![\"4H-N](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd2-300x300.webp\")
<\/p>\nDe 6-inch 4H-N siliciumcarbide wafer is een halfgeleidersubstraat met brede bandkloof, ontworpen voor de volgende generatie vermogenselektronica. Vergeleken met traditionele siliciummaterialen biedt SiC een aanzienlijk hogere elektrische veldsterkte, superieure thermische geleidbaarheid en stabiele prestaties bij hoge temperaturen en hoge spanningen.<\/p>\n
Dankzij de brede bandkloof van ongeveer 3,26 eV kunnen apparaten op basis van SiC werken bij hogere spanningen en schakelfrequenties met behoud van lagere energieverliezen. Hierdoor is SiC een belangrijk materiaal geworden voor energieomzettingssystemen met een hoog rendement, waaronder elektrische voertuigen, systemen voor hernieuwbare energie en industri\u00eble voedingen.<\/p>\n
Het 6-inch (150 mm klasse) waferformaat is momenteel de belangrijkste industri\u00eble standaard voor de productie van SiC-apparaten. Het biedt een optimale balans tussen productieopbrengst, procesvolwassenheid en kosteneffici\u00ebntie, waardoor het geschikt is voor zowel massaproductie als geavanceerde onderzoekstoepassingen.<\/p>\n
4H-SiC is het meest gebruikte polytype in vermogenselektronica vanwege de gunstige kristalsymmetrie en elektrische prestaties.<\/p>\n
De belangrijkste intrinsieke eigenschappen zijn:<\/p>\n
Deze eigenschappen maken SiC tot een cruciaal materiaal voor halfgeleiders met hoog vermogen en hoge effici\u00ebntie.<\/p>\n
![\"6-inch](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd4-300x300.webp\")
Kristalgroei en productieproces<\/h2>\nSiC-wafers worden meestal geproduceerd met de PVT-methode (Physical Vapor Transport), een volwassen industrieel proces voor de groei van SiC-kristallen in bulk.<\/p>\n
In dit proces wordt hoogzuiver SiC-poeder gesublimeerd bij temperaturen boven 2000 \u00b0C. De dampfasespecies worden getransporteerd onder zorgvuldig gecontroleerde thermische gradi\u00ebnten en geherkristalliseerd op een zaadkristal, waardoor een boule met \u00e9\u00e9n kristal wordt gevormd.<\/p>\n
Na kristalgroei ondergaat het materiaal:<\/p>\n
Voor de fabricage van apparaten kan een aanvullend chemisch dampdepositieproces (CVD) worden toegepast om epitaxiale lagen van hoge kwaliteit te vormen met een gecontroleerde doteringsconcentratie en -dikte.<\/p>\n
| Eigendom<\/th>\n | Z-klasse (productieklasse)<\/th>\n | D-klasse (Engineering Grade)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| Diameter<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Polytype<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n |
| Dikte<\/td>\n | 350 \u00b1 15 \u00b5m<\/td>\n | 350 \u00b1 25 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Type geleidbaarheid<\/td>\n | N-type<\/td>\n | N-type<\/td>\n<\/tr>\n |
| Hoek buiten de as<\/td>\n | 4,0\u00b0 naar \u00b1 0,5\u00b0<\/td>\n | 4,0\u00b0 naar \u00b1 0,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Weerstand<\/td>\n | 0,015 - 0,024 \u03a9-cm<\/td>\n | 0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Micropipe Dichtheid<\/td>\n | \u2264 0,2 cm-\u00b2<\/td>\n | \u2264 15 cm-\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Oppervlakteruwheid (Ra)<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| CMP-ruwheid<\/td>\n | \u2264 0,2 nm<\/td>\n | \u2264 0,5 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| LTV<\/td>\n | \u2264 2,5 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 5 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| TTV<\/td>\n | \u2264 6 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 15 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Boog<\/td>\n | \u2264 25 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Warp<\/td>\n | \u2264 35 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 60 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Uitsluiting van randen<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Verpakking<\/td>\n | Cassette \/ Enkele wafel<\/td>\n | Cassette \/ Enkele wafel<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
|
![\"6-inch](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd1-300x300.webp\")
Kwaliteitscontrole en inspectie<\/h2>\n