{"id":2196,"date":"2026-04-14T06:34:45","date_gmt":"2026-04-14T06:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2196"},"modified":"2026-04-14T06:34:48","modified_gmt":"2026-04-14T06:34:48","slug":"2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/product\/2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"2-calowy wafel z w\u0119glika krzemu 6H-N"},"content":{"rendered":"

\"2-calowy2-calowy wafel z w\u0119glika krzemu 6H-N to monokrystaliczne pod\u0142o\u017ce zaprojektowane zar\u00f3wno do bada\u0144, jak i zastosowa\u0144 na poziomie urz\u0105dze\u0144. Polipropylen 6H charakteryzuje si\u0119 heksagonaln\u0105 struktur\u0105 krystaliczn\u0105, kt\u00f3ra zapewnia stabiln\u0105 przewodno\u015b\u0107 elektryczn\u0105 i dobr\u0105 wydajno\u015b\u0107 termiczn\u0105 w wymagaj\u0105cych warunkach.<\/p>\n

Dzi\u0119ki pa\u015bmie przenoszenia wynosz\u0105cemu oko\u0142o 3,02 eV, 6H-SiC umo\u017cliwia prac\u0119 w \u015brodowiskach, w kt\u00f3rych tradycyjne materia\u0142y krzemowe zawodz\u0105, szczeg\u00f3lnie w warunkach wysokiego napi\u0119cia, wysokiej temperatury i wysokiej cz\u0119stotliwo\u015bci. Dzi\u0119ki temu nadaje si\u0119 do prototypowania urz\u0105dze\u0144 na wczesnym etapie, testowania materia\u0142\u00f3w i produkcji specjalistycznych komponent\u00f3w elektronicznych.<\/p>\n

Wafle ZMSH SiC s\u0105 produkowane przy u\u017cyciu kontrolowanych technik wzrostu kryszta\u0142\u00f3w, aby zapewni\u0107 sta\u0142\u0105 rezystywno\u015b\u0107, nisk\u0105 g\u0119sto\u015b\u0107 defekt\u00f3w i wysok\u0105 jako\u015b\u0107 powierzchni. Parametry te maj\u0105 kluczowe znaczenie dla zapewnienia powtarzalnych wynik\u00f3w eksperymentalnych i stabilnej wydajno\u015bci urz\u0105dzenia.<\/p>\n

Kluczowe cechy<\/h2>\n

Struktura przewodz\u0105ca typu N<\/h3>\n

Wafel jest domieszkowany jako typ N, zapewniaj\u0105c stabilne \u015bcie\u017cki przewodzenia elektron\u00f3w odpowiednie do produkcji urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych i eksperyment\u00f3w z charakterystyk\u0105 elektryczn\u0105.<\/p>\n

Materia\u0142 p\u00f3\u0142przewodnikowy o szerokim pa\u015bmie przenoszenia<\/h3>\n

Z przerw\u0105 pasmow\u0105 ~3,02 eV, SiC obs\u0142uguje znacznie wy\u017csze nat\u0119\u017cenie pola elektrycznego w por\u00f3wnaniu do krzemu, umo\u017cliwiaj\u0105c prac\u0119 przy wysokim napi\u0119ciu i lepsz\u0105 wydajno\u015b\u0107 urz\u0105dzenia.<\/p>\n

Wysoka przewodno\u015b\u0107 cieplna<\/h3>\n

SiC wykazuje doskona\u0142\u0105 przewodno\u015b\u0107 ciepln\u0105, umo\u017cliwiaj\u0105c skuteczne odprowadzanie ciep\u0142a z aktywnych obszar\u00f3w urz\u0105dzenia. Poprawia to niezawodno\u015b\u0107 urz\u0105dzenia i wyd\u0142u\u017ca \u017cywotno\u015b\u0107 operacyjn\u0105 w aplikacjach o du\u017cej mocy.<\/p>\n

Wysoka wytrzyma\u0142o\u015b\u0107 mechaniczna<\/h3>\n

Dzi\u0119ki twardo\u015bci w skali Mohsa wynosz\u0105cej oko\u0142o 9,2, p\u0142ytki SiC oferuj\u0105 du\u017c\u0105 odporno\u015b\u0107 na uszkodzenia mechaniczne, zu\u017cycie powierzchni i napr\u0119\u017cenia powstaj\u0105ce podczas obr\u00f3bki.<\/p>\n

Wysokie zanikaj\u0105ce pole elektryczne<\/h3>\n

Wysokie nat\u0119\u017cenie pola przebicia umo\u017cliwia kompaktowe konstrukcje urz\u0105dze\u0144 przy zachowaniu wysokiej tolerancji napi\u0119cia, dzi\u0119ki czemu SiC jest idealny do zaawansowanej elektroniki mocy.<\/p>\n

Specyfikacja techniczna<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parametr<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Materia\u0142<\/td>\nPojedynczy kryszta\u0142 w\u0119glika krzemu<\/td>\n<\/tr>\n
Marka<\/td>\nZMSH<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n6H-N<\/td>\n<\/tr>\n
\u015arednica<\/td>\n2 cale (50,8 mm)<\/td>\n<\/tr>\n
Grubo\u015b\u0107<\/td>\n350 \u03bcm \/ 650 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Typ przewodno\u015bci<\/td>\nTyp N<\/td>\n<\/tr>\n
Wyko\u0144czenie powierzchni<\/td>\nCMP Polerowana powierzchnia Si<\/td>\n<\/tr>\n
Leczenie twarzy typu C<\/td>\nPolerowane mechanicznie<\/td>\n<\/tr>\n
Chropowato\u015b\u0107 powierzchni<\/td>\nRa < 0,2 nm (powierzchnia Si)<\/td>\n<\/tr>\n
Rezystywno\u015b\u0107<\/td>\n0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Kolor<\/td>\nPrzezroczysty \/ Jasnozielony<\/td>\n<\/tr>\n
Opakowanie<\/td>\nPojedynczy pojemnik na wafle<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

W\u0142a\u015bciwo\u015bci materia\u0142u 6H-SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Nieruchomo\u015b\u0107<\/th>\nWarto\u015b\u0107<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Parametry sieci<\/td>\na = 3,073 \u00c5, c = 15,117 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
Twardo\u015b\u0107 w skali Mohsa<\/td>\n\u2248 9.2<\/td>\n<\/tr>\n
G\u0119sto\u015b\u0107<\/td>\n3,21 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
Wsp\u00f3\u0142czynnik rozszerzalno\u015bci cieplnej<\/td>\n4-5 \u00d710-\u2076 \/K<\/td>\n<\/tr>\n
Wsp\u00f3\u0142czynnik za\u0142amania \u015bwiat\u0142a (750 nm)<\/td>\nn\u2080 = 2,60, n\u2091 = 2,65<\/td>\n<\/tr>\n
Sta\u0142a dielektryczna<\/td>\n\u2248 9.66<\/td>\n<\/tr>\n
Przewodno\u015b\u0107 cieplna<\/td>\n~3,7-3,9 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Pasmo przenoszenia<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Za\u0142amanie pola elektrycznego<\/td>\n3-5 \u00d710\u2076 V\/cm<\/td>\n<\/tr>\n
Pr\u0119dko\u015b\u0107 dryfu nasycenia<\/td>\n2,0 \u00d710\u2075 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Te wewn\u0119trzne w\u0142a\u015bciwo\u015bci fizyczne sprawiaj\u0105, \u017ce 6H-SiC nadaje si\u0119 do zastosowa\u0144 wymagaj\u0105cych stabilnej wydajno\u015bci w ekstremalnych warunkach elektrycznych i termicznych.<\/p>\n

\"2-calowyProces produkcji<\/h2>\n

Wafle monokrystaliczne SiC s\u0105 zazwyczaj produkowane przy u\u017cyciu Metoda fizycznego transportu pary (PVT)<\/strong>, Jest to dojrza\u0142y proces przemys\u0142owy do wzrostu kryszta\u0142\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w o szerokim pa\u015bmie wzbronionym.<\/p>\n

W tym procesie materia\u0142 \u017ar\u00f3d\u0142owy SiC o wysokiej czysto\u015bci jest sublimowany w temperaturze powy\u017cej 2000\u00b0C. Pary s\u0105 transportowane przez dok\u0142adnie kontrolowany gradient termiczny i rekrystalizowane na krysztale zal\u0105\u017ckowym, tworz\u0105c wlewk\u0119 monokrystaliczn\u0105 (boule). Po wzro\u015bcie, bulle s\u0105 przetwarzane na wafle poprzez krojenie, docieranie, polerowanie i czyszczenie.<\/p>\n

W przypadku zastosowa\u0144 w urz\u0105dzeniach, wafle mog\u0105 by\u0107 poddawane dodatkowym Wzrost epitaksjalny metod\u0105 chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD)<\/strong>, co pozwala na precyzyjn\u0105 kontrol\u0119 koncentracji domieszek i grubo\u015bci warstwy. Ten etap jest niezb\u0119dny do produkcji tranzystor\u00f3w MOSFET i diod.<\/p>\n

Zastosowania<\/h2>\n

Elektronika mocy<\/h3>\n

2-calowe p\u0142ytki SiC 6H-N s\u0105 wykorzystywane do opracowywania i prototypowania urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych mocy, w tym diod, struktur MOSFET i modu\u0142\u00f3w mocy. Urz\u0105dzenia te s\u0105 niezb\u0119dne w systemach konwersji energii i obwodach zarz\u0105dzania energi\u0105.<\/p>\n

Elektronika wysokotemperaturowa<\/h3>\n

Materia\u0142y SiC zachowuj\u0105 stabiln\u0105 wydajno\u015b\u0107 elektryczn\u0105 w podwy\u017cszonych temperaturach, dzi\u0119ki czemu nadaj\u0105 si\u0119 do elektroniki lotniczej, przemys\u0142owych system\u00f3w monitorowania i zastosowa\u0144 w infrastrukturze energetycznej.<\/p>\n

Badania i rozw\u00f3j p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w<\/h3>\n

Ze wzgl\u0119du na ich dost\u0119pno\u015b\u0107 i op\u0142acalno\u015b\u0107, 2-calowe wafle s\u0105 szeroko stosowane w laboratoriach uniwersyteckich, instytutach badawczych i pilota\u017cowych \u015brodowiskach produkcyjnych do bada\u0144 materia\u0142owych i eksperyment\u00f3w na urz\u0105dzeniach.<\/p>\n

Optoelektronika i zastosowania specjalne<\/h3>\n

SiC wykazuje r\u00f3wnie\u017c przezroczysto\u015b\u0107 optyczn\u0105 w pewnych zakresach d\u0142ugo\u015bci fal, co pozwala na jego wykorzystanie w specjalistycznych badaniach fotonicznych i optoelektronicznych.<\/p>\n

Zalety\"2-calowy<\/h2>\n

2-calowa platforma wafli SiC zapewnia szereg korzy\u015bci dla bada\u0144 i rozwoju:<\/p>\n

    \n
  • Ni\u017cszy koszt w por\u00f3wnaniu z wi\u0119kszymi rozmiarami p\u0142ytek<\/li>\n
  • \u0141atwiejsza obs\u0142uga w eksperymentach laboratoryjnych<\/li>\n
  • Nadaje si\u0119 do szybkiego prototypowania i testowania proces\u00f3w<\/li>\n
  • Stabilna jako\u015b\u0107 kryszta\u0142\u00f3w dla powtarzalnych wynik\u00f3w<\/li>\n
  • Elastyczne opcje dostosowywania do potrzeb badawczych<\/li>\n<\/ul>\n

    FAQ<\/h2>\n

    P1: Jaka jest r\u00f3\u017cnica mi\u0119dzy 6H-SiC a 4H-SiC?<\/h3>\n

    6H-SiC i 4H-SiC to r\u00f3\u017cne rodzaje kryszta\u0142\u00f3w. 4H-SiC generalnie oferuje wy\u017csz\u0105 mobilno\u015b\u0107 elektron\u00f3w i jest szeroko stosowany w komercyjnych urz\u0105dzeniach zasilaj\u0105cych, podczas gdy 6H-SiC zapewnia stabilne zachowanie elektryczne i jest powszechnie stosowany w badaniach i specyficznych zastosowaniach elektronicznych.<\/p>\n

    P2: Jaka obr\u00f3bka powierzchni jest stosowana na waflu?<\/h3>\n

    Powierzchnia Si jest polerowana za pomoc\u0105 chemicznego polerowania mechanicznego (CMP) w celu uzyskania bardzo g\u0142adkiej powierzchni (Ra < 0,2 nm). Powierzchnia C jest polerowana mechanicznie, aby spe\u0142ni\u0107 r\u00f3\u017cne wymagania przetwarzania.<\/p>\n

    P3: Czy specyfikacje p\u0142ytek mo\u017cna dostosowa\u0107?<\/h3>\n

    Tak. ZMSH zapewnia opcje dostosowywania, w tym grubo\u015b\u0107, st\u0119\u017cenie domieszkowania, zakres rezystywno\u015bci i przygotowanie powierzchni zgodnie z wymaganiami klienta.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    ZMSH dostarcza wysokiej jako\u015bci 2-calowe p\u0142ytki 6H-N z w\u0119glika krzemu (SiC) przeznaczone do bada\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych, rozwoju elektroniki mocy i produkcji wysokowydajnych urz\u0105dze\u0144 elektronicznych. W\u0119glik krzemu jest materia\u0142em p\u00f3\u0142przewodnikowym o szerokim pa\u015bmie przenoszenia, kt\u00f3ry oferuje doskona\u0142e w\u0142a\u015bciwo\u015bci elektryczne, termiczne i mechaniczne w por\u00f3wnaniu z konwencjonalnymi pod\u0142o\u017cami krzemowymi (Si).<\/p>","protected":false},"featured_media":2197,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[966,970,971,967,969,931,972,968,951,950,927,692,973],"class_list":{"0":"post-2196","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-2-inch-sic-wafer","8":"product_tag-350m-sic-wafer","9":"product_tag-650m-sic-wafer","10":"product_tag-6h-n-sic-substrate","11":"product_tag-cmp-polished-sic-wafer","12":"product_tag-n-type-sic-wafer","13":"product_tag-power-electronics-substrate","14":"product_tag-sic-single-crystal-wafer","15":"product_tag-sic-wafer-manufacturer","16":"product_tag-sic-wafer-supplier","17":"product_tag-silicon-carbide-wafer","18":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","19":"product_tag-zmsh-sic-wafer","20":"desktop-align-left","21":"tablet-align-left","22":"mobile-align-left","23":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","24":"ast-product-tabs-layout-horizontal","26":"first","27":"instock","28":"shipping-taxable","29":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2196"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2202,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196\/revisions\/2202"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2197"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2196"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2196"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2196"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2196"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}