SiC kristalgroeioven (PVT / LPE / HT-CVD) voor hoogwaardige productie van enkel kristal siliciumcarbide

De SiC kristalgroeioven is een essentieel onderdeel van de apparatuur voor het produceren van siliciumcarbide (SiC) enkele kristallen van hoge kwaliteit die worden gebruikt in vermogenselektronica, RF-apparaten en geavanceerde halfgeleidertoepassingen.

Onze systemen ondersteunen meerdere gangbare groeitechnologieën, waaronder:

• Fysiek Damp Transport (PVT)

• Vloeistoffase-epitaxie (LPE)

• Chemische dampdepositie bij hoge temperatuur (HT-CVD)

Dankzij de nauwkeurige regeling van de hoge temperatuur, het vacuüm en de gasstroom maakt de oven een stabiele productie mogelijk van SiC-kristallen met weinig defecten en een hoge zuiverheid in formaten van 4 tot 6 inch, met aanpassingen voor grotere diameters.

Ondersteunde SiC kristalgroeimethoden

1. Fysisch Damp Transport (PVT)

Procesprincipe:
SiC-poeder wordt gesublimeerd bij temperaturen boven 2000°C. De dampen worden langs een temperatuurgradiënt getransporteerd en herkristalliseren op een zaadkristal.

Belangrijkste kenmerken:

• Hoogzuivere grafietkroes en zaadhouder

• Geïntegreerd thermokoppel + infrarood temperatuurbewaking

• Vacuüm- en inert gasstroomregelsysteem

• PLC-gebaseerde automatische procesbesturing

• Integratie van koeling en behandeling van uitlaatgassen

Voordelen:

• Volwassen en wijdverbreide technologie

• Relatief lage uitrustingskosten

• Geschikt voor bulkgroei van SiC-kristallen

Toepassingen:

• Productie van semi-isolerende en geleidende SiC-substraten

2. Chemische dampdepositie bij hoge temperatuur (HT-CVD)

Procesprincipe:
Hoogzuivere gassen (bijv. SiH₄ + C₂H₄ / C₃H₈) ontleden bij 1800-2300°C en zetten SiC af op het zaadkristal.

Belangrijkste kenmerken:

• Inductieverwarming via elektromagnetische koppeling

• Stabiel gastoevoersysteem (He / H₂-dragergassen)

• Gecontroleerde temperatuurgradiënt voor kristalcondensatie

• Nauwkeurig dopingvermogen

Voordelen:

• Lage defectdichtheid

• Hoge kristalzuiverheid

• Flexibele dopingcontrole

Toepassingen:

• SiC-wafers met hoge prestaties voor geavanceerde elektronische apparaten

3. Vloeistoffase-epitaxie (LPE)

Procesprincipe:
Si en C lossen op in een oplossing van hoge temperatuur (~1800°C) en SiC kristalliseert uit een oververzadigde smelt tijdens gecontroleerde afkoeling.

Belangrijkste kenmerken:

• Hoogwaardige epitaxiale laaggroei

• Lage defectdichtheid en hoge zuiverheid

• Relatief lichte vereisten voor apparatuur

• Schaalbaar voor industriële productie

Voordelen:

• Lagere groeikosten

• Verbeterde epitaxiale laagkwaliteit

Toepassingen:

• Epitaxiale laaggroei op SiC substraten

• Productie van hoogrendabele voedingsapparaten

Technische voordelen

• Bedrijf bij hoge temperaturen (>2000°C)

• Stabiele vacuüm- en gasstroomregeling

• Geavanceerd PLC-automatiseringssysteem

• Aanpasbaar ovenontwerp (grootte, configuratie, proces)

• Compatibel met 4-6 inch SiC kristalgroei (uitbreidbaar)

Onze mogelijkheden

1. Levering van apparatuur

Wij leveren volledig ontworpen SiC kristalgroeiovens, ontworpen voor:

• Hoogzuiver semi-isolerend SiC

• Productie van geleidende SiC-kristallen

• Eisen voor batchproductie

2. Grondstoffen & Kristallevering

Wij leveren:

• SiC bronmaterialen

• Zaad kristallen

• Verbruiksartikelen

Alle materialen ondergaan een strenge kwaliteitsinspectie om processtabiliteit te garanderen.

3. Procesontwikkeling en -optimalisatie

Ons engineeringteam ondersteunt:

• Procesontwikkeling op maat

• Groeiparameteroptimalisatie

• Verbetering van opbrengst en kristalkwaliteit

4. Training en technische ondersteuning

Wij bieden:

• Training op locatie/op afstand

• Bedieningsinstructies voor apparatuur

• Ondersteuning voor onderhoud en probleemoplossing

FAQ

V1: Wat zijn de belangrijkste methoden om SiC kristallen te laten groeien?
A: De primaire methoden zijn PVT, HT-CVD en LPE, elk geschikt voor verschillende toepassingen en productiedoelen.

V2: Wat is vloeibare fase epitaxie (LPE)?
A: LPE is een oplossingsgebaseerde groeimethode waarbij een verzadigde smelt langzaam wordt afgekoeld om kristalgroei op een substraat aan te sturen, waardoor epitaxiale lagen van hoge kwaliteit mogelijk worden.

Waarom kiezen voor onze SiC-groeioven?

• Bewezen technische ervaring in SiC-apparatuur

• Compatibiliteit met meerdere methoden (PVT / HT-CVD / LPE)

• Aangepaste oplossingen voor verschillende productieschalen

• Volledige levenscyclusondersteuning (apparatuur + materialen + proces)