{"id":2354,"date":"2026-04-22T06:34:59","date_gmt":"2026-04-22T06:34:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2354"},"modified":"2026-04-22T07:16:34","modified_gmt":"2026-04-22T07:16:34","slug":"ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/product\/ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Ai300 (Medium Beam) Ionenimplantatiesysteem op hoge temperatuur voor 12-inch waferverwerking"},"content":{"rendered":"

\"Ai300Het Ai300 (Medium Beam) ionenimplantatiesysteem voor hoge temperaturen is ontworpen voor productielijnen voor 12-inch silicium wafers van halfgeleiders. Het is een ionenimplantator met middelhoge stroomsterkte, ontwikkeld voor geavanceerde doteringsprocessen in halfgeleidertoepassingen voor zowel silicium als brede bandkloof, inclusief SiC-proceslijnen.<\/p>\n

Het systeem ondersteunt een energiebereik van 5 keV tot 300 keV, wat flexibele implantatie mogelijk maakt van ondiepe junctievorming tot diepe doperingtoepassingen. Het systeem is uitgerust met een verwarmde waferstage met een maximumtemperatuur tot 400\u00b0C, waardoor een betere activering van de doteermiddelen en minder rasterschade tijdens de implantatie mogelijk zijn.<\/p>\n

Met stabiele bundelprestaties, zeer nauwkeurige besturing en compatibiliteit met grootschalige ge\u00efntegreerde circuitprocessen is het Ai300 systeem geschikt voor geavanceerde halfgeleiderproductieomgevingen.<\/p>\n

\n

Kenmerken<\/h2>\n

Implantaten voor hoge temperaturen<\/h3>\n

Uitgerust met een verwarmde waferstage die temperaturen tot 400\u00b0C ondersteunt, waardoor de implantatiekwaliteit en dopantactiveringseffici\u00ebntie verbeterd worden.<\/p>\n

Breed energiebereik<\/h3>\n

Het energiebereik van 5-300 keV ondersteunt zowel ondiepe als diepe implantatieprocessen voor geavanceerde apparaatstructuren.<\/p>\n

Uiterst nauwkeurige bundelregeling<\/h3>\n

Biedt zeer nauwkeurige implantatie met hoeknauwkeurigheid \u2264 0,1\u00b0, bundelparallellisme \u2264 0,1\u00b0, uniformiteit \u2264 0,5% en herhaalbaarheid \u2264 0,5%.<\/p>\n

Hoge doorvoerprestaties<\/h3>\n

Ondersteunt een verwerkingscapaciteit tot \u2265 500 wafers per uur, geschikt voor de productie van grote volumes halfgeleiders.<\/p>\n

Geavanceerde mogelijkheden voor ionenbronnen<\/h3>\n

Ondersteunt meerdere ge\u00efmplanteerde elementen, waaronder C, B, P, N, He en Ar, om te voldoen aan diverse eisen voor halfgeleiderprocessen.<\/p>\n

Compatibiliteit met LSI-processen<\/h3>\n

Volledig compatibel met productieprocessen voor grootschalige ge\u00efntegreerde schakelingen en geavanceerde fabricage van apparaten.<\/p>\n

\"\" \"\"<\/p>\n

\n

Belangrijkste specificaties<\/h2>\n

Procesparameters<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nSpecificatie<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Wafergrootte<\/td>\n12 inch<\/td>\n<\/tr>\n
Energie Bereik<\/td>\n5-300 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Ge\u00efmplanteerde elementen<\/td>\nC, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Dosisbereik<\/td>\n1E11-1E16 ionen\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Straalprestaties<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nSpecificatie<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Stabiliteit van de balk<\/td>\n\u2264 10% \/ uur (\u22641 straalonderbreking of boogvorming per uur)<\/td>\n<\/tr>\n
Parallelliteit van de straal<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Nauwkeurigheid van implantatie<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nSpecificatie<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Implantaat hoekbereik<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Hoeknauwkeurigheid<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformiteit (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0.5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Herhaalbaarheid (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Systeemprestaties<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nSpecificatie<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Doorvoer<\/td>\n\u2265 500 wafers per uur<\/td>\n<\/tr>\n
Maximale implantaattemperatuur<\/td>\n400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Uitrustingsgrootte<\/td>\n6400 \u00d7 3640 \u00d7 3100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Vacu\u00fcmniveau<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Lekkage r\u00f6ntgenstraling<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Scannen<\/td>\nHorizontaal elektrostatisch scannen + verticaal mechanisch scannen<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Toepassingsvelden<\/h2>\n

SiC halfgeleiderverwerking<\/h3>\n

Gebruikt bij de fabricage van siliciumcarbide apparaten, ter ondersteuning van implantatieprocessen bij hoge temperaturen die nodig zijn voor materialen met een brede bandkloof.<\/p>\n

Halfgeleiderfabricage op basis van silicium<\/h3>\n

Toepasbaar op 12-inch productielijnen voor siliciumwafers voor CMOS en geavanceerde ge\u00efntegreerde schakelingen.<\/p>\n

Implantatieprocessen op hoge temperatuur<\/h3>\n

Ondersteunt implantatieprocessen die een verhoogde wafertemperatuur vereisen om defecten te verminderen en de activering van doteermiddelen te verbeteren.<\/p>\n

Fabricage van voedingsapparaten<\/h3>\n

Geschikt voor vermogenshalfgeleiderapparaten waar precieze dotering en implantatie met hoge energie vereist zijn.<\/p>\n

Geavanceerde productie van ge\u00efntegreerde circuits<\/h3>\n

Ondersteunt LSI-procesintegratie met vereisten voor hoge precisie en hoge doorvoer.<\/p>\n

\n

Veelgestelde vragen<\/h2>\n

1. Welke wafergrootte ondersteunt het Ai300 systeem?<\/h3>\n

Het systeem is ontworpen voor 12-inch siliciumwafers en is geschikt voor geavanceerde productielijnen voor halfgeleiders.<\/p>\n

2. Wat is het belangrijkste voordeel van implantatie bij hoge temperatuur?<\/h3>\n

Het systeem ondersteunt implantatie tot 400\u00b0C, wat helpt bij het verminderen van roosterbeschadiging, het verbeteren van dopantactivering en het verbeteren van de algemene prestaties van het apparaat.<\/p>\n

3. Welk niveau van precisie en productie-effici\u00ebntie biedt het systeem?<\/h3>\n

Het systeem biedt hoeknauwkeurigheid binnen 0,1 graden, bundelparallelliteit binnen 0,1 graden en uniformiteit en herhaalbaarheid binnen 0,5 procent, met een verwerkingscapaciteit tot 500 wafers per uur.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Het Ai300 (Medium Beam) ionenimplantatiesysteem voor hoge temperaturen is ontworpen voor productielijnen voor 12-inch silicium wafers van halfgeleiders. Het is een ionenimplantator met middelhoge stroomsterkte, ontwikkeld voor geavanceerde doteringsprocessen in halfgeleidertoepassingen voor zowel silicium als brede bandkloof, inclusief SiC-proceslijnen.<\/p>","protected":false},"featured_media":2357,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[1177],"product_tag":[1160,1194,1178,1181,1186,1197,1196,1185,1195,1198],"class_list":{"0":"post-2354","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ion-implantation-equipment","7":"product_tag-12-inch-wafer-equipment","8":"product_tag-high-temperature-ion-implantation","9":"product_tag-ion-implantation-system","10":"product_tag-lsi-manufacturing-equipment","11":"product_tag-medium-beam-ion-implanter","12":"product_tag-power-semiconductor-processing","13":"product_tag-semiconductor-doping-machine","14":"product_tag-semiconductor-fabrication-equipment","15":"product_tag-sic-implantation-equipment","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor-equipment","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-gallery-with-no-image","22":"ast-product-tabs-layout-horizontal","24":"first","25":"instock","26":"shipping-taxable","27":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2354"}],"version-history":[{"count":5,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2370,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354\/revisions\/2370"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2357"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2354"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2354"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2354"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2354"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}