![\"Hoog](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-300x300.png\")
De Ai80HC (High Beam) Ion Implantation Equipment is een ionenimplantator met hoge stroomsterkte, speciaal ontworpen voor 12-inch productielijnen voor halfgeleiders op siliciumwafers. Hij is ontworpen voor geavanceerde precisiedopingprocessen in de moderne productie van ge\u00efntegreerde schakelingen en levert stabiele bundelprestaties, een hoge procesherhaalbaarheid en een uitstekende nauwkeurigheid van de dosisregeling.<\/p>\n
Het systeem werkt binnen een breed energiebereik van 0,5 keV tot 80 keV, waardoor flexibele implantatiecondities mogelijk zijn voor zowel ondiepe als mediumdiepe junctie-engineering. Het ondersteunt meerdere soorten implantatie, waaronder \u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b3\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a en \u00b9H\u207a, waardoor het geschikt is voor een breed scala aan CMOS en geavanceerde logische apparaat fabricageprocessen.<\/p>\n
Met een implantatiehoekbereik van 0\u00b0 tot 45\u00b0 en een hoge hoeknauwkeurigheid van \u2264 0,1\u00b0, zorgt het systeem voor een nauwkeurige controle van de doteringsdistributie en junction profile engineering. In combinatie met een bundelparallellisme van \u2264 0,3\u00b0 en een uniformiteit van \u2264 1% (1\u03c3) levert de Ai80HC (High Beam) consistente processtabiliteit van wafer tot wafer en binnen de wafer.<\/p>\n
Het systeem is ontworpen voor zeer effici\u00ebnte productieomgevingen en haalt een verwerkingscapaciteit van \u2265 200 wafers per uur (WPH) met behoud van strikte processtabiliteit, waardoor het geschikt is voor LSI-compatibele productielijnen voor geavanceerde halfgeleiders.<\/p>\n
De Ai80HC maakt gebruik van een volwassen en betrouwbaar bundellijnontwerp, bestaande uit:<\/p>\n
Het is uitgerust met:<\/p>\n
Deze architectuur garandeert een hoge bundelstabiliteit, minder stilstand voor onderhoud en een verbeterde herhaalbaarheid van processen.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-1024x388.png\")
<\/p>\n
| Item<\/th>\n | Specificatie<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Wafergrootte<\/td>\n | 12 inch<\/td>\n<\/tr>\n |
| Energie Bereik<\/td>\n | 0,5 - 80 keV<\/td>\n<\/tr>\n |
| Ge\u00efmplanteerde elementen<\/td>\n | \u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b3\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a, \u00b9H\u207a<\/td>\n<\/tr>\n |
| Hoek implantaat<\/td>\n | 0\u00b0 - 45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Hoeknauwkeurigheid<\/td>\n | \u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Dosisbereik<\/td>\n | 5E11 - 1E17 ionen\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Stabiliteit van de balk<\/td>\n | \u2264 10% \/ uur (binnen 60 minuten; straalonderbreking en boogvorming \u2264 1 keer)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Parallelliteit van de straal<\/td>\n | \u2264 0.3\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Doorvoer (WPH)<\/td>\n | \u2265 200 wafers\/uur<\/td>\n<\/tr>\n |
| Uniformiteit (1\u03c3)<\/td>\n | \u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n |
| Herhaalbaarheid (1\u03c3)<\/td>\n | \u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n |
| Procescompatibiliteit<\/td>\n | Compatibel met LSI-proces<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\nBelangrijkste functies en voordelen<\/h2>\n |