{"id":2354,"date":"2026-04-22T06:34:59","date_gmt":"2026-04-22T06:34:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2354"},"modified":"2026-04-22T07:16:34","modified_gmt":"2026-04-22T07:16:34","slug":"ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Sistema di impianto ionico ad alta temperatura Ai300 (fascio medio) per la lavorazione di wafer da 12 pollici"},"content":{"rendered":"

\"SistemaIl sistema di impiantazione ionica ad alta temperatura Ai300 (Medium Beam) \u00e8 progettato per linee di produzione di wafer di silicio da 12 pollici. Si tratta di un implanter ionico a media corrente sviluppato per processi di drogaggio avanzati in applicazioni di semiconduttori a base di silicio e a largo bandgap, comprese le linee di processo SiC.<\/p>\n

Il sistema supporta una gamma di energie da 5 keV a 300 keV, consentendo un impianto flessibile dalla formazione di giunzioni poco profonde alle applicazioni di drogaggio profondo. \u00c8 dotato di uno stadio per wafer riscaldato ad alta temperatura con una temperatura massima di 400\u00b0C, che consente una migliore attivazione del drogante e una riduzione del danno reticolare durante l'impianto.<\/p>\n

Grazie alle prestazioni stabili del fascio, al controllo di alta precisione e alla compatibilit\u00e0 con i processi di circuiti integrati su larga scala, il sistema Ai300 \u00e8 adatto agli ambienti avanzati di produzione dei semiconduttori.<\/p>\n

\n

Caratteristiche<\/h2>\n

Capacit\u00e0 di impianto ad alta temperatura<\/h3>\n

Dotato di uno stadio wafer riscaldato che supporta temperature fino a 400\u00b0C, migliorando la qualit\u00e0 dell'impianto e l'efficienza di attivazione del drogante.<\/p>\n

Ampia gamma di energia<\/h3>\n

L'intervallo di energia di 5-300 keV supporta processi di impiantazione sia superficiali che profondi per strutture di dispositivi avanzati.<\/p>\n

Controllo del fascio ad alta precisione<\/h3>\n

Fornisce un impianto di alta precisione con accuratezza angolare \u2264 0,1\u00b0, parallelismo del fascio \u2264 0,1\u00b0, uniformit\u00e0 \u2264 0,5% e ripetibilit\u00e0 \u2264 0,5%.<\/p>\n

Prestazioni ad alto rendimento<\/h3>\n

Supporta una produttivit\u00e0 fino a \u2265 500 wafer all'ora, adatta alla produzione di semiconduttori in grandi volumi.<\/p>\n

Capacit\u00e0 di sorgente ionica avanzata<\/h3>\n

Supporta pi\u00f9 elementi impiantati, tra cui C, B, P, N, He e Ar, soddisfacendo i diversi requisiti di processo dei semiconduttori.<\/p>\n

Compatibilit\u00e0 del processo LSI<\/h3>\n

Completamente compatibile con i processi di produzione di circuiti integrati su larga scala e con la fabbricazione di dispositivi avanzati.<\/p>\n

\"\" \"\"<\/p>\n

\n

Specifiche principali<\/h2>\n

Parametri di processo<\/h3>\n
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\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Dimensione del wafer<\/td>\n12 pollici<\/td>\n<\/tr>\n
Gamma energetica<\/td>\n5-300 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Elementi impiantati<\/td>\nC, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Intervallo di dose<\/td>\n1E11-1E16 ioni\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Prestazioni del fascio<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Stabilit\u00e0 della trave<\/td>\n\u2264 10% \/ ora (\u22641 interruzione del fascio o arco elettrico all'ora)<\/td>\n<\/tr>\n
Parallelismo del fascio<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Accuratezza dell'impianto<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gamma dell'angolo dell'impianto<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Precisione dell'angolo<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformit\u00e0 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Ripetibilit\u00e0 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Prestazioni del sistema<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Produttivit\u00e0<\/td>\n\u2265 500 wafer all'ora<\/td>\n<\/tr>\n
Temperatura massima dell'impianto<\/td>\n400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Dimensioni dell'apparecchiatura<\/td>\n6400 \u00d7 3640 \u00d7 3100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Livello di vuoto<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Perdita di raggi X<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modalit\u00e0 di scansione<\/td>\nScansione elettrostatica orizzontale + scansione meccanica verticale<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Campi di applicazione<\/h2>\n

Lavorazione dei semiconduttori SiC<\/h3>\n

Utilizzato nella fabbricazione di dispositivi in carburo di silicio, a supporto dei processi di impiantazione ad alta temperatura richiesti per i materiali ad ampio bandgap.<\/p>\n

Produzione di semiconduttori a base di silicio<\/h3>\n

Applicabile alle linee di produzione di wafer di silicio da 12 pollici per la fabbricazione di circuiti integrati CMOS e avanzati.<\/p>\n

Processi di impianto ad alta temperatura<\/h3>\n

Supporta i processi di impiantazione che richiedono una temperatura elevata del wafer per ridurre i difetti e migliorare l'attivazione del drogante.<\/p>\n

Fabbricazione di dispositivi di potenza<\/h3>\n

Adatto per i dispositivi a semiconduttore di potenza che richiedono un drogaggio preciso e un impianto ad alta energia.<\/p>\n

Produzione avanzata di circuiti integrati<\/h3>\n

Supporta l'integrazione di processi LSI con requisiti di alta precisione e alta produttivit\u00e0.<\/p>\n

\n

Domande frequenti<\/h2>\n

1. Quali dimensioni di wafer supporta il sistema Ai300?<\/h3>\n

Il sistema \u00e8 progettato per wafer di silicio da 12 pollici ed \u00e8 adatto a linee di produzione di semiconduttori avanzate.<\/p>\n

2. Qual \u00e8 il vantaggio principale della capacit\u00e0 di impianto ad alta temperatura?<\/h3>\n

Il sistema supporta l'impiantazione fino a 400\u00b0C, il che contribuisce a ridurre i danni al reticolo, a migliorare l'attivazione del drogante e a migliorare le prestazioni complessive del dispositivo.<\/p>\n

3. Quale livello di precisione e di efficienza produttiva offre il sistema?<\/h3>\n

Il sistema offre una precisione angolare di 0,1 gradi, un parallelismo del fascio di 0,1 gradi e un'uniformit\u00e0 e ripetibilit\u00e0 dello 0,5%, con una produttivit\u00e0 fino a 500 wafer all'ora.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Il sistema di impiantazione ionica ad alta temperatura Ai300 (Medium Beam) \u00e8 progettato per linee di produzione di wafer di silicio da 12 pollici. 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