{"id":1968,"date":"2026-03-23T06:01:20","date_gmt":"2026-03-23T06:01:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=1968"},"modified":"2026-03-23T06:03:52","modified_gmt":"2026-03-23T06:03:52","slug":"lpcvd-oxidation-furnace","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/product\/lpcvd-oxidation-furnace\/","title":{"rendered":"6\/8\/12-calowy piec utleniaj\u0105cy LPCVD o wysokiej jednorodno\u015bci osadzania cienkich warstw dla zaawansowanej produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w"},"content":{"rendered":"

6\/8\/12-calowy piec do utleniania LPCVD to najnowocze\u015bniejsze narz\u0119dzie do produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, zaprojektowane do precyzyjnego i jednolitego osadzania cienkich warstw. Jest szeroko stosowany do wytwarzania wysokiej jako\u015bci warstw polikrzemu, azotku krzemu i tlenku krzemu na waflach, zapewniaj\u0105c sta\u0142\u0105 wydajno\u015b\u0107 p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w mocy, zaawansowanych pod\u0142o\u017cy i innych precyzyjnych zastosowa\u0144.<\/p>\n

Sprz\u0119t ten \u0142\u0105czy w sobie zaawansowan\u0105 technologi\u0119 osadzania niskoci\u015bnieniowego, inteligentn\u0105 kontrol\u0119 temperatury i ultra-czyst\u0105 konstrukcj\u0119 procesu, aby osi\u0105gn\u0105\u0107 wyj\u0105tkow\u0105 jednorodno\u015b\u0107 cienkiej warstwy i wysok\u0105 przepustowo\u015b\u0107. Pionowa konfiguracja reaktora umo\u017cliwia wydajne przetwarzanie wsadowe, a proces osadzania termicznego pozwala unikn\u0105\u0107 uszkodze\u0144 spowodowanych plazm\u0105, dzi\u0119ki czemu idealnie nadaje si\u0119 do krytycznych proces\u00f3w, takich jak tworzenie dielektryk\u00f3w bramek, warstw buforuj\u0105cych napr\u0119\u017cenia i tlenk\u00f3w ochronnych.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

G\u0142\u00f3wne zalety<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • Wysoka jednorodno\u015b\u0107 osadzania cienkowarstwowego:<\/strong> \u015arodowisko o niskim ci\u015bnieniu (0,1-10 Torr) zapewnia jednorodno\u015b\u0107 mi\u0119dzy waflami i w obr\u0119bie wafli \u00b11,5%, co ma kluczowe znaczenie dla wysokowydajnej produkcji urz\u0105dze\u0144.<\/li>\n
  • Konstrukcja reaktora pionowego:<\/strong> Obs\u0142uguje 150-200 p\u0142ytek na parti\u0119, poprawiaj\u0105c przepustowo\u015b\u0107 i wydajno\u015b\u0107 produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na skal\u0119 przemys\u0142ow\u0105.<\/li>\n
  • Proces osadzania termicznego (500-900\u00b0C):<\/strong> Zapewnia delikatne, wolne od plazmy osadzanie w celu ochrony wra\u017cliwych pod\u0142o\u017cy i utrzymania wysokiej jako\u015bci folii.<\/li>\n
  • Inteligentna kontrola temperatury:<\/strong> Monitorowanie i regulacja w czasie rzeczywistym z dok\u0142adno\u015bci\u0105 \u00b11\u00b0C zapewnia stabilne, powtarzalne wyniki.<\/li>\n
  • Ultra czysta komora procesowa:<\/strong> Minimalizuje zanieczyszczenie cz\u0105steczkami, wspieraj\u0105c SiC i inne zaawansowane materia\u0142y waflowe.<\/li>\n
  • Mo\u017cliwo\u015b\u0107 dostosowania konfiguracji:<\/strong> Elastyczna konstrukcja spe\u0142nia r\u00f3\u017cne wymagania procesowe, w tym utlenianie na sucho lub mokro oraz r\u00f3\u017cne rozmiary p\u0142ytek.<\/li>\n<\/ul>\n

    Specyfikacja techniczna<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
    \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
    Cecha<\/th>\nSpecyfikacja<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Rozmiar wafla<\/td>\n6\/8\/12 Cal<\/td>\n<\/tr>\n
    Kompatybilne materia\u0142y<\/td>\nPolikrzem, azotek krzemu, tlenek krzemu<\/td>\n<\/tr>\n
    Typ utleniania<\/td>\nSuchy tlen \/ mokry tlen (DCE, HCL)<\/td>\n<\/tr>\n
    Zakres temperatury procesu<\/td>\n500\u00b0C-900\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Strefa sta\u0142ej temperatury<\/td>\n\u2265800 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    Dok\u0142adno\u015b\u0107 kontroli temperatury<\/td>\n\u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Kontrola cz\u0105stek<\/td>\n0,32 \u03bcm), 0,32 \u03bcm), 0,226 \u03bcm)<\/td>\n<\/tr>\n
    Grubo\u015b\u0107 folii<\/td>\nNIT1500 \u00b150 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
    Jednolito\u015b\u0107<\/td>\nW obr\u0119bie wafla <2,5%, mi\u0119dzy waflami <2,5%, mi\u0119dzy partiami <2%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Cechy produktu<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    • Zautomatyzowana obs\u0142uga wafli zapewnia wysokie bezpiecze\u0144stwo i wydajno\u015b\u0107 operacyjn\u0105.<\/li>\n
    • Ultra czysta komora procesowa zmniejsza ryzyko zanieczyszczenia i utrzymuje sta\u0142\u0105 jako\u015b\u0107 folii.<\/li>\n
    • Doskona\u0142a jednorodno\u015b\u0107 grubo\u015bci pow\u0142oki wspiera zaawansowan\u0105 produkcj\u0119 w\u0119z\u0142\u00f3w.<\/li>\n
    • Inteligentna kontrola temperatury i ci\u015bnienia w czasie rzeczywistym umo\u017cliwia precyzyjn\u0105 regulacj\u0119 procesu.<\/li>\n
    • Wspornik wafla SiC zmniejsza tarcie i generowanie cz\u0105stek, wyd\u0142u\u017caj\u0105c \u017cywotno\u015b\u0107 wafla.<\/li>\n
    • Modu\u0142owa konstrukcja umo\u017cliwia dostosowanie do r\u00f3\u017cnych zastosowa\u0144 i potrzeb procesowych.<\/li>\n<\/ul>\n

      Zasada procesu osadzania\"\"<\/strong><\/span><\/h2>\n
        \n
      1. Wprowadzenie do gazu:<\/strong> Gazy reakcyjne s\u0105 wprowadzane do rury w warunkach niskiego ci\u015bnienia (0,25-1 Torr).<\/li>\n
      2. Dyfuzja powierzchniowa:<\/strong> Cz\u0105steczki swobodnie dyfunduj\u0105 po powierzchni wafla, zapewniaj\u0105c jednolite pokrycie.<\/li>\n
      3. Adsorpcja:<\/strong> Reagenty przylegaj\u0105 do powierzchni p\u0142ytki przed reakcj\u0105 chemiczn\u0105.<\/li>\n
      4. Reakcja chemiczna:<\/strong> Rozk\u0142ad termiczny tworzy po\u017c\u0105dan\u0105 cienk\u0105 warstw\u0119 bezpo\u015brednio na pod\u0142o\u017cu.<\/li>\n
      5. Usuwanie produkt\u00f3w ubocznych:<\/strong> Gazy niereaktywne s\u0105 odprowadzane, aby zachowa\u0107 czysto\u015b\u0107 i zapobiec zak\u0142\u00f3ceniom.<\/li>\n
      6. Formacja filmowa:<\/strong> Produkty reakcji stopniowo gromadz\u0105 si\u0119, tworz\u0105c jednolit\u0105, stabiln\u0105 warstw\u0119 cienkowarstwow\u0105.<\/li>\n<\/ol>\n

        Zastosowania<\/strong><\/span><\/h2>\n
          \n
        • Ekranuj\u0105ca warstwa tlenkowa:<\/strong> Chroni wafle krzemowe przed zanieczyszczeniem i zmniejsza kana\u0142owanie jon\u00f3w podczas proces\u00f3w domieszkowania.<\/li>\n<\/ul>\n

          \"\"<\/p>\n

            \n
          • Warstwa Pad Oxide:<\/strong> Dzia\u0142a jako bufor napr\u0119\u017ce\u0144 mi\u0119dzy warstwami krzemu i azotku krzemu, zapobiegaj\u0105c p\u0119kaniu p\u0142ytek i poprawiaj\u0105c wydajno\u015b\u0107.<\/li>\n<\/ul>\n

            \"\"<\/p>\n

              \n
            • Warstwa tlenku bramy:<\/strong> Stanowi warstw\u0119 dielektryczn\u0105 w strukturach MOS, zapewniaj\u0105c precyzyjne przewodzenie pr\u0105du i kontrol\u0119 efektu polowego.<\/li>\n<\/ul>\n

              \"\"<\/p>\n

              Konfiguracje systemu<\/strong><\/span><\/h2>\n
                \n
              • Pionowe LPCVD:<\/strong> Gazy procesowe przep\u0142ywaj\u0105 od g\u00f3ry do do\u0142u, zapewniaj\u0105c r\u00f3wnomierne osadzanie na wszystkich waflach w partii.<\/li>\n<\/ul>\n

                \"\"<\/p>\n

                  \n
                • Poziome LPCVD:<\/strong> Gazy przep\u0142ywaj\u0105 wzd\u0142u\u017c d\u0142ugo\u015bci substrat\u00f3w, co nadaje si\u0119 do ci\u0105g\u0142ej, wysokonak\u0142adowej produkcji, chocia\u017c grubo\u015b\u0107 osadzania mo\u017ce si\u0119 nieznacznie r\u00f3\u017cni\u0107 w pobli\u017cu strony wlotowej.<\/li>\n<\/ul>\n

                  \"\"<\/p>\n

                  Cz\u0119sto zadawane pytania<\/strong><\/span><\/h2>\n

                  P1: Do czego g\u0142\u00f3wnie wykorzystywana jest technologia LPCVD?<\/strong>
                  O: LPCVD to niskoci\u015bnieniowy proces osadzania cienkich warstw szeroko stosowany w produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w do osadzania polikrzemu, azotku krzemu i tlenku krzemu, umo\u017cliwiaj\u0105cy tworzenie jednolitych i wysokiej jako\u015bci warstw do produkcji zaawansowanych urz\u0105dze\u0144.<\/p>\n

                  P2: Czym r\u00f3\u017cni si\u0119 LPCVD od PECVD?<\/strong>
                  O: LPCVD opiera si\u0119 na aktywacji termicznej pod niskim ci\u015bnieniem w celu wytworzenia folii o wysokiej czysto\u015bci, podczas gdy PECVD wykorzystuje plazm\u0119 w ni\u017cszych temperaturach do szybszego osadzania, cz\u0119sto przy nieco ni\u017cszej jako\u015bci folii.<\/p>\n

                  P3: Jakie rozmiary p\u0142ytek i materia\u0142y s\u0105 kompatybilne z tym piecem do utleniania LPCVD?<\/strong>
                  O: Ten piec obs\u0142uguje 6-, 8- i 12-calowe wafle i jest kompatybilny z polikrzemem, azotkiem krzemu, tlenkiem krzemu i waflami SiC, zapewniaj\u0105c elastyczno\u015b\u0107 w r\u00f3\u017cnych zastosowaniach p\u00f3\u0142przewodnikowych.<\/p>\n

                  P4: Czy piec do utleniania LPCVD mo\u017cna dostosowa\u0107 do okre\u015blonych proces\u00f3w?<\/strong>
                  O: Tak, system oferuje modu\u0142owe konfiguracje, w tym regulowane strefy temperatury, kontrol\u0119 przep\u0142ywu gazu i tryby utleniania (na sucho lub mokro), dzi\u0119ki czemu mo\u017ce spe\u0142nia\u0107 r\u00f3\u017cnorodne wymagania procesowe zar\u00f3wno w badaniach, jak i produkcji na skal\u0119 przemys\u0142ow\u0105.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                  6\/8\/12-calowy piec do utleniania LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) to najnowocze\u015bniejsze narz\u0119dzie do produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, zaprojektowane do precyzyjnego i jednolitego osadzania cienkich warstw. Jest szeroko stosowany do wytwarzania wysokiej jako\u015bci warstw polikrzemu, azotku krzemu i tlenku krzemu na waflach, zapewniaj\u0105c sta\u0142\u0105 wydajno\u015b\u0107 p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w mocy, zaawansowanych pod\u0142o\u017cy i innych precyzyjnych zastosowa\u0144.<\/p>","protected":false},"featured_media":1969,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[15],"product_tag":[468,485,488,480,484,479,476,469,477,470,481,472,110,475,482,102,473,474,486,471,487,478,483],"class_list":{"0":"post-1968","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-crystal-growth-furnace","7":"product_tag-6-8-12-inch-lpcvd-oxidation-furnace","8":"product_tag-automated-wafer-handling","9":"product_tag-customizable-lpcvd","10":"product_tag-gate-oxide","11":"product_tag-high-uniformity-thin-film","12":"product_tag-horizontal-lpcvd","13":"product_tag-low-pressure-chemical-vapor-deposition","14":"product_tag-lpcvd","15":"product_tag-lpcvd-vs-pecvd","16":"product_tag-oxygen-furnace","17":"product_tag-pad-oxide","18":"product_tag-polysilicon","19":"product_tag-semiconductor-equipment","20":"product_tag-semiconductor-manufacturing","21":"product_tag-shielding-oxide","22":"product_tag-sic-wafer","23":"product_tag-silicon-nitride","24":"product_tag-silicon-oxide","25":"product_tag-temperature-control","26":"product_tag-thin-film-deposition","27":"product_tag-ultra-clean-chamber","28":"product_tag-vertical-lpcvd","29":"product_tag-wafer-processing","30":"desktop-align-left","31":"tablet-align-left","32":"mobile-align-left","33":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","34":"ast-product-tabs-layout-horizontal","36":"first","37":"instock","38":"shipping-taxable","39":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1968","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1968"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1968\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":1999,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1968\/revisions\/1999"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1969"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1968"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1968"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1968"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1968"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}