{"id":2342,"date":"2026-04-22T05:35:46","date_gmt":"2026-04-22T05:35:46","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&#038;p=2342"},"modified":"2026-04-22T07:27:32","modified_gmt":"2026-04-22T07:27:32","slug":"high-efficiency-ai80hchigh-beam-ion-implantation-equipment-for-advanced-silicon-wafer-doping","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/product\/high-efficiency-ai80hchigh-beam-ion-implantation-equipment-for-advanced-silicon-wafer-doping\/","title":{"rendered":"Wysokowydajny sprz\u0119t do implantacji jon\u00f3w Ai80HC (High Beam) do zaawansowanego domieszkowania p\u0142ytek krzemowych"},"content":{"rendered":"<p data-start=\"153\" data-end=\"528\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"alignright wp-image-2343 size-medium\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-300x300.png\" alt=\"Wysokowydajny sprz\u0119t do implantacji jon\u00f3w Ai80HC (High Beam) do zaawansowanego domieszkowania p\u0142ytek krzemowych\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-300x300.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-150x150.png 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-768x768.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-12x12.png 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-600x600.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-100x100.png 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC.png 1000w\" sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>Ai80HC (High Beam) Ion Implantation Equipment to wysokopr\u0105dowy implantator jon\u00f3w zaprojektowany specjalnie dla 12-calowych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnikowych p\u0142ytek krzemowych. Zosta\u0142 zaprojektowany z my\u015bl\u0105 o zaawansowanych procesach precyzyjnego domieszkowania w nowoczesnej produkcji uk\u0142ad\u00f3w scalonych, zapewniaj\u0105c stabiln\u0105 wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki, wysok\u0105 powtarzalno\u015b\u0107 procesu i doskona\u0142\u0105 dok\u0142adno\u015b\u0107 kontroli dawki.<\/p>\n<p data-start=\"530\" data-end=\"891\">System dzia\u0142a w szerokim zakresie energii od 0,5 keV do 80 keV, umo\u017cliwiaj\u0105c elastyczne warunki implantacji zar\u00f3wno dla p\u0142ytkiej, jak i \u015bredniej g\u0142\u0119boko\u015bci in\u017cynierii po\u0142\u0105cze\u0144. Obs\u0142uguje wiele rodzaj\u00f3w implantacji, w tym \u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b9\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a i \u00b9H\u207a, dzi\u0119ki czemu nadaje si\u0119 do szerokiej gamy proces\u00f3w wytwarzania urz\u0105dze\u0144 CMOS i zaawansowanych urz\u0105dze\u0144 logicznych.<\/p>\n<p data-start=\"893\" data-end=\"1243\">Dzi\u0119ki zakresowi k\u0105ta implantacji od 0\u00b0 do 45\u00b0 i wysokiej dok\u0142adno\u015bci k\u0105ta \u2264 0,1\u00b0, system zapewnia precyzyjn\u0105 kontrol\u0119 dystrybucji domieszek i in\u017cynierii profilu z\u0142\u0105cza. W po\u0142\u0105czeniu z r\u00f3wnoleg\u0142o\u015bci\u0105 wi\u0105zki \u2264 0,3\u00b0 i jednorodno\u015bci\u0105 \u2264 1% (1\u03c3), Ai80HC (High Beam) zapewnia sta\u0142\u0105 stabilno\u015b\u0107 procesu mi\u0119dzy waflami i wewn\u0105trz wafli.<\/p>\n<p data-start=\"1245\" data-end=\"1496\">Zaprojektowany dla wysokowydajnych \u015brodowisk produkcyjnych, system osi\u0105ga przepustowo\u015b\u0107 \u2265 200 wafli na godzin\u0119 (WPH) przy zachowaniu \u015bcis\u0142ej stabilno\u015bci procesu, dzi\u0119ki czemu nadaje si\u0119 do zaawansowanych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w zgodnych z LSI.<\/p>\n<h2 data-section-id=\"12rj9ab\" data-start=\"1101\" data-end=\"1126\">Architektura systemu<\/h2>\n<p data-start=\"1128\" data-end=\"1199\">Ai80HC przyjmuje dojrza\u0142\u0105 i niezawodn\u0105 konstrukcj\u0119 linii wi\u0105zki, sk\u0142adaj\u0105c\u0105 si\u0119 z<\/p>\n<ul data-start=\"1201\" data-end=\"1436\">\n<li data-section-id=\"1kfcth9\" data-start=\"1201\" data-end=\"1215\">\u0179r\u00f3d\u0142o jon\u00f3w<\/li>\n<li data-section-id=\"1r1hm7c\" data-start=\"1216\" data-end=\"1237\">System ekstrakcji<\/li>\n<li data-section-id=\"1twz66q\" data-start=\"1238\" data-end=\"1255\">Analizator masy<\/li>\n<li data-section-id=\"ywuuxz\" data-start=\"1256\" data-end=\"1280\">System soczewek magnetycznych<\/li>\n<li data-section-id=\"1s57tik\" data-start=\"1281\" data-end=\"1302\">Rurka przyspieszaj\u0105ca<\/li>\n<li data-section-id=\"pg1cgy\" data-start=\"1303\" data-end=\"1336\">System skanowania elektrostatycznego<\/li>\n<li data-section-id=\"1iwk7km\" data-start=\"1337\" data-end=\"1367\">Soczewka kszta\u0142tuj\u0105ca wi\u0105zk\u0119 r\u00f3wnoleg\u0142\u0105<\/li>\n<li data-section-id=\"1cur4hx\" data-start=\"1368\" data-end=\"1401\">Komora procesowa (stacja ko\u0144cowa)<\/li>\n<li data-section-id=\"qtlnqu\" data-start=\"1402\" data-end=\"1436\">Kaseta z waflami \/ system \u0142adowania<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"1438\" data-end=\"1458\">Jest wyposa\u017cony w:<\/p>\n<ul data-start=\"1459\" data-end=\"1572\">\n<li data-section-id=\"1jzaueb\" data-start=\"1459\" data-end=\"1494\">Elektrostatyczny stopie\u0144 uchwytu waflowego<\/li>\n<li data-section-id=\"1s8wavu\" data-start=\"1495\" data-end=\"1530\">Technologia \u017ar\u00f3d\u0142a jon\u00f3w o d\u0142ugiej \u017cywotno\u015bci<\/li>\n<li data-section-id=\"6mih95\" data-start=\"1531\" data-end=\"1572\">W pe\u0142ni zautomatyzowany system obs\u0142ugi p\u0142ytek<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"1574\" data-end=\"1686\">Taka architektura zapewnia wysok\u0105 stabilno\u015b\u0107 wi\u0105zki, kr\u00f3tsze przestoje konserwacyjne i lepsz\u0105 powtarzalno\u015b\u0107 procesu.<\/p>\n<p data-start=\"1574\" data-end=\"1686\"><img decoding=\"async\" class=\"aligncenter wp-image-2371 size-large\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-1024x388.png\" alt=\"\" width=\"1024\" height=\"388\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-1024x388.png 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-300x114.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-768x291.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-18x7.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-600x227.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs.png 1216w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/p>\n<h2 data-section-id=\"106914\" data-start=\"1693\" data-end=\"1727\">Kluczowe specyfikacje techniczne<\/h2>\n<table>\n<thead>\n<tr>\n<th>Pozycja<\/th>\n<th>Specyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr>\n<td>Rozmiar wafla<\/td>\n<td>12 cali<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Zakres energii<\/td>\n<td>0,5 - 80 keV<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Wszczepione elementy<\/td>\n<td>\u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b9\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a, \u00b9H\u207a<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>K\u0105t implantu<\/td>\n<td>0\u00b0 - 45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Dok\u0142adno\u015b\u0107 k\u0105ta<\/td>\n<td>\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Zakres dawek<\/td>\n<td>5E11 - 1E17 jon\u00f3w\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Stabilno\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/td>\n<td>\u2264 10% \/ godzin\u0119 (w ci\u0105gu 60 minut; przerwanie wi\u0105zki i wy\u0142adowanie \u0142ukowe \u2264 1 raz)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>R\u00f3wnoleg\u0142o\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/td>\n<td>\u2264 0.3\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Przepustowo\u015b\u0107 (WPH)<\/td>\n<td>\u2265 200 wafli\/godzin\u0119<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Jednorodno\u015b\u0107 (1\u03c3)<\/td>\n<td>\u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Powtarzalno\u015b\u0107 (1\u03c3)<\/td>\n<td>\u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Kompatybilno\u015b\u0107 proces\u00f3w<\/td>\n<td>Kompatybilno\u015b\u0107 z procesem LSI<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2 data-section-id=\"yb78ly\" data-start=\"2475\" data-end=\"2506\">Kluczowe cechy i zalety<\/h2>\n<h3 data-section-id=\"13hha2k\" data-start=\"2508\" data-end=\"2541\">1. Inteligentny system sterowania<\/h3>\n<p data-start=\"2542\" data-end=\"2706\">Wyposa\u017cony w wizualizowan\u0105 i inteligentn\u0105 platform\u0119 oprogramowania, umo\u017cliwiaj\u0105c\u0105 uproszczon\u0105 obs\u0142ug\u0119, szybk\u0105 diagnostyk\u0119 b\u0142\u0119d\u00f3w i wysok\u0105 stabilno\u015b\u0107 systemu podczas produkcji.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"1cy4f9q\" data-start=\"2713\" data-end=\"2740\">2. \u0179r\u00f3d\u0142o jon\u00f3w o d\u0142ugiej \u017cywotno\u015bci<\/h3>\n<p data-start=\"2741\" data-end=\"2863\">Przyjmuje zaawansowan\u0105 konstrukcj\u0119 \u017ar\u00f3d\u0142a jon\u00f3w o \u017cywotno\u015bci \u2265500 godzin, znacznie skracaj\u0105c czas przestoju i koszty konserwacji.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"4euk5j\" data-start=\"2870\" data-end=\"2903\">3. Mo\u017cliwo\u015b\u0107 diagnostyki wi\u0105zki<\/h3>\n<p data-start=\"2904\" data-end=\"2988\">Zintegrowany system pomiaru profilu wi\u0105zki 2D, zdolny do dok\u0142adnego monitorowania:<\/p>\n<ul data-start=\"2989\" data-end=\"3019\">\n<li data-section-id=\"1ct5xfp\" data-start=\"2989\" data-end=\"3003\">Szeroko\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/li>\n<li data-section-id=\"1vm2uvw\" data-start=\"3004\" data-end=\"3019\">Wysoko\u015b\u0107 wi\u0105zki<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"3021\" data-end=\"3092\">Poprawia to dok\u0142adno\u015b\u0107 implantacji i zwi\u0119ksza powtarzalno\u015b\u0107 procesu.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"qq9ajq\" data-start=\"3099\" data-end=\"3132\">4. Wysoka wydajno\u015b\u0107 produkcji<\/h3>\n<p data-start=\"3133\" data-end=\"3310\">Ai80HC zapewnia przepustowo\u015b\u0107 ponad 1,5 razy wy\u017csz\u0105 ni\u017c konwencjonalne systemy, dzi\u0119ki czemu nadaje si\u0119 do \u015brodowisk produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na du\u017c\u0105 skal\u0119.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"1h2ge5m\" data-start=\"3317\" data-end=\"3357\">5. Zaawansowana funkcja implantu wzorcowego<\/h3>\n<p data-start=\"3358\" data-end=\"3429\">Obs\u0142uguje wzorzyst\u0105 implantacj\u0119 jon\u00f3w, umo\u017cliwiaj\u0105c dystrybucj\u0119 dawki:<\/p>\n<ul data-start=\"3430\" data-end=\"3488\">\n<li data-section-id=\"fqh2r6\" data-start=\"3430\" data-end=\"3450\">Regiony ko\u0142owe<\/li>\n<li data-section-id=\"1aoby05\" data-start=\"3451\" data-end=\"3488\">Segmentacja p\u0142ytek oparta na kwadrantach<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"3490\" data-end=\"3502\">Pozwala to na:<\/p>\n<ul data-start=\"3503\" data-end=\"3617\">\n<li data-section-id=\"chxy3y\" data-start=\"3503\" data-end=\"3552\">Wiele warunk\u00f3w procesowych na jednym waflu<\/li>\n<li data-section-id=\"z1xkzj\" data-start=\"3553\" data-end=\"3589\">Ni\u017csze koszty opracowania procesu<\/li>\n<li data-section-id=\"15uh0gh\" data-start=\"3590\" data-end=\"3617\">Zwi\u0119kszona wydajno\u015b\u0107 bada\u0144 i rozwoju<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"3619\" data-end=\"3780\">Przyk\u0142ad: Pojedynczy wafel mo\u017ce jednocze\u015bnie otrzyma\u0107 cztery r\u00f3\u017cne warunki implantacji w czterech kwadrantach, co znacznie przyspiesza optymalizacj\u0119 procesu.<\/p>\n<h2 data-section-id=\"18zz1hm\" data-start=\"3787\" data-end=\"3810\">Zastosowanie<\/h2>\n<ul data-start=\"3812\" data-end=\"4005\">\n<li data-section-id=\"16inq9u\" data-start=\"3812\" data-end=\"3839\">Produkcja urz\u0105dze\u0144 CMOS<\/li>\n<li data-section-id=\"xjegvm\" data-start=\"3840\" data-end=\"3875\">Zaawansowana produkcja uk\u0142ad\u00f3w logicznych<\/li>\n<li data-section-id=\"1xlm3tz\" data-start=\"3876\" data-end=\"3906\">Domieszkowanie p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w mocy<\/li>\n<li data-section-id=\"1ursyu4\" data-start=\"3907\" data-end=\"3959\">Pilota\u017cowe linie p\u00f3\u0142przewodnikowe do bada\u0144 i rozwoju<\/li>\n<li data-section-id=\"1k6v1m6\" data-start=\"3960\" data-end=\"4005\">Produkcja uk\u0142ad\u00f3w scalonych na bazie krzemu<\/li>\n<\/ul>\n<h2 data-section-id=\"1idaiwr\" data-start=\"58\" data-end=\"95\">Cz\u0119sto zadawane pytania (FAQ)<\/h2>\n<h3 data-section-id=\"squ7m7\" data-start=\"97\" data-end=\"166\">1. Do jakiego rozmiaru p\u0142ytek przeznaczony jest system Ai80HC (High Beam)?<\/h3>\n<p data-start=\"167\" data-end=\"381\">System implantacji jonowej Ai80HC (High Beam) jest przeznaczony do 12-calowych linii produkcyjnych wafli krzemowych, dzi\u0119ki czemu nadaje si\u0119 do zaawansowanej produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w i produkcji uk\u0142ad\u00f3w scalonych na du\u017c\u0105 skal\u0119.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"foelcb\" data-start=\"388\" data-end=\"458\">2. Jaki jest zakres energii i mo\u017cliwo\u015bci procesowe tego systemu?<\/h3>\n<p data-start=\"459\" data-end=\"716\">System dzia\u0142a w zakresie energii od 0,5 keV do 80 keV, obs\u0142uguj\u0105c zar\u00f3wno p\u0142ytk\u0105, jak i \u015brednio g\u0142\u0119bok\u0105 implantacj\u0119. Jest kompatybilny z procesami LSI, w tym z tworzeniem p\u0142ytkich po\u0142\u0105cze\u0144 i in\u017cynieri\u0105 \u017ar\u00f3d\u0142a\/drenu w zaawansowanych strukturach urz\u0105dze\u0144.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"jluc3f\" data-start=\"723\" data-end=\"792\">3. Jaki poziom precyzji i stabilno\u015bci zapewnia system?<\/h3>\n<p data-start=\"793\" data-end=\"850\">Ai80HC (High Beam) zapewnia wysok\u0105 sp\u00f3jno\u015b\u0107 procesu dzi\u0119ki:<\/p>\n<ul data-start=\"851\" data-end=\"965\">\n<li data-section-id=\"8ldlzj\" data-start=\"851\" data-end=\"878\">Dok\u0142adno\u015b\u0107 k\u0105ta \u2264 0,1\u00b0<\/li>\n<li data-section-id=\"nyztaj\" data-start=\"879\" data-end=\"905\">Jednorodno\u015b\u0107 (1\u03c3) \u2264 1%<\/li>\n<li data-section-id=\"ai4v3y\" data-start=\"906\" data-end=\"935\">Powtarzalno\u015b\u0107 (1\u03c3) \u2264 1%<\/li>\n<li data-section-id=\"1hjdqzq\" data-start=\"936\" data-end=\"965\">R\u00f3wnoleg\u0142o\u015b\u0107 wi\u0105zki \u2264 0,3\u00b0<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"967\" data-end=\"1069\">Specyfikacje te zapewniaj\u0105 stabiln\u0105 wydajno\u015b\u0107 wafla i wysok\u0105 wydajno\u015b\u0107 produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>System implantacji jon\u00f3w z serii Ai80HC (High Beam) to wysokopr\u0105dowy implantator jon\u00f3w zaprojektowany specjalnie dla 12-calowych linii produkcyjnych p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w z wafli krzemowych. Zosta\u0142 zaprojektowany z my\u015bl\u0105 o zaawansowanych procesach precyzyjnego domieszkowania w nowoczesnej produkcji uk\u0142ad\u00f3w scalonych, zapewniaj\u0105c stabiln\u0105 wydajno\u015b\u0107 wi\u0105zki, wysok\u0105 powtarzalno\u015b\u0107 procesu i doskona\u0142\u0105 dok\u0142adno\u015b\u0107 kontroli dawki.<\/p>","protected":false},"featured_media":2343,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[1177],"product_tag":[1160,1183,1179,1182,1178,1181,1180,1185,1184,890],"class_list":{"0":"post-2342","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ion-implantation-equipment","7":"product_tag-12-inch-wafer-equipment","8":"product_tag-cmos-process-equipment","9":"product_tag-high-current-ion-implanter","10":"product_tag-ion-implantation-machine","11":"product_tag-ion-implantation-system","12":"product_tag-lsi-manufacturing-equipment","13":"product_tag-semiconductor-doping-equipment","14":"product_tag-semiconductor-fabrication-equipment","15":"product_tag-shallow-junction-implantation","16":"product_tag-silicon-wafer-processing","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-gallery-with-no-image","22":"ast-product-tabs-layout-horizontal","24":"first","25":"instock","26":"shipping-taxable","27":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2342","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2342"}],"version-history":[{"count":4,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2342\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2376,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2342\/revisions\/2376"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2343"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2342"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2342"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2342"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2342"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}