{"id":2346,"date":"2026-04-22T05:56:29","date_gmt":"2026-04-22T05:56:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2346"},"modified":"2026-04-22T07:25:08","modified_gmt":"2026-04-22T07:25:08","slug":"ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/product\/ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"System implantacji jonowej Ai250 (\u015brednia wi\u0105zka) w temperaturze pokojowej do przetwarzania 6-8-calowych p\u0142ytek krzemowych"},"content":{"rendered":"

\"\"System implantacji jon\u00f3w Ai250 (Medium Beam) jest przeznaczony do 6-calowych i 8-calowych linii do produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w z p\u0142ytek krzemowych. Jest to \u015bredniopr\u0105dowy implantator jon\u00f3w wykorzystywany w zaawansowanych procesach produkcji uk\u0142ad\u00f3w scalonych, zapewniaj\u0105cy stabiln\u0105 wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki, wysok\u0105 dok\u0142adno\u015b\u0107 implantacji i niezawodn\u0105 kontrol\u0119 dawki.<\/p>\n

System obs\u0142uguje zakres energii od 5 keV do 250 keV, umo\u017cliwiaj\u0105c zar\u00f3wno p\u0142ytk\u0105, jak i g\u0142\u0119bok\u0105 implantacj\u0119 jon\u00f3w. Nadaje si\u0119 do szerokiego zakresu proces\u00f3w domieszkowania p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w i jest w pe\u0142ni kompatybilny z wymaganiami produkcyjnymi LSI.<\/p>\n

\n

Cechy<\/h2>\n

Stabilna wydajno\u015b\u0107 \u015bredniej wi\u0105zki<\/h3>\n

Zapewnia stabiln\u0105 moc wi\u0105zki jon\u00f3w podczas d\u0142ugich cykli produkcyjnych, poprawiaj\u0105c sp\u00f3jno\u015b\u0107 procesu i zmniejszaj\u0105c zmienno\u015b\u0107.<\/p>\n

Szeroki zakres energii<\/h3>\n

Zakres energii od 5 do 250 keV zapewnia elastyczne wymagania implantacji dla r\u00f3\u017cnych struktur urz\u0105dze\u0144 i w\u0119z\u0142\u00f3w procesowych.<\/p>\n

Precyzyjna kontrola procesu<\/h3>\n

Zapewnia wysok\u0105 dok\u0142adno\u015b\u0107 implantacji z dok\u0142adno\u015bci\u0105 k\u0105ta \u2264 0,2\u00b0, r\u00f3wnoleg\u0142o\u015bci\u0105 wi\u0105zki \u2264 0,2\u00b0, jednorodno\u015bci\u0105 \u2264 0,5% i powtarzalno\u015bci\u0105 \u2264 0,5%.<\/p>\n

Wysoka przepustowo\u015b\u0107<\/h3>\n

Obs\u0142uguje \u2265 200 wafli na godzin\u0119, nadaje si\u0119 do \u015bredniej i du\u017cej produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>\n

Funkcja implantu wzorcowego<\/h3>\n

Obs\u0142uguje implantacj\u0119 wielostrefow\u0105 i kwadrantow\u0105 na pojedynczym waflu, poprawiaj\u0105c elastyczno\u015b\u0107 procesu i zmniejszaj\u0105c koszty rozwoju.<\/p>\n

Zgodno\u015b\u0107 z procesami LSI<\/h3>\n

Pe\u0142na kompatybilno\u015b\u0107 z procesami produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w LSI.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

Kluczowe specyfikacje<\/h2>\n

Parametry procesu<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Rozmiar wafla<\/td>\nWafle krzemowe 6-8 cali<\/td>\n<\/tr>\n
Zakres energii<\/td>\n5-250 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Wszczepione elementy<\/td>\nB+, P+, As+, Ar+, N+, H+<\/td>\n<\/tr>\n
Zakres dawek<\/td>\n5E11-1E16 jon\u00f3w\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Maksymalny pr\u0105d wi\u0105zki<\/td>\nAr+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nB+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nP+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nN+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Stabilno\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/td>\n\u2264 15% \/ godzin\u0119 (przerwanie wi\u0105zki i wy\u0142adowanie \u0142ukowe \u2264 1 raz na godzin\u0119)<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00f3wnoleg\u0142o\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Dok\u0142adno\u015b\u0107 implantacji<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Zakres k\u0105ta implantu<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Dok\u0142adno\u015b\u0107 k\u0105ta<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Jednorodno\u015b\u0107 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (B+, 2E14, 150 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Powtarzalno\u015b\u0107 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Wydajno\u015b\u0107 systemu<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Pozycja<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Przepustowo\u015b\u0107<\/td>\n\u2265 200 wafli na godzin\u0119<\/td>\n<\/tr>\n
Poziom pr\u00f3\u017cni<\/td>\n< 5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Wyciek promieniowania rentgenowskiego<\/td>\n\u2264 0,6 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Tryb skanowania<\/td>\nPoziome skanowanie elektrostatyczne + pionowe skanowanie mechaniczne<\/td>\n<\/tr>\n
Rozmiar sprz\u0119tu<\/td>\n5600 \u00d7 3300 \u00d7 2600 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Pola aplikacji<\/h2>\n

Produkcja urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych<\/h3>\n

Stosowany w produkcji urz\u0105dze\u0144 logicznych CMOS, zapewniaj\u0105c precyzyjn\u0105 implantacj\u0119 domieszek do tworzenia tranzystor\u00f3w.<\/p>\n

Produkcja uk\u0142ad\u00f3w scalonych<\/h3>\n

Stosowany w LSI i zaawansowanych procesach produkcji uk\u0142ad\u00f3w scalonych wymagaj\u0105cych wysokiej precyzji kontroli domieszkowania.<\/p>\n

Formacja p\u0142ytkiego i g\u0142\u0119bokiego z\u0142\u0105cza<\/h3>\n

Obs\u0142uguje procesy implantacji dla in\u017cynierii \u017ar\u00f3d\u0142a\/drenu i kontroli g\u0142\u0119boko\u015bci z\u0142\u0105cza.<\/p>\n

In\u017cynieria domieszek<\/h3>\n

S\u0142u\u017cy do kontrolowania w\u0142a\u015bciwo\u015bci elektrycznych p\u0142ytek krzemowych poprzez dok\u0142adn\u0105 implantacj\u0119 jon\u00f3w.<\/p>\n

Rozw\u00f3j proces\u00f3w i prace badawczo-rozwojowe<\/h3>\n

Nadaje si\u0119 do opracowywania proces\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnikowych, produkcji pilota\u017cowej i eksperymentalnej produkcji urz\u0105dze\u0144.<\/p>\n

\n

Cz\u0119sto zadawane pytania<\/h2>\n

1. Jakie rozmiary p\u0142ytek obs\u0142uguje Ai250?<\/h3>\n

System obs\u0142uguje 6-calowe i 8-calowe wafle krzemowe i jest odpowiedni dla g\u0142\u00f3wnych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>\n

2. Jaki jest zakres energii systemu?<\/h3>\n

Zakres energii wynosi od 5 keV do 250 keV, wspieraj\u0105c zar\u00f3wno p\u0142ytkie, jak i g\u0142\u0119bokie procesy implantacji do produkcji urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych.<\/p>\n

3. Jaki poziom dok\u0142adno\u015bci procesu zapewnia system?<\/h3>\n

System zapewnia dok\u0142adno\u015b\u0107 k\u0105ta w zakresie 0,2\u00b0, r\u00f3wnoleg\u0142o\u015b\u0107 wi\u0105zki w zakresie 0,2\u00b0 oraz jednorodno\u015b\u0107 i powtarzalno\u015b\u0107 w zakresie 0,5%, zapewniaj\u0105c stabiln\u0105 i wysok\u0105 wydajno\u015b\u0107 produkcji.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

System implantacji jon\u00f3w Ai250 (Medium Beam) jest przeznaczony do 6-calowych i 8-calowych linii do produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w z p\u0142ytek krzemowych. Jest to \u015bredniopr\u0105dowy implantator jon\u00f3w wykorzystywany w zaawansowanych procesach produkcji uk\u0142ad\u00f3w scalonych, zapewniaj\u0105cy stabiln\u0105 wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki, wysok\u0105 dok\u0142adno\u015b\u0107 implantacji i niezawodn\u0105 kontrol\u0119 dawki.<\/p>","protected":false},"featured_media":2347,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[1177],"product_tag":[1189,1190,1191,1193,1178,1192,1186,1185,1188,1187],"class_list":{"0":"post-2346","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ion-implantation-equipment","7":"product_tag-6-inch-wafer-equipment","8":"product_tag-8-inch-wafer-processing","9":"product_tag-cmos-manufacturing-equipment","10":"product_tag-high-current-ion-implantation","11":"product_tag-ion-implantation-system","12":"product_tag-lsi-process-equipment","13":"product_tag-medium-beam-ion-implanter","14":"product_tag-semiconductor-fabrication-equipment","15":"product_tag-semiconductor-implantation-machine","16":"product_tag-silicon-wafer-doping-equipment","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-gallery-with-no-image","22":"ast-product-tabs-layout-horizontal","24":"first","25":"instock","26":"shipping-taxable","27":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2346","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2346"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2346\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2374,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2346\/revisions\/2374"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2347"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2346"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2346"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2346"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2346"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}