{"id":2360,"date":"2026-04-22T07:08:49","date_gmt":"2026-04-22T07:08:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2360"},"modified":"2026-04-22T07:13:29","modified_gmt":"2026-04-22T07:13:29","slug":"ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Sistema di impiantazione ionica ad alta temperatura a fascio medio Ai350HT per la lavorazione di wafer di silicio e SiC da 6\/8 di pollice"},"content":{"rendered":"

\"SistemaIl sistema di impiantazione ionica ad alta temperatura Ai350HT (Medium Beam) \u00e8 progettato per linee di produzione di wafer di silicio da 6 e 8 pollici e per applicazioni di processo SiC. Si tratta di un implanter ionico a media corrente sviluppato per processi di drogaggio ad alta energia e ad alta temperatura nella fabbricazione di semiconduttori avanzati.<\/p>\n

Il sistema supporta una gamma di energie da 5 keV a 350 keV, consentendo processi di impiantazione sia superficiali che profondi. \u00c8 dotato di un mandrino elettrostatico ad alta temperatura in grado di funzionare fino a 500\u00b0C, consentendo una migliore attivazione del drogante e una riduzione del danno reticolare durante l'impianto. Grazie alle prestazioni stabili del fascio e al controllo di alta precisione, il sistema \u00e8 adatto alla produzione di semiconduttori a base di silicio e a largo bandgap.<\/p>\n

\n

Caratteristiche<\/h2>\n

Capacit\u00e0 di impianto ad alta temperatura<\/h3>\n

Dotato di un mandrino elettrostatico per alte temperature che supporta fino a 500\u00b0C, consente di migliorare l'efficienza dell'impianto e l'attivazione del drogante per processi avanzati.<\/p>\n

Ampia gamma di energia<\/h3>\n

L'intervallo di energia di 5-350 keV supporta requisiti di impiantazione flessibili, dalla formazione di giunzioni poco profonde ai processi di impiantazione profonda.<\/p>\n

Controllo del fascio ad alta precisione<\/h3>\n

Fornisce prestazioni di impianto accurate con precisione angolare \u2264 0,2\u00b0, parallelismo del fascio \u2264 0,2\u00b0, uniformit\u00e0 \u2264 0,5% e ripetibilit\u00e0 \u2264 0,5%.<\/p>\n

Prestazioni stabili del fascio<\/h3>\n

La stabilit\u00e0 del fascio \u00e8 controllata entro 10% all'ora, garantendo una qualit\u00e0 di processo costante durante i lunghi cicli di produzione.<\/p>\n

Sorgente di ioni a lunga durata<\/h3>\n

Dotato di una sorgente di ioni di metallo Al con una durata di vita di \u2265150 ore, riduce la frequenza di manutenzione e migliora i tempi di attivit\u00e0.<\/p>\n

Elevata capacit\u00e0 di produzione<\/h3>\n

Supporta una produttivit\u00e0 di \u2265 200 wafer all'ora, adatta agli ambienti di produzione di semiconduttori.<\/p>\n

Compatibilit\u00e0 di processo avanzata<\/h3>\n

Compatibile con i processi SiC e con la produzione convenzionale di semiconduttori a base di silicio.<\/p>\n

\"\"\"\"<\/p>\n

\n

Specifiche principali<\/h2>\n

Parametri di processo<\/h3>\n
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\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Dimensione del wafer<\/td>\n6-8 pollici<\/td>\n<\/tr>\n
Gamma energetica<\/td>\n5-350 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Elementi impiantati<\/td>\nC, Al, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Intervallo di dose<\/td>\n1E11-1E17 ioni\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Prestazioni del fascio<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Stabilit\u00e0 della trave<\/td>\n\u2264 10% \/ ora (\u22641 interruzione del fascio o arco elettrico all'ora)<\/td>\n<\/tr>\n
Parallelismo del fascio<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Accuratezza dell'impianto<\/h3>\n
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\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gamma dell'angolo dell'impianto<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Precisione dell'angolo<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformit\u00e0 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Ripetibilit\u00e0 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Prestazioni del sistema<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Produttivit\u00e0<\/td>\n\u2265 200 wafer all'ora<\/td>\n<\/tr>\n
Temperatura massima del mandrino<\/td>\n500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Dimensioni dell'apparecchiatura<\/td>\n6270 \u00d7 3500 \u00d7 3000 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Livello di vuoto<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Perdita di raggi X<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modalit\u00e0 di scansione<\/td>\nScansione elettrostatica orizzontale + scansione meccanica verticale<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Campi di applicazione<\/h2>\n

Produzione di semiconduttori SiC<\/h3>\n

Utilizzato nella fabbricazione di dispositivi in carburo di silicio che richiedono processi di impiantazione ionica ad alta temperatura.<\/p>\n

Lavorazione dei semiconduttori a base di silicio<\/h3>\n

Applicabile alla produzione di circuiti integrati e CMOS su wafer da 6 e 8 pollici.<\/p>\n

Processi di impianto ad alta temperatura<\/h3>\n

Adatto ai processi che richiedono temperature elevate per ridurre i danni al cristallo e migliorare l'attivazione del drogante.<\/p>\n

Fabbricazione di dispositivi di potenza<\/h3>\n

Utilizzato nei dispositivi a semiconduttore di potenza che richiedono processi di impiantazione profonda e ad alta energia.<\/p>\n

Ingegneria avanzata dei materiali<\/h3>\n

Supporta l'impiantazione ionica nei materiali per semiconduttori avanzati e negli ambienti di sviluppo dei processi.<\/p>\n

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Domande frequenti<\/h2>\n

1. Quali sono le dimensioni dei wafer supportate da Ai350HT?<\/h3>\n

Il sistema supporta wafer da 6 e 8 pollici ed \u00e8 adatto alle linee di produzione di semiconduttori a base di silicio e SiC.<\/p>\n

2. Qual \u00e8 la temperatura massima supportata durante l'impianto?<\/h3>\n

Il sistema supporta l'impianto ad alta temperatura, fino a 500\u00b0C, utilizzando un mandrino elettrostatico riscaldato con serraggio meccanico.<\/p>\n

3. Quali sono i principali vantaggi di questo sistema per i processi SiC?<\/h3>\n

Il sistema combina capacit\u00e0 ad alta temperatura, prestazioni stabili del fascio e compatibilit\u00e0 con i processi SiC, rendendolo adatto ad applicazioni di semiconduttori a largo bandgap.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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