\u0105ce podwy\u017cszonej temperatury wafla w celu zmniejszenia defekt\u00f3w i poprawy aktywacji domieszek.<\/p>\n

Produkcja urz\u0105dze\u0144 zasilaj\u0105cych<\/h3>\n

Nadaje si\u0119 do urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych mocy, w kt\u00f3rych wymagane jest precyzyjne domieszkowanie i implantacja wysokiej energii.<\/p>\n

Zaawansowana produkcja uk\u0142ad\u00f3w scalonych<\/h3>\n

Obs\u0142uguje integracj\u0119 proces\u00f3w LSI z wysok\u0105 precyzj\u0105 i wysok\u0105 przepustowo\u015bci\u0105.<\/p>\n

\n

Cz\u0119sto zadawane pytania<\/h2>\n

1. Jaki rozmiar p\u0142ytek obs\u0142uguje system Ai300?<\/h3>\n

System zosta\u0142 zaprojektowany dla 12-calowych wafli krzemowych i jest odpowiedni dla zaawansowanych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>\n

2. Jaka jest kluczowa zaleta mo\u017cliwo\u015bci implantacji w wysokiej temperaturze?<\/h3>\n

System obs\u0142uguje implantacj\u0119 do 400\u00b0C, co pomaga zmniejszy\u0107 uszkodzenia sieci, poprawi\u0107 aktywacj\u0119 domieszek i zwi\u0119kszy\u0107 og\u00f3ln\u0105 wydajno\u015b\u0107 urz\u0105dzenia.<\/p>\n

3. Jaki poziom precyzji i wydajno\u015bci produkcji zapewnia system?<\/h3>\n

System zapewnia dok\u0142adno\u015b\u0107 k\u0105ta w zakresie 0,1 stopnia, r\u00f3wnoleg\u0142o\u015b\u0107 wi\u0105zki w zakresie 0,1 stopnia oraz jednorodno\u015b\u0107 i powtarzalno\u015b\u0107 w zakresie 0,5 procent, przy przepustowo\u015bci do 500 p\u0142ytek na godzin\u0119.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Wysokotemperaturowy system implantacji jon\u00f3w Ai300 (Medium Beam) jest przeznaczony do 12-calowych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w z wafli krzemowych. Jest to \u015bredniopr\u0105dowy implantator jon\u00f3w opracowany do zaawansowanych proces\u00f3w domieszkowania zar\u00f3wno w zastosowaniach p\u00f3\u0142przewodnikowych opartych na krzemie, jak i szerokim pa\u015bmie, w tym liniach procesowych SiC.<\/p>","protected":false},"featured_media":2357,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[1177],"product_tag":[1160,1194,1178,1181,1186,1197,1196,1185,1195,1198],"class_list":{"0":"post-2354","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ion-implantation-equipment","7":"product_tag-12-inch-wafer-equipment","8":"product_tag-high-temperature-ion-implantation","9":"product_tag-ion-implantation-system","10":"product_tag-lsi-manufacturing-equipment","11":"product_tag-medium-beam-ion-implanter","12":"product_tag-power-semiconductor-processing","13":"product_tag-semiconductor-doping-machine","14":"product_tag-semiconductor-fabrication-equipment","15":"product_tag-sic-implantation-equipment","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor-equipment","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-gallery-with-no-image","22":"ast-product-tabs-layout-horizontal","24":"first","25":"instock","26":"shipping-taxable","27":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2354"}],"version-history":[{"count":5,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2370,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354\/revisions\/2370"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2357"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2354"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2354"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2354"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2354"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}