![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262693-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x199.webp\")
<\/p>\n<\/p>\n
Piec do wzrostu pojedynczych kryszta\u0142\u00f3w SiC ZMSH to wysokotemperaturowy system wzrostu kryszta\u0142\u00f3w zaprojektowany specjalnie do produkcji monokryszta\u0142\u00f3w w\u0119glika krzemu o du\u017cej \u015brednicy, obs\u0142uguj\u0105cy 6-calowe, 8-calowe i 12-calowe wafle SiC.<\/p>\n
<\/p>\n
uring.<\/p>\n
Piec zosta\u0142 zaprojektowany w oparciu o zasad\u0119 fizycznego transportu pary (PVT), integruj\u0105c precyzyjn\u0105 kontrol\u0119 ogrzewania oporowego, stabilny rozk\u0142ad pola termicznego, zarz\u0105dzanie \u015brodowiskiem o wysokiej pr\u00f3\u017cni i dok\u0142adn\u0105 regulacj\u0119 ci\u015bnienia.
Konfiguracja ta umo\u017cliwia wzrost monokryszta\u0142\u00f3w SiC o wysokiej czysto\u015bci i niskiej g\u0119sto\u015bci defekt\u00f3w, odpowiednich do zaawansowanych zastosowa\u0144 w p\u00f3\u0142przewodnikach mocy i urz\u0105dzeniach elektronicznych.<\/p>\n
System zosta\u0142 opracowany w celu spe\u0142nienia wymaga\u0144 produkcji przemys\u0142owej, zapewniaj\u0105c stabilno\u015b\u0107 procesu, powtarzalno\u015b\u0107 i d\u0142ugoterminow\u0105 niezawodno\u015b\u0107 operacyjn\u0105 w \u015brodowiskach wzrostu kryszta\u0142\u00f3w SiC na du\u017c\u0105 skal\u0119.<\/p>\n
\n
<\/p>\n
Piec wykorzystuje wielostrefow\u0105 struktur\u0119 ogrzewania oporowego, aby uzyska\u0107 r\u00f3wnomierny osiowy i promieniowy rozk\u0142ad temperatury. Minimalizuje to gradienty termiczne, zmniejsza napr\u0119\u017cenia wewn\u0119trzne i poprawia integralno\u015b\u0107 strukturaln\u0105 kryszta\u0142\u00f3w podczas procesu wzrostu.<\/p>\n
Maksymalna temperatura pracy do 2500\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Dok\u0142adno\u015b\u0107 kontroli temperatury: \u00b11\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Szeroki zakres regulacji ci\u015bnienia: 1-700 mbar<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Parametry te zapewniaj\u0105 stabilne \u015brodowisko termodynamiczne niezb\u0119dne do kontrolowanej sublimacji, transportu pary i rekrystalizacji kryszta\u0142\u00f3w podczas wzrostu SiC.<\/p>\n
Dzi\u0119ki tyglowi o \u015brednicy 900 mm, system obs\u0142uguje wzrost 8- i 12-calowych wlewk\u00f3w SiC nowej generacji, umo\u017cliwiaj\u0105c producentom skalowanie produkcji przy jednoczesnej poprawie wydajno\u015bci i sp\u00f3jno\u015bci wafli.<\/p>\n
Piec utrzymuje komor\u0119 wzrostu o niskim poziomie wyciek\u00f3w i wysokiej pr\u00f3\u017cni, zapewniaj\u0105c zmniejszone ryzyko zanieczyszczenia, lepsz\u0105 czysto\u015b\u0107 kryszta\u0142\u00f3w i stabiln\u0105 prac\u0119 przez d\u0142ugi czas.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262670-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x300.webp\")
<\/h2>\n<\/p>\n
Pod\u0142o\u017ca p\u00f3\u0142przewodnikowe mocy<\/p>\n<\/li>\n
Modu\u0142y zasilania pojazd\u00f3w elektrycznych<\/p>\n<\/li>\n
Wysokonapi\u0119ciowe tranzystory MOSFET i urz\u0105dzenia diodowe<\/p>\n<\/li>\n
Systemy konwersji energii odnawialnej<\/p>\n<\/li>\n
Komponenty elektroniczne wysokiej cz\u0119stotliwo\u015bci i RF<\/p>\n<\/li>\n
Przemys\u0142owa elektronika mocy<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
<\/p>\n
<\/p>\n
| Nie.<\/th>\n | Specyfikacja<\/th>\n | Szczeg\u00f3\u0142y<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| 1<\/td>\n | Model<\/td>\n | PVT-RS-40<\/td>\n<\/tr>\n |
| 2<\/td>\n | Wymiary pieca (d\u0142. \u00d7 szer. \u00d7 wys.)<\/td>\n | 2500 \u00d7 2400 \u00d7 3456 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 3<\/td>\n | \u015arednica tygla<\/td>\n | 900 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 4<\/td>\n | Najwy\u017csze ci\u015bnienie pr\u00f3\u017cni<\/td>\n | 6 \u00d7 10-\u2074 Pa (po 1,5 h pr\u00f3\u017cni)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 5<\/td>\n | Wsp\u00f3\u0142czynnik wycieku<\/td>\n | \u22645 Pa \/ 12 h (wypalanie)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 6<\/td>\n | \u015arednica wa\u0142u obrotowego<\/td>\n | 50 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 7<\/td>\n | Pr\u0119dko\u015b\u0107 obrotowa<\/td>\n | 0,5-5 obr.<\/td>\n<\/tr>\n |
| 8<\/td>\n | Metoda ogrzewania<\/td>\n | Elektryczne ogrzewanie oporowe<\/td>\n<\/tr>\n |
| 9<\/td>\n | Maksymalna temperatura pieca<\/td>\n | 2500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 10<\/td>\n | Moc grzewcza<\/td>\n | 40 kW \u00d7 2 + 20 kW<\/td>\n<\/tr>\n |
| 11<\/td>\n | Pomiar temperatury<\/td>\n | Dwukolorowy pirometr na podczerwie\u0144<\/td>\n<\/tr>\n |
| 12<\/td>\n | Zakres temperatur<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 13<\/td>\n | Dok\u0142adno\u015b\u0107 temperatury<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 14<\/td>\n | Zakres ci\u015bnienia<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| 15<\/td>\n | Dok\u0142adno\u015b\u0107 kontroli ci\u015bnienia<\/td>\n | \u00b10,5% pe\u0142nej skali<\/td>\n<\/tr>\n |
| 16<\/td>\n | Typ operacji<\/td>\n | \u0141adowanie od do\u0142u, r\u0119czne lub automatyczne tryby bezpiecze\u0144stwa<\/td>\n<\/tr>\n |
| 17<\/td>\n | Konfiguracje opcjonalne<\/td>\n | Wielostrefowe ogrzewanie, podw\u00f3jne monitorowanie temperatury<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/h2>\n |