{"id":2021,"date":"2026-03-27T01:46:43","date_gmt":"2026-03-27T01:46:43","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2021"},"modified":"2026-03-27T01:46:45","modified_gmt":"2026-03-27T01:46:45","slug":"high-precision-wafer-bonding-equipment-for-si-si-sic-sic-heterogeneous-integration","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/product\/high-precision-wafer-bonding-equipment-for-si-si-sic-sic-heterogeneous-integration\/","title":{"rendered":"Precyzyjny sprz\u0119t do klejenia wafli dla Si-Si, SiC-SiC i integracji heterogenicznej"},"content":{"rendered":"

Wafer Bonding Equipment to wysokowydajny system zaprojektowany do zaawansowanego pakowania p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, produkcji MEMS i integracji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w trzeciej generacji. Obs\u0142uguje wafle od 2 do 12 cali i umo\u017cliwia bezpo\u015brednie \u0142\u0105czenie w temperaturze pokojowej oraz \u0142\u0105czenie hydrofilowe, dzi\u0119ki czemu szczeg\u00f3lnie nadaje si\u0119 do \u0142\u0105czenia Si-Si, SiC-SiC i materia\u0142\u00f3w heterogenicznych (Si-SiC, GaN, Sapphire itp.).<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

Zaprojektowany zar\u00f3wno dla \u015brodowisk badawczo-rozwojowych, jak i produkcji masowej, system integruje ultraprecyzyjne wyr\u00f3wnanie, kontrol\u0119 ci\u015bnienia i temperatury w zamkni\u0119tej p\u0119tli oraz ultra-wysokopr\u00f3\u017cniowe warunki \u0142\u0105czenia, zapewniaj\u0105c wysok\u0105 si\u0142\u0119 wi\u0105zania, doskona\u0142\u0105 jednorodno\u015b\u0107 interfejsu i nisk\u0105 g\u0119sto\u015b\u0107 defekt\u00f3w.<\/p>\n

Kluczowe cechy<\/span><\/h1>\n

\"\"1. Zaawansowana technologia \u0142\u0105czenia w temperaturze pokojowej<\/span><\/h3>\n
    \n
  • Eliminuje napr\u0119\u017cenia termiczne i wypaczenia wafli<\/li>\n
  • Umo\u017cliwia \u0142\u0105czenie wra\u017cliwych na temperatur\u0119 i odmiennych materia\u0142\u00f3w<\/li>\n
  • Obs\u0142uguje wi\u0105zanie hydrofilowe i wi\u0105zanie aktywowane plazm\u0105<\/li>\n<\/ul>\n

    2. Niezwykle precyzyjne osiowanie<\/span><\/h3>\n
      \n
    • Dok\u0142adno\u015b\u0107 wyr\u00f3wnania znacznik\u00f3w: \u2264 \u00b12 \u03bcm<\/li>\n
    • Dok\u0142adno\u015b\u0107 wyr\u00f3wnania kraw\u0119dzi: \u2264 \u00b150 \u03bcm<\/li>\n
    • Opcjonalna aktualizacja do submikronowego systemu osiowania<\/li>\n<\/ul>\n

      3. Wysoka si\u0142a wi\u0105zania i jako\u015b\u0107 interfejsu<\/span><\/h3>\n
        \n
      • \u2265 2,0 J\/m\u00b2 (bezpo\u015brednie wi\u0105zanie Si-Si w temperaturze pokojowej)<\/li>\n
      • Do \u22655 J\/m\u00b2 przy aktywacji powierzchni plazm\u0105<\/li>\n
      • Doskona\u0142a czysto\u015b\u0107 interfejsu w warunkach UHV<\/li>\n<\/ul>\n

        4. Szeroka kompatybilno\u015b\u0107 materia\u0142owa<\/span><\/h3>\n

        Obs\u0142uguje \u0142\u0105czenie:<\/p>\n

          \n
        • P\u00f3\u0142przewodniki: Si, SiC, GaN, GaAs, InP<\/li>\n
        • Materia\u0142y optyczne: Szafir, Szk\u0142o<\/li>\n
        • Materia\u0142y funkcjonalne: LiNbO\u2083, Diament<\/li>\n<\/ul>\n

          5. Elastyczne mo\u017cliwo\u015bci procesowe<\/span><\/h3>\n
            \n
          • Rozmiar wafla: 2\u2033 - 12\u2033<\/li>\n
          • Kompatybilno\u015b\u0107 z pr\u00f3bkami o nieregularnych kszta\u0142tach<\/li>\n
          • Modu\u0142y opcjonalne: podgrzewanie wst\u0119pne \/ wy\u017carzanie (RT-500\u00b0C)<\/li>\n<\/ul>\n

            Specyfikacja techniczna<\/span><\/h1>\n
            \n
            \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
            Parametr<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
            Metody \u0142\u0105czenia<\/td>\n\u0141\u0105czenie bezpo\u015brednie \/ \u0142\u0105czenie aktywowane plazm\u0105<\/td>\n<\/tr>\n
            Rozmiar wafla<\/td>\n2\u2033 - 12\u2033<\/td>\n<\/tr>\n
            Zakres ci\u015bnienia<\/td>\n0 - 10 MPa<\/td>\n<\/tr>\n
            Maksymalna si\u0142a<\/td>\n100 kN<\/td>\n<\/tr>\n
            Zakres temperatur<\/td>\nTemperatura pokojowa - 500\u00b0C (opcjonalnie)<\/td>\n<\/tr>\n
            Poziom pr\u00f3\u017cni<\/td>\n\u2264 5 \u00d7 10-\u2076 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
            Dok\u0142adno\u015b\u0107 wyr\u00f3wnania<\/td>\n\u2264 \u00b12 \u03bcm (Mark), \u2264 \u00b150 \u03bcm (Edge)<\/td>\n<\/tr>\n
            Si\u0142a wi\u0105zania<\/td>\n\u2265 2,0 J\/m\u00b2 (RT Si-Si)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

            \"\"Inteligentny system sterowania<\/span><\/h1>\n
              \n
            • Przemys\u0142owy ekran dotykowy HMI<\/li>\n
            • Obs\u0142uga przechowywania ponad 50 receptur proces\u00f3w<\/li>\n
            • Sterowanie w p\u0119tli zamkni\u0119tej ci\u015bnienie-temperatura w czasie rzeczywistym<\/li>\n
            • Stabilna i powtarzalna wydajno\u015b\u0107 procesu<\/li>\n<\/ul>\n

              Bezpiecze\u0144stwo i niezawodno\u015b\u0107<\/span><\/h1>\n
                \n
              • Potr\u00f3jna ochrona przed blokad\u0105 (ci\u015bnienie\/temperatura\/pr\u00f3\u017cnia)<\/li>\n
              • System zatrzymania awaryjnego<\/li>\n
              • Zaprojektowany z my\u015bl\u0105 o zgodno\u015bci z pomieszczeniami czystymi klasy 100<\/li>\n<\/ul>\n

                Konfiguracje opcjonalne<\/span><\/h1>\n
                  \n
                • Zrobotyzowany system obs\u0142ugi p\u0142ytek<\/li>\n
                • Interfejs komunikacyjny SECS\/GEM (gotowy do integracji z fabryk\u0105)<\/li>\n
                • Modu\u0142 inspekcji inline<\/li>\n
                • Jednostka aktywacji powierzchni plazmowej<\/li>\n<\/ul>\n

                  Typowe zastosowania<\/span><\/h1>\n

                  1. Opakowanie MEMS<\/span><\/h3>\n

                  Hermetyczne uszczelnienie czujnik\u00f3w, takich jak akcelerometry i \u017cyroskopy<\/p>\n

                  2. Integracja uk\u0142ad\u00f3w scalonych 3D<\/span><\/h3>\n

                  Uk\u0142adanie wafli dla TSV i zaawansowanego pakowania<\/p>\n

                  3. Z\u0142o\u017cone urz\u0105dzenia p\u00f3\u0142przewodnikowe<\/span><\/h3>\n

                  \u0141\u0105czenie i przenoszenie warstw w urz\u0105dzeniach zasilaj\u0105cych GaN\/SiC<\/p>\n

                  4. Czujniki obrazu CMOS (CIS)<\/span><\/h3>\n

                  Niskotemperaturowe \u0142\u0105czenie p\u0142ytek CMOS i pod\u0142o\u017cy optycznych<\/p>\n

                  5. Biochipy i mikrofluidy<\/span><\/h3>\n

                  Niezawodne \u0142\u0105czenie dla urz\u0105dze\u0144 typu lab-on-chip<\/p>\n

                  Przyk\u0142ad procesu<\/span><\/h1>\n

                  LiNbO\u2083 - klejenie p\u0142ytek SiC (temperatura pokojowa)<\/p>\n

                    \n
                  • Zapewnia mocne i jednolite po\u0142\u0105czenie<\/li>\n
                  • Zweryfikowane przez przekrojowe obrazowanie TEM<\/li>\n
                  • Nadaje si\u0119 do zastosowa\u0144 o wysokiej cz\u0119stotliwo\u015bci i optoelektronicznych<\/li>\n<\/ul>\n

                    PYTANIA I ODPOWIEDZI<\/span><\/h1>\n

                    P1: Dlaczego warto wybra\u0107 klejenie p\u0142ytek w temperaturze pokojowej zamiast klejenia termicznego?<\/span><\/h3>\n

                    \u0141\u0105czenie w temperaturze pokojowej pozwala unikn\u0105\u0107 niedopasowania termicznego i napr\u0119\u017ce\u0144, dzi\u0119ki czemu idealnie nadaje si\u0119 do materia\u0142\u00f3w heterogenicznych i poprawia wydajno\u015b\u0107 w zaawansowanych opakowaniach.<\/p>\n

                    P2: Jakie materia\u0142y mog\u0105 by\u0107 klejone?<\/span><\/h3>\n

                    System obs\u0142uguje szerok\u0105 gam\u0119 materia\u0142\u00f3w, w tym:<\/p>\n

                      \n
                    • P\u00f3\u0142przewodniki: Si, SiC, GaN<\/li>\n
                    • Tlenki: SiO\u2082, LiNbO\u2083<\/li>\n
                    • Metale: Cu, Au<\/li>\n<\/ul>\n

                      Dlaczego warto wybra\u0107 ten system<\/span><\/h1>\n
                        \n
                      • Sprawdzona wydajno\u015b\u0107 w produkcji urz\u0105dze\u0144 SiC<\/li>\n
                      • Zweryfikowana si\u0142a wi\u0105zania poprzez testy laboratoryjne i analiz\u0119 TEM<\/li>\n
                      • Zaprojektowany zar\u00f3wno dla instytut\u00f3w badawczych, jak i fabryk przemys\u0142owych<\/li>\n
                      • Modu\u0142owa architektura zapewnia d\u0142ugoterminow\u0105 skalowalno\u015b\u0107 i mo\u017cliwo\u015b\u0107 rozbudowy<\/li>\n<\/ul>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                        Wafer Bonding Equipment to wysokowydajny system zaprojektowany do zaawansowanego pakowania p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, produkcji MEMS i integracji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w trzeciej generacji.<\/p>","protected":false},"featured_media":2024,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[23],"product_tag":[599,601,610,604,596,608,593,606,600,597,592,605,598,609,594,603,595,602,607,591],"class_list":{"0":"post-2021","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-bonding-machine","7":"product_tag-2-12-inch-wafer-bonding","8":"product_tag-3d-ic-integration","9":"product_tag-advanced-wafer-bonding-technology","10":"product_tag-gan-wafer-bonding","11":"product_tag-heterogeneous-wafer-bonding","12":"product_tag-high-precision-alignment-wafer-bonding","13":"product_tag-hydrophilic-bonding","14":"product_tag-linbo3-bonding","15":"product_tag-mems-wafer-bonding","16":"product_tag-plasma-activated-bonding","17":"product_tag-room-temperature-wafer-bonding","18":"product_tag-sapphire-wafer-bonding","19":"product_tag-semiconductor-bonding-system","20":"product_tag-semiconductor-packaging-equipment","21":"product_tag-si-si-bonding","22":"product_tag-sic-power-devices","23":"product_tag-sic-sic-bonding","24":"product_tag-tsv-bonding","25":"product_tag-ultra-high-vacuum-bonding","26":"product_tag-wafer-bonding-equipment","27":"desktop-align-left","28":"tablet-align-left","29":"mobile-align-left","30":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","31":"ast-product-tabs-layout-horizontal","33":"first","34":"instock","35":"shipping-taxable","36":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2021","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2021"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2021\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2029,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2021\/revisions\/2029"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2024"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2021"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2021"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2021"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2021"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}