{"id":2112,"date":"2026-04-03T05:44:04","date_gmt":"2026-04-03T05:44:04","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2112"},"modified":"2026-04-03T05:44:13","modified_gmt":"2026-04-03T05:44:13","slug":"silicon-carbide-sic-epitaxy-equipment-and-industry-overview","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/nl\/silicon-carbide-sic-epitaxy-equipment-and-industry-overview\/","title":{"rendered":"Epitaxy-apparatuur en industrieoverzicht voor siliciumcarbide (SiC)"},"content":{"rendered":"

Epitaxie van halfgeleiders verwijst naar het proces van het groeien van enkelkristallijne dunne films op silicium of siliciumcarbide (SiC) substraten. De epitaxiale laag heeft dezelfde kristalori\u00ebntatie als het substraat en kan worden gegroeid met hetzelfde materiaal (homoepitaxie) of met verschillende materialen (heteroepitaxie). Voor apparaten met een hoge frequentie en een hoog vermogen helpt epitaxiale groei de prestaties van het apparaat te optimaliseren: epitaxiale lagen met een hoge weerstand zorgen voor een hoge doorslagspanning, terwijl substraten met een lage weerstand de serieweerstand verlagen, waardoor de verzadigingsspanning daalt. Epitaxiale lagen kunnen worden gedoteerd als P-type of N-type, waardoor PN-juncties worden gevormd die een eenrichtingsstroom mogelijk maken, wat gelijkrichting mogelijk maakt. SiC epitaxie wordt veel toegepast in vermogenselektronica, radiofrequentie (RF) apparaten en opto-elektronische toepassingen.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

1. SiC-industrieketen en waardeverdeling<\/h3>\n\n\n\n

De industrieketen voor SiC-apparaten bestaat uit drie hoofdsegmenten: substraat, epitaxy en productie van apparaten (ontwerp, fabricage en verpakking). De substraat- en epitaxystadia zijn goed voor ongeveer 70% van de waardeketen, terwijl de verwerking van apparaten stroomafwaarts slechts 30% vertegenwoordigt. Dit staat in contrast met conventionele siliciumproducten, waar de verwerking na de wafer de meeste productiekosten veroorzaakt. De hoge waardeconcentratie stroomopwaarts benadrukt het strategische belang van substraat- en epitaxy-technologie\u00ebn.<\/p>\n\n\n\n

Substraat segment<\/strong> omvat kristalgroei, wafersnijden, slijpen en polijsten. Kristalgroei kan worden bereikt door Physical Vapor Transport (PVT), Chemische Dampafzetting bij Hoge Temperatuur (HTCVD) of Liquid Phase Epitaxy (LPE). Voor het snijden van wafers worden draadzagen, diamantdraad, laser of koude scheidingsmethoden gebruikt, terwijl chemisch mechanisch polijsten (CMP) zorgt voor vlakke, defectvrije oppervlakken die geschikt zijn voor epitaxiale groei.<\/p>\n\n\n\n

2. SiC-substraat productieproces<\/h3>\n\n\n\n
    \n
  1. Kristalgroei:<\/strong>\n