{"id":2569,"date":"2026-06-22T06:52:02","date_gmt":"2026-06-22T06:52:02","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2569"},"modified":"2026-06-22T06:52:21","modified_gmt":"2026-06-22T06:52:21","slug":"advanced-packaging-equipment","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/advanced-packaging-equipment\/","title":{"rendered":"Zaawansowane urz\u0105dzenia do pakowania w produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w: kluczowa podstawa dla oblicze\u0144 o wysokiej wydajno\u015bci"},"content":{"rendered":"

Wraz z post\u0119pem w dziedzinie sztucznej inteligencji (AI), oblicze\u0144 o wysokiej wydajno\u015bci (HPC), centr\u00f3w danych w chmurze oraz technologii szybkiej komunikacji gwa\u0142townie ro\u015bnie zapotrzebowanie na coraz wydajniejsze urz\u0105dzenia p\u00f3\u0142przewodnikowe. Tradycyjne zmniejszanie rozmiar\u00f3w tranzystor\u00f3w, kt\u00f3re od dziesi\u0119cioleci nap\u0119dza\u0142o post\u0119p w dziedzinie p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, zbli\u017ca si\u0119 do granic fizycznych i ekonomicznych. W rezultacie zaawansowane technologie pakowania sta\u0142y si\u0119 jedn\u0105 z najwa\u017cniejszych metod pozwalaj\u0105cych na dalszy wzrost wydajno\u015bci wykraczaj\u0105cy poza ramy prawa Moore\u2019a.<\/p>\n\n\n\n

Zaawansowane rozwi\u0105zania w zakresie pakowania nie pe\u0142ni\u0105 ju\u017c jedynie funkcji obudowy ochronnej dla uk\u0142ad\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnikowych, lecz sta\u0142y si\u0119 kluczowym czynnikiem decyduj\u0105cym o wydajno\u015bci na poziomie systemu. Dzi\u0119ki integracji wielu uk\u0142ad\u00f3w w jednym pakiecie oraz zapewnieniu po\u0142\u0105cze\u0144 o wysokiej g\u0119sto\u015bci zaawansowane rozwi\u0105zania w zakresie pakowania mog\u0105 znacznie zwi\u0119kszy\u0107 przepustowo\u015b\u0107, skr\u00f3ci\u0107 op\u00f3\u017anienia, zmniejszy\u0107 zu\u017cycie energii oraz podnie\u015b\u0107 og\u00f3ln\u0105 wydajno\u015b\u0107 obliczeniow\u0105.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Zrozumienie zaawansowanych rozwi\u0105za\u0144 w zakresie opakowa\u0144<\/h2>\n\n\n\n

W tradycyjnych technologiach pakowania pojedynczy uk\u0142ad scalony jest zazwyczaj \u0142\u0105czony z pod\u0142o\u017cem za pomoc\u0105 lutowania drutowego lub monta\u017cu typu flip-chip. Chocia\u017c rozwi\u0105zania te nadal sprawdzaj\u0105 si\u0119 w wielu zastosowaniach, w coraz mniejszym stopniu s\u0105 w stanie sprosta\u0107 wymaganiom wydajno\u015bciowym nowoczesnych procesor\u00f3w sztucznej inteligencji oraz system\u00f3w pami\u0119ci o du\u017cej przepustowo\u015bci.<\/p>\n\n\n\n

Zaawansowane technologie pakowania wprowadzaj\u0105 nowe metody integracji, takie jak pakowanie na poziomie p\u0142ytki (WLP), pakowanie 2,5D, uk\u0142adanie warstwowe 3D, technologia przelotowych po\u0142\u0105cze\u0144 krzemowych (TSV) oraz integracja heterogeniczna oparta na chipletach. Technologie te umo\u017cliwiaj\u0105 wielu matrycom p\u00f3\u0142przewodnikowym funkcjonowanie jako wysoce zintegrowany system, zapewniaj\u0105c znacznie wy\u017csz\u0105 wydajno\u015b\u0107 ni\u017c tradycyjne rozwi\u0105zania jednouk\u0142adowe.<\/p>\n\n\n\n

W przypadku akcelerator\u00f3w sztucznej inteligencji i procesor\u00f3w o wysokiej wydajno\u015bci zaawansowane rozwi\u0105zania w zakresie pakowania nie s\u0105 ju\u017c jedynie opcjonalnym ulepszeniem \u2014 sta\u0142y si\u0119 one podstawow\u0105 technologi\u0105 pozwalaj\u0105c\u0105 osi\u0105gn\u0105\u0107 wydajno\u015b\u0107 obliczeniow\u0105 nowej generacji.<\/p>\n\n\n\n

Urz\u0105dzenia do \u0142\u0105czenia hybrydowego: umo\u017cliwiaj\u0105ce tworzenie po\u0142\u0105cze\u0144 o ultra wysokiej g\u0119sto\u015bci<\/h2>\n\n\n\n

\u0141\u0105czenie hybrydowe jest powszechnie uznawane za jedn\u0105 z najwa\u017cniejszych technologii przysz\u0142ej integracji 3D.<\/p>\n\n\n\n

Tradycyjne metody po\u0142\u0105cze\u0144 opieraj\u0105 si\u0119 na wykorzystaniu wypuk\u0142o\u015bci lutowniczych lub mikrowypuk\u0142o\u015bci do \u0142\u0105czenia matryc p\u00f3\u0142przewodnikowych. Jednak wraz z ci\u0105g\u0142ym zmniejszaniem si\u0119 odst\u0119pu mi\u0119dzy po\u0142\u0105czeniami metody te napotykaj\u0105 ograniczenia w zakresie parametr\u00f3w elektrycznych, zarz\u0105dzania temperatur\u0105 oraz skalowalno\u015bci.<\/p>\n\n\n\n

Technologia \u0142\u0105czenia hybrydowego umo\u017cliwia bezpo\u015brednie \u0142\u0105czenie powierzchni miedzianych oraz dielektrycznych bez konieczno\u015bci stosowania tradycyjnych konstrukcji lutowanych. Pozwala to na tworzenie po\u0142\u0105cze\u0144 o niezwykle ma\u0142ym rozstawie, przy jednoczesnym zmniejszeniu rezystancji paso\u017cytniczej i pojemno\u015bci paso\u017cytniczej.<\/p>\n\n\n\n

Proces ten wymaga wyj\u0105tkowej p\u0142asko\u015bci powierzchni, czysto\u015bci oraz dok\u0142adno\u015bci wyr\u00f3wnania. Nawet mikroskopijne wady mog\u0105 negatywnie wp\u0142yn\u0105\u0107 na jako\u015b\u0107 \u0142\u0105czenia i wydajno\u015b\u0107 produkcji. W zwi\u0105zku z tym urz\u0105dzenia do \u0142\u0105czenia hybrydowego stanowi\u0105 jedn\u0105 z najbardziej wymagaj\u0105cych technicznie kategorii w ramach zaawansowanej produkcji opakowa\u0144.<\/p>\n\n\n\n

Urz\u0105dzenia CMP: Osi\u0105gni\u0119cie p\u0142asko\u015bci powierzchni na poziomie atomowym<\/h2>\n\n\n\n

Chemiczno-mechaniczne wyr\u00f3wnywanie powierzchni (CMP) to kluczowy proces stosowany do uzyskiwania powierzchni o wysokim stopniu p\u0142asko\u015bci podczas produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w.<\/p>\n\n\n\n

Technologia CMP \u0142\u0105czy kontrolowane reakcje chemiczne z polerowaniem mechanicznym w celu usuni\u0119cia materia\u0142u i uzyskania p\u0142asko\u015bci w skali nanometrowej. Taki poziom precyzji ma zasadnicze znaczenie w zaawansowanych zastosowaniach w dziedzinie opakowa\u0144 p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, w tym w produkcji TSV, cienieniu p\u0142ytek, tworzeniu warstwy redystrybucyjnej (RDL) oraz \u0142\u0105czeniu hybrydowym.<\/p>\n\n\n\n

Bez odpowiedniej planaryzacji kolejne etapy procesu, takie jak litografia, osadzanie warstw i \u0142\u0105czenie, mog\u0105 charakteryzowa\u0107 si\u0119 mniejsz\u0105 dok\u0142adno\u015bci\u0105 i ni\u017csz\u0105 wydajno\u015bci\u0105 produkcyjn\u0105.<\/p>\n\n\n\n

W miar\u0119 jak zaawansowane struktury opakowa\u0144 staj\u0105 si\u0119 coraz bardziej z\u0142o\u017cone, technologia CMP nadal odgrywa kluczow\u0105 rol\u0119 w zapewnianiu stabilno\u015bci procesu i niezawodno\u015bci urz\u0105dze\u0144.<\/p>\n\n\n\n

Sprz\u0119t do trawienia<\/a>: Tworzenie struktur tr\u00f3jwymiarowych<\/h2>\n\n\n\n

Technologia trawienia s\u0142u\u017cy do tworzenia precyzyjnych element\u00f3w w skali mikro- i nanoskalowej w materia\u0142ach p\u00f3\u0142przewodnikowych.<\/p>\n\n\n\n

W zaawansowanych technologiach pakowania urz\u0105dzenia do trawienia znajduj\u0105 szerokie zastosowanie przy tworzeniu TSV, nanoszeniu wzor\u00f3w RDL, obr\u00f3bce warstw dielektrycznych oraz r\u00f3\u017cnych struktur po\u0142\u0105cze\u0144. Spo\u015br\u00f3d tych zastosowa\u0144 g\u0142\u0119bokie trawienie TSV stanowi szczeg\u00f3lne wyzwanie, poniewa\u017c wymaga tworzenia struktur o wysokim wsp\u00f3\u0142czynniku kszta\u0142tu i doskona\u0142ej kontroli wymiarowej.<\/p>\n\n\n\n

Jako\u015b\u0107 wytrawionych element\u00f3w ma bezpo\u015bredni wp\u0142yw na parametry elektryczne, w\u0142a\u015bciwo\u015bci termiczne oraz d\u0142ugoterminow\u0105 niezawodno\u015b\u0107. W zwi\u0105zku z tym zaawansowane systemy trawienia s\u0105 niezb\u0119dne do wdra\u017cania technologii integracji tr\u00f3jwymiarowej.<\/p>\n\n\n\n

Urz\u0105dzenia do osadzania warstw cienkowarstwowych: tworzenie warstw funkcjonalnych<\/h2>\n\n\n\n

Zaawansowane rozwi\u0105zania w zakresie pakowania opieraj\u0105 si\u0119 na nak\u0142adaniu wielu warstw funkcjonalnych w trakcie ca\u0142ego procesu produkcyjnego.<\/p>\n\n\n\n

Warstwy te mog\u0105 pe\u0142ni\u0107 funkcj\u0119 przewodnik\u00f3w, izolator\u00f3w, barier dyfuzyjnych, warstw pasywacyjnych lub interfejs\u00f3w wi\u0105zania. Do typowych technik osadzania nale\u017c\u0105 fizyczne osadzanie z fazy gazowej (PVD), chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD) oraz osadzanie warstw atomowych (ALD).<\/p>\n\n\n\n

Spo\u015br\u00f3d nich technologia ALD zyska\u0142a szczeg\u00f3lne znaczenie, poniewa\u017c umo\u017cliwia kontrol\u0119 grubo\u015bci warstwy w skali atomowej oraz zapewnia wyj\u0105tkow\u0105 jednolito\u015b\u0107 na z\u0142o\u017conych strukturach tr\u00f3jwymiarowych.<\/p>\n\n\n\n

Wysokiej jako\u015bci cienkie warstwy maj\u0105 zasadnicze znaczenie dla utrzymania parametr\u00f3w elektrycznych, zapewnienia stabilno\u015bci mechanicznej oraz osi\u0105gni\u0119cia wysokiej wydajno\u015bci produkcyjnej w zaawansowanych zastosowaniach w dziedzinie opakowa\u0144.<\/p>\n\n\n\n

Sprz\u0119t testowy: zapewnienie integralno\u015bci funkcjonalnej<\/h2>\n\n\n\n

Wraz z ewolucj\u0105 obud\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnikowych \u2013 od urz\u0105dze\u0144 jednouk\u0142adowych do z\u0142o\u017conych system\u00f3w wielouk\u0142adowych \u2013 wymagania testowe sta\u0142y si\u0119 znacznie bardziej rygorystyczne.<\/p>\n\n\n\n

W nowoczesnych, zaawansowanych uk\u0142adach scalonych cz\u0119sto integruje si\u0119 procesory, pami\u0119\u0107 i specjalistyczne akceleratory w jednym pakiecie. Ka\u017cdy element musi zosta\u0107 dok\u0142adnie sprawdzony przed monta\u017cem i po nim, aby zapewni\u0107 prawid\u0142owe dzia\u0142anie systemu.<\/p>\n\n\n\n

Urz\u0105dzenia testuj\u0105ce s\u0142u\u017c\u0105 do oceny parametr\u00f3w elektrycznych, integralno\u015bci sygna\u0142u, poboru mocy, zachowania termicznego oraz d\u0142ugoterminowej niezawodno\u015bci. Kompleksowe testy pomagaj\u0105 wykrywa\u0107 usterki na wczesnym etapie procesu produkcyjnego i gwarantuj\u0105, \u017ce do ko\u0144cowego etapu produkcji trafiaj\u0105 wy\u0142\u0105cznie w pe\u0142ni sprawne urz\u0105dzenia.<\/p>\n\n\n\n

Urz\u0105dzenia pomiarowe i kontrolne: \u201eOczy\u201d linii produkcyjnej<\/h2>\n\n\n\n

Precyzyjne pomiary i kontrola wad maj\u0105 zasadnicze znaczenie na ka\u017cdym etapie zaawansowanego procesu produkcji opakowa\u0144.<\/p>\n\n\n\n

Urz\u0105dzenia metrologiczne s\u0142u\u017c\u0105 do pomiaru kluczowych parametr\u00f3w, takich jak grubo\u015b\u0107 pow\u0142oki, wymiary element\u00f3w, topologia powierzchni, dok\u0142adno\u015b\u0107 wyr\u00f3wnania oraz napr\u0119\u017cenia mechaniczne. Systemy kontrolne wykrywaj\u0105 cz\u0105stki, puste przestrzenie, p\u0119kni\u0119cia, zanieczyszczenia i inne wady, kt\u00f3re mog\u0105 negatywnie wp\u0142yn\u0105\u0107 na dzia\u0142anie produktu.<\/p>\n\n\n\n

W miar\u0119 jak wymiary po\u0142\u0105cze\u0144 mi\u0119dzyuk\u0142adowych staj\u0105 si\u0119 coraz mniejsze, a z\u0142o\u017cono\u015b\u0107 obud\u00f3w ro\u015bnie, systemy metrologiczne i kontrolne odgrywaj\u0105 coraz wa\u017cniejsz\u0105 rol\u0119 w utrzymaniu jako\u015bci produkcji i kontroli proces\u00f3w.<\/p>\n\n\n\n

Bez dok\u0142adnych pomiar\u00f3w i wykrywania wad osi\u0105gni\u0119cie wysokiej wydajno\u015bci w dziedzinie zaawansowanych rozwi\u0105za\u0144 opakowaniowych by\u0142oby niemo\u017cliwe.<\/p>\n\n\n\n

Urz\u0105dzenia litograficzne: tworzenie precyzyjnych struktur po\u0142\u0105cze\u0144<\/h2>\n\n\n\n

Litografia to proces przenoszenia wzor\u00f3w obwod\u00f3w na materia\u0142y p\u00f3\u0142przewodnikowe.<\/p>\n\n\n\n

Chocia\u017c zaawansowana litografia w dziedzinie opakowa\u0144 nie wymaga tak ekstremalnie ma\u0142ych rozmiar\u00f3w element\u00f3w, jak w przypadku najnowocze\u015bniejszej produkcji p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, to jednak wymaga wyj\u0105tkowej dok\u0142adno\u015bci nak\u0142adania si\u0119 poszczeg\u00f3lnych warstw.<\/p>\n\n\n\n

Zastosowania takie jak warstwy redystrybucyjne, struktury TSV oraz po\u0142\u0105czenia o du\u017cej g\u0119sto\u015bci wymagaj\u0105 precyzyjnego wyr\u00f3wnania, aby zapewni\u0107 niezawodne po\u0142\u0105czenia elektryczne w ca\u0142ym obudowie.<\/p>\n\n\n\n

W miar\u0119 jak architektury uk\u0142ad\u00f3w scalonych staj\u0105 si\u0119 coraz bardziej zaawansowane, litografia pozostaje podstawow\u0105 technologi\u0105 umo\u017cliwiaj\u0105c\u0105 tworzenie zaawansowanych projekt\u00f3w po\u0142\u0105cze\u0144.<\/p>\n\n\n\n

Sprz\u0119t czyszcz\u0105cy: Utrzymanie wydajno\u015bci produkcji<\/h2>\n\n\n\n

Czyszczenie jest jedn\u0105 z najcz\u0119\u015bciej powtarzaj\u0105cych si\u0119 czynno\u015bci w zaawansowanej produkcji opakowa\u0144.<\/p>\n\n\n\n

Ka\u017cdy etap osadzania, trawienia, polerowania lub \u0142\u0105czenia mo\u017ce powodowa\u0107 przedostawanie si\u0119 zanieczyszcze\u0144, takich jak cz\u0105stki sta\u0142e, pozosta\u0142o\u015bci chemiczne lub zanieczyszczenia metaliczne. Je\u015bli zanieczyszczenia te nie zostan\u0105 skutecznie usuni\u0119te, mog\u0105 prowadzi\u0107 do powstawania wad i obni\u017cenia niezawodno\u015bci urz\u0105dzenia.<\/p>\n\n\n\n

Problem ten nabiera szczeg\u00f3lnego znaczenia w hybrydowych procesach \u0142\u0105czenia, gdzie nawet niezwykle ma\u0142e cz\u0105stki mog\u0105 uniemo\u017cliwi\u0107 skuteczne po\u0142\u0105czenie.<\/p>\n\n\n\n

W zwi\u0105zku z tym zaawansowane systemy czyszcz\u0105ce maj\u0105 kluczowe znaczenie dla utrzymania wysokiej wydajno\u015bci i zapewnienia sta\u0142ej jako\u015bci produkcji.<\/p>\n\n\n\n

Przysz\u0142e trendy w dziedzinie zaawansowanych urz\u0105dze\u0144 do pakowania<\/h2>\n\n\n\n

Szybki rozw\u00f3j sztucznej inteligencji, pami\u0119ci o du\u017cej przepustowo\u015bci oraz heterogenicznych architektur obliczeniowych nap\u0119dza ci\u0105g\u0142e innowacje w dziedzinie zaawansowanych technologii pakowania.<\/p>\n\n\n\n

Kilka kluczowych trend\u00f3w kszta\u0142tuje przysz\u0142o\u015b\u0107 bran\u017cy:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Tr\u00f3jwymiarowa integracja o wi\u0119kszej g\u0119sto\u015bci<\/li>\n\n\n\n
  • Szersze wdro\u017cenie technologii \u0142\u0105czenia hybrydowego<\/li>\n\n\n\n
  • Zwi\u0119kszona pojemno\u015b\u0107 pami\u0119ci w uk\u0142adach HBM nowej generacji<\/li>\n\n\n\n
  • Rozw\u00f3j architektur opartych na chipletach<\/li>\n\n\n\n
  • Opracowanie opakowa\u0144 na poziomie paneli<\/li>\n\n\n\n
  • Wi\u0119ksza automatyzacja i inteligencja w produkcji<\/li>\n\n\n\n
  • Zwi\u0119kszona precyzja procesu i lepsza kontrola wydajno\u015bci<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    W miar\u0119 jak miniaturyzacja p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w staje si\u0119 coraz wi\u0119kszym wyzwaniem, zaawansowane rozwi\u0105zania w zakresie pakowania staj\u0105 si\u0119 g\u0142\u00f3wnym sposobem na dalszy wzrost wydajno\u015bci.<\/p>\n\n\n\n

    Wnioski<\/h2>\n\n\n\n

    Zaawansowane technologie pakowania ewoluowa\u0142y z procesu produkcyjnego o charakterze pomocniczym w kluczow\u0105 technologi\u0119, kt\u00f3ra ma bezpo\u015bredni wp\u0142yw na wydajno\u015b\u0107 p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, efektywno\u015b\u0107 energetyczn\u0105 oraz integracj\u0119 systemow\u0105.<\/p>\n\n\n\n

    Sprz\u0119t wykorzystywany w ca\u0142ym procesie zaawansowanego pakowania \u2014 w tym systemy do \u0142\u0105czenia hybrydowego, CMP, trawienia, osadzania, testowania, kontroli jako\u015bci, litografii oraz czyszczenia \u2014 stanowi technologiczn\u0105 podstaw\u0119 umo\u017cliwiaj\u0105c\u0105 tworzenie nowoczesnych procesor\u00f3w opartych na sztucznej inteligencji, platform obliczeniowych o wysokiej wydajno\u015bci oraz urz\u0105dze\u0144 pami\u0119ciowych nowej generacji.<\/p>\n\n\n\n

    W erze po zako\u0144czeniu obowi\u0105zywania prawa Moore\u2019a post\u0119py w dziedzinie technologii pakowania i sprz\u0119tu produkcyjnego b\u0119d\u0105 odgrywa\u0107 coraz wa\u017cniejsz\u0105 rol\u0119 w kszta\u0142towaniu przysz\u0142o\u015bci bran\u017cy p\u00f3\u0142przewodnikowej, pomagaj\u0105c przezwyci\u0119\u017cy\u0107 ograniczenia fizyczne i umo\u017cliwiaj\u0105c wprowadzenie innowacji obliczeniowych nowej generacji.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    As artificial intelligence (AI), high-performance computing (HPC), cloud data centers, and high-speed communication technologies continue to advance, the demand for more powerful semiconductor devices is growing rapidly. Traditional transistor scaling, which has driven semiconductor progress for decades, is approaching physical and economic limits. As a result, advanced packaging has emerged as one of the most […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-2569","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-company-news"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2569","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2569"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2569\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2571,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2569\/revisions\/2571"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2569"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2569"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2569"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}