{"id":2183,"date":"2026-04-14T05:20:25","date_gmt":"2026-04-14T05:20:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2183"},"modified":"2026-04-14T05:20:28","modified_gmt":"2026-04-14T05:20:28","slug":"8-inch-sic-epitaxial-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/product\/8-inch-sic-epitaxial-wafer\/","title":{"rendered":"8 Inch 200mm SiC Epitaxial Wafer"},"content":{"rendered":"

\"8De 8 inch SiC epitaxiale wafer vertegenwoordigt de nieuwste vooruitgang in brede bandkloof halfgeleidertechnologie. Gebouwd op een 200 mm SiC substraat met een epitaxiale laag van hoge kwaliteit, is dit product ontworpen om schaalbare, zeer effici\u00ebnte productie van stroomapparaten te ondersteunen.<\/p>\n

Vergeleken met kleinere waferformaten vergroten 8 inch SiC-wafers het bruikbare oppervlak aanzienlijk, waardoor een hogere productie per wafer mogelijk is en de kosten per chip dalen. Dit maakt ze tot een cruciale oplossing voor industrie\u00ebn die overgaan op grootschalige productie van siliciumcarbide power devices.<\/p>\n

SiC epitaxiale wafers combineren de intrinsieke voordelen van siliciumcarbide, waaronder brede bandkloof, hoog elektrisch doorslagveld en uitstekende thermische geleidbaarheid, met nauwkeurig gecontroleerde epitaxiale lagen op maat voor de fabricage van componenten. Deze wafers worden veel gebruikt in de volgende generatie MOSFET's, Schottky diodes en ge\u00efntegreerde vermogensmodules.<\/p>\n

\n

Belangrijkste specificaties<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/th>\nWaarde<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Diameter<\/td>\n200 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n
Type geleidbaarheid<\/td>\nN-type<\/td>\n<\/tr>\n
Dikte<\/td>\n700 \u00b1 50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Afwerking oppervlak<\/td>\nDubbelzijdig CMP gepolijst<\/td>\n<\/tr>\n
Ori\u00ebntatie<\/td>\n4,0\u00b0 buiten de as \u00b10,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Inkeping<\/td>\nStandaard inkepingsrichting<\/td>\n<\/tr>\n
Profiel<\/td>\nAfschuining \/ Afgeronde rand<\/td>\n<\/tr>\n
Oppervlakteruwheid<\/td>\nSub-nanometer niveau<\/td>\n<\/tr>\n
Verpakking<\/td>\nCassette of enkele wafelcontainer<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Typische weerstand:<\/p>\n

    \n
  • N-type: 0,015-0,028 \u03a9-cm<\/li>\n
  • Semi-isolerend: \u22651E7 \u03a9-cm<\/li>\n<\/ul>\n

    Rangen beschikbaar:<\/p>\n

      \n
    • Nul MPD-cijfer<\/li>\n
    • Productieklasse<\/li>\n
    • Onderzoekscijfer<\/li>\n
    • Dummy cijfer<\/li>\n<\/ul>\n

      \"8Epitaxiale laagmogelijkheden<\/h2>\n

      De epitaxiale laag wordt gegroeid met behulp van geavanceerde CVD-technologie (chemische dampdepositie), waardoor de dikte, de doteringsconcentratie en de uniformiteit nauwkeurig kunnen worden gecontroleerd.<\/p>\n

      Beschikbare aanpassingen zijn onder andere:<\/p>\n

        \n
      • N-type of P-type epitaxiale lagen<\/li>\n
      • Instelbare epidikte voor verschillende apparaatstructuren<\/li>\n
      • Uniforme doteringsprofielen over de hele wafer<\/li>\n
      • Lage defectdichtheid voor hoge opbrengst<\/li>\n<\/ul>\n

        Epitaxie van hoge kwaliteit is essentieel voor het bereiken van stabiele elektrische prestaties en betrouwbaarheid op de lange termijn in voedingsapparaten.<\/p>\n

        \"8Productieproces<\/h2>\n

        Substraatvoorbereiding<\/strong>
        Hoogzuivere monokristallijne SiC-substraten worden geproduceerd met groeimethoden bij hoge temperatuur en gepolijst om een ultralage oppervlakteruwheid te bereiken.<\/p>\n

        Epitaxiale groei<\/strong>
        De epitaxiale laag wordt afgezet bij hoge temperatuur met CVD-systemen, wat zorgt voor een uniforme dikte en consistente materiaaleigenschappen over de 200 mm wafer.<\/p>\n

        Dopingcontrole<\/strong>
        Tijdens de epitaxiale groei wordt nauwkeurige dotering toegepast om te voldoen aan de vereisten van verschillende apparaatarchitecturen.<\/p>\n

        Metrologie en inspectie<\/strong>
        Elke wafer wordt uitgebreid getest, inclusief oppervlakteanalyse, defecten in kaart brengen en elektrische karakterisatie om een consistente kwaliteit te garanderen.<\/p>\n

        Voordelen<\/h2>\n

        Schaalbare productie<\/strong>
        Het 8 inch wafermaat verhoogt de chip-output per wafer aanzienlijk, waardoor de productie-effici\u00ebntie verbetert en de kosten per apparaat dalen.<\/p>\n

        Hoog rendement<\/strong>
        De materiaaleigenschappen van SiC maken lagere schakelverliezen, een hogere vermogensdichtheid en een verbeterde energie-effici\u00ebntie mogelijk.<\/p>\n

        Uitstekend thermisch beheer<\/strong>
        De hoge thermische geleidbaarheid ondersteunt een stabiele werking onder hoge vermogensomstandigheden en verlaagt de koelvereisten.<\/p>\n

        Lage dichtheid defecten<\/strong>
        Geavanceerde kristalgroei en epitaxiale processen zorgen voor een hoge opbrengst en betrouwbare apparaatprestaties.<\/p>\n

        Platform dat klaar is voor de toekomst<\/strong>
        8 inch SiC-wafers sluiten aan bij de trend in de halfgeleiderindustrie naar grotere waferformaten en geautomatiseerde massaproductie.<\/p>\n

        \"\"<\/p>\n

        Toepassingen<\/h2>\n

        Elektrische voertuigen<\/strong>
        Gebruikt in tractieomvormers, boordladers en DC-DC converters. Groter wafergrootte ondersteunt massaproductie van zeer effici\u00ebnte voedingsapparaten voor EV-platforms.<\/p>\n

        Hernieuwbare energiesystemen<\/strong>
        Toegepast in omvormers voor zonne-energie en windenergie, waar effici\u00ebntie en betrouwbaarheid essentieel zijn voor een langdurige werking.<\/p>\n

        Industri\u00eble vermogenselektronica<\/strong>
        Ondersteunt motoraandrijvingen, automatiseringssystemen en krachtige apparatuur die een stabiele en effici\u00ebnte energieomzetting vereist.<\/p>\n

        5G en RF-infrastructuur<\/strong>
        Maakt hoogfrequente en krachtige RF-componenten mogelijk die worden gebruikt in communicatiesystemen en basisstations.<\/p>\n

        Elektronica voor consumentenelektronica<\/strong>
        Gebruikt in compacte, zeer effici\u00ebnte voedingen en snellaadsystemen.<\/p>\n

        FAQ<\/h2>\n

        V1: Wat is het belangrijkste voordeel van 8 inch SiC-wafers?
        Door het grotere waferformaat neemt het aantal chips per wafer toe, waardoor de productiekosten per apparaat aanzienlijk dalen en de productie-effici\u00ebntie toeneemt.<\/p>\n

        V2: Is de 8 inch SiC-technologie volwassen?
        Het is momenteel bezig met de overgang van proefproductie naar massaproductie in een vroeg stadium, met een toenemende toepassing in geavanceerde halfgeleiderfabricage.<\/p>\n

        V3: Kunnen epitaxiale lagen worden aangepast?
        Ja, het dopertype, de dikte en de elektrische eigenschappen kunnen op maat worden gemaakt om te voldoen aan specifieke apparaatvereisten.<\/p>\n

        V4: Zijn bestaande productielijnen compatibel met 8 inch wafers?
        Er zijn misschien enkele upgrades van apparatuur nodig, maar veel moderne fabrieken bereiden zich al voor op de verwerking van 200 mm SiC.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

        De 8 inch SiC epitaxiale wafer vertegenwoordigt de nieuwste vooruitgang in brede bandkloof halfgeleidertechnologie. Gebouwd op een 200 mm SiC substraat met een epitaxiale laag van hoge kwaliteit, is dit product ontworpen om schaalbare, zeer effici\u00ebnte productie van stroomapparaten te ondersteunen.<\/p>","protected":false},"featured_media":2184,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[944,735,947,945,943,933,946,948,692],"class_list":{"0":"post-2183","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-200mm-silicon-carbide-wafer","8":"product_tag-8-inch-sic-wafer","9":"product_tag-high-efficiency-power-electronics","10":"product_tag-sic-epi-wafer","11":"product_tag-sic-epitaxial-wafer","12":"product_tag-sic-mosfet-wafer","13":"product_tag-sic-power-device-substrate","14":"product_tag-silicon-carbide-epitaxy","15":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","16":"desktop-align-left","17":"tablet-align-left","18":"mobile-align-left","19":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","20":"ast-product-tabs-layout-horizontal","22":"first","23":"instock","24":"shipping-taxable","25":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2183"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2188,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183\/revisions\/2188"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2184"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2183"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2183"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2183"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2183"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}