{"id":2426,"date":"2026-04-27T05:56:44","date_gmt":"2026-04-27T05:56:44","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2426"},"modified":"2026-06-11T09:58:11","modified_gmt":"2026-06-11T09:58:11","slug":"ti-cu-metal-coated-silicon-wafer-titanium-copper-sputtered-wafer-for-mems-microelectronics-conductive-substrate","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/ti-cu-metal-coated-silicon-wafer-titanium-copper-sputtered-wafer-for-mems-microelectronics-conductive-substrate\/","title":{"rendered":"Wafer di silicio rivestito di metallo Ti\/Cu Wafer sputtered di rame titanio per substrato conduttivo di microelettronica MEMS"},"content":{"rendered":"

\"\"Il wafer di silicio rivestito di metallo Ti\/Cu \u00e8 stato progettato come substrato standard conduttivo e compatibile con i processi per la ricerca avanzata e le applicazioni industriali. Combinando la tecnologia dei wafer di silicio con il rivestimento in film sottile di metallo, fornisce una piattaforma stabile per i processi elettrici, chimici e di microfabbricazione.<\/p>\n

La struttura del sistema di rivestimento Ti\/Cu garantisce affidabilit\u00e0 meccanica e conduttivit\u00e0 funzionale. \u00c8 particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono interfacce metalliche affidabili, conduttivit\u00e0 superficiale uniforme e compatibilit\u00e0 con le tecniche standard di lavorazione dei semiconduttori.<\/p>\n

Il prodotto supporta la personalizzazione delle dimensioni del wafer, del tipo di substrato e dello spessore del film, rendendolo adatto sia per esperimenti di ricerca su piccola scala che per ambienti di produzione pilota.<\/p>\n

\n

\"\"Caratteristiche principali<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • Forte capacit\u00e0 di adesione<\/strong>
    Lo strato di adesione in titanio migliora significativamente l'adesione tra il film di rame e il substrato di silicio, riducendo i rischi di distacco e delaminazione.<\/li>\n
  • Elevata conducibilit\u00e0 elettrica<\/strong>
    Lo strato superficiale di rame offre una bassa resistenza e prestazioni elettriche stabili per il test dei dispositivi e le applicazioni conduttive.<\/li>\n
  • Eccellente uniformit\u00e0 del film<\/strong>
    Il magnetron sputtering assicura uno spessore uniforme del rivestimento e una morfologia superficiale omogenea su tutto il wafer.<\/li>\n
  • Buona compatibilit\u00e0 con i processi<\/strong>
    Compatibile con la litografia, l'incisione, la galvanotecnica, la deposizione e i processi standard di fabbricazione dei semiconduttori.<\/li>\n
  • Personalizzazione flessibile<\/strong>
    Disponibile in diverse dimensioni di wafer, tipi di substrato e combinazioni di spessore dello strato metallico.<\/li>\n<\/ul>\n
    \n

    \"\"Struttura tipica<\/strong><\/span><\/h2>\n

    Substrato + strato di adesione in titanio + strato conduttivo in rame<\/strong><\/p>\n

      \n
    • Substrato: Silicio \/ quarzo \/ vetro (opzionale)<\/li>\n
    • Strato di adesione: Titanio (Ti)<\/li>\n
    • Strato conduttivo: Rame (Cu)<\/li>\n
    • Metodo di deposizione: Magnetron sputtering<\/li>\n<\/ul>\n

      Lo strato di Ti funge da strato di legame di interfaccia tra il substrato e il film di rame, garantendo la stabilit\u00e0 strutturale. Lo strato di Cu fornisce la superficie conduttiva funzionale per le applicazioni elettriche e di processo.<\/p>\n

      \n

      Specifiche tecniche<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
      \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
      Articolo<\/th>\nDescrizione<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
      Dimensione del wafer<\/td>\n2\u2033, 4\u2033, 6\u2033, 8\u2033, dimensioni personalizzate<\/td>\n<\/tr>\n
      Materiale del substrato<\/td>\nSilicio, quarzo, vetro BF33 (opzionale)<\/td>\n<\/tr>\n
      Orientamento del cristallo<\/td>\n, , ecc.<\/td>\n<\/tr>\n
      Resistivit\u00e0<\/td>\nBasso \/ Medio \/ Alto (personalizzabile)<\/td>\n<\/tr>\n
      Spessore Ti<\/td>\n10-50 nm (intervallo tipico)<\/td>\n<\/tr>\n
      Spessore Cu<\/td>\n50 nm - 1 \u00b5m (sputtering), pi\u00f9 spesso per elettrodeposizione<\/td>\n<\/tr>\n
      Metodo di rivestimento<\/td>\nSputtering a magnetrone<\/td>\n<\/tr>\n
      Lato rivestimento<\/td>\nSingolo o doppio lato<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
      \n

      \"\"Processo di produzione<\/strong><\/span><\/h2>\n

      Il wafer rivestito di metallo Ti\/Cu \u00e8 prodotto con la tecnologia di sputtering magnetronico sotto vuoto. In primo luogo, uno strato di titanio viene depositato sulla superficie pulita del silicio per migliorare l'adesione. Quindi viene depositato uno strato di rame sopra il film di titanio per formare una superficie conduttiva uniforme.<\/p>\n

      Per le applicazioni che richiedono film di rame pi\u00f9 spessi, lo strato di rame sputtered pu\u00f2 essere utilizzato come strato di partenza per l'elettroplaccatura, consentendo un'ulteriore crescita del metallo per raggiungere uno spessore di livello micron, mantenendo una forte adesione.<\/p>\n

      Questo processo combinato garantisce sia un'elevata qualit\u00e0 del film che un'espansione funzionale flessibile.<\/p>\n

      \n

      Applicazioni<\/strong><\/span><\/h2>\n
        \n
      • Ricerca e prototipazione di dispositivi a semiconduttore<\/li>\n
      • Contatto ohmico e fabbricazione di elettrodi<\/li>\n
      • Sviluppo dello strato seminale della microstruttura MEMS<\/li>\n
      • Base galvanica per RDL e strutture in rame ad alto spessore<\/li>\n
      • Ricerca sulla crescita di film sottili e nanomateriali<\/li>\n
      • Test di conducibilit\u00e0 superficiale e analisi dei materiali<\/li>\n
      • Preparazione dei campioni SEM, AFM e metrologia delle superfici<\/li>\n
      • Sensori bioelettrochimici e piattaforme microarray<\/li>\n<\/ul>\n
        \n

        Vantaggi rispetto al rivestimento singolo in metallo<\/strong><\/span><\/h2>\n

        Rispetto al rivestimento diretto di rame sul silicio, la struttura Ti\/Cu offre:<\/p>\n

          \n
        • Migliore stabilit\u00e0 di adesione sotto stress termico e chimico<\/li>\n
        • Riduzione del rischio di spellature o crepe del rame<\/li>\n
        • Miglioramento della resa del processo nelle fasi di microfabbricazione<\/li>\n
        • Prestazioni elettriche pi\u00f9 stabili nel tempo<\/li>\n
        • Migliore compatibilit\u00e0 con i processi a semiconduttore multi-step<\/li>\n<\/ul>\n

          Questo lo rende una soluzione pi\u00f9 affidabile sia per i laboratori di ricerca che per gli ambienti di R&S industriale.<\/p>\n

          \n

          FAQ<\/strong><\/span><\/h2>\n

          D1: Perch\u00e9 si usa il titanio sotto il rivestimento di rame?<\/strong>
          Il titanio agisce come strato di adesione che migliora il legame tra i substrati di rame e silicio, impedendo la delaminazione durante la lavorazione e l'uso.<\/p>\n

          D2: Lo spessore del rame pu\u00f2 essere aumentato?<\/strong>
          S\u00ec. Il rame sputterato pu\u00f2 essere utilizzato come strato di partenza per l'elettroplaccatura per ottenere strati metallici pi\u00f9 spessi, a seconda dei requisiti dell'applicazione.<\/p>\n

          D3: \u00c8 possibile rivestire entrambi i lati del wafer?<\/strong>
          S\u00ec. Le opzioni di rivestimento su uno o due lati sono disponibili su richiesta.<\/p>\n

          D4: Quali sono le opzioni di substrato disponibili?<\/strong>
          Il silicio standard \u00e8 il pi\u00f9 comune, ma sono disponibili anche substrati di quarzo e vetro per applicazioni ottiche o chimiche speciali.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

          Il wafer di silicio rivestito di metallo Ti\/Cu \u00e8 un wafer funzionale di alta qualit\u00e0 preparato depositando uno strato di adesione di titanio e uno strato conduttivo di rame su un substrato di silicio mediante la tecnologia magnetron sputtering. Lo strato di titanio migliora l'adesione e la stabilit\u00e0 del film, mentre lo strato di rame fornisce un'eccellente conduttivit\u00e0 elettrica. Questo prodotto \u00e8 ampiamente utilizzato nella microelettronica, nella fabbricazione di MEMS, nella ricerca di laboratorio e nello sviluppo di processi a film sottile.<\/p>","protected":false},"featured_media":2428,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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