{"id":2346,"date":"2026-04-22T05:56:29","date_gmt":"2026-04-22T05:56:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2346"},"modified":"2026-04-22T07:25:08","modified_gmt":"2026-04-22T07:25:08","slug":"ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Sistema di impianto ionico a temperatura ambiente Ai250 (fascio medio) per la lavorazione di wafer di silicio da 6-8 pollici"},"content":{"rendered":"

\"\"Il sistema di impiantazione ionica Ai250 (Medium Beam) \u00e8 progettato per linee di produzione di wafer di silicio da 6 e 8 pollici. Si tratta di un implanter ionico a media corrente utilizzato nei processi di fabbricazione di circuiti integrati avanzati, che offre prestazioni stabili del fascio, elevata precisione di impianto e un controllo affidabile della dose.<\/p>\n

Il sistema supporta una gamma di energie da 5 keV a 250 keV, consentendo applicazioni di impiantazione ionica sia superficiale che profonda. \u00c8 adatto a un'ampia gamma di processi di drogaggio dei semiconduttori ed \u00e8 pienamente compatibile con i requisiti di produzione degli LSI.<\/p>\n

\n

Caratteristiche<\/h2>\n

Prestazioni stabili del fascio medio<\/h3>\n

Garantisce la stabilit\u00e0 del fascio ionico durante i lunghi cicli di produzione, migliorando la coerenza del processo e riducendo la variabilit\u00e0.<\/p>\n

Ampio intervallo di energia<\/h3>\n

L'intervallo di energia di 5-250 keV supporta requisiti di impianto flessibili per diverse strutture di dispositivi e nodi di processo.<\/p>\n

Controllo di processo ad alta precisione<\/h3>\n

Fornisce prestazioni di impianto di elevata precisione con accuratezza angolare \u2264 0,2\u00b0, parallelismo del fascio \u2264 0,2\u00b0, uniformit\u00e0 \u2264 0,5% e ripetibilit\u00e0 \u2264 0,5%.<\/p>\n

Elevata capacit\u00e0 di produzione<\/h3>\n

Supporta \u2265 200 wafer all'ora, adatti alla produzione di semiconduttori in volumi medio-alti.<\/p>\n

Funzione dell'impianto modello<\/h3>\n

Supporta l'impianto di pi\u00f9 zone e quadranti su un singolo wafer, migliorando la flessibilit\u00e0 del processo e riducendo i costi di sviluppo.<\/p>\n

Compatibilit\u00e0 del processo LSI<\/h3>\n

Completamente compatibile con i processi di produzione dei semiconduttori LSI.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

Specifiche principali<\/h2>\n

Parametri di processo<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Dimensione del wafer<\/td>\nWafer di silicio da 6-8 pollici<\/td>\n<\/tr>\n
Gamma energetica<\/td>\n5-250 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Elementi impiantati<\/td>\nB+, P+, As+, Ar+, N+, H+<\/td>\n<\/tr>\n
Intervallo di dose<\/td>\n5E11-1E16 ioni\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Prestazioni del fascio<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Corrente massima del fascio<\/td>\nAr+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nB+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nP+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nN+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Stabilit\u00e0 della trave<\/td>\n\u2264 15% \/ ora (interruzione del fascio e arco elettrico \u2264 1 volta all'ora)<\/td>\n<\/tr>\n
Parallelismo del fascio<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Accuratezza dell'impianto<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gamma dell'angolo dell'impianto<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Precisione dell'angolo<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformit\u00e0 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (B+, 2E14, 150 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Ripetibilit\u00e0 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Prestazioni del sistema<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Articolo<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Produttivit\u00e0<\/td>\n\u2265 200 wafer all'ora<\/td>\n<\/tr>\n
Livello di vuoto<\/td>\n< 5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Perdita di raggi X<\/td>\n\u2264 0,6 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modalit\u00e0 di scansione<\/td>\nScansione elettrostatica orizzontale + scansione meccanica verticale<\/td>\n<\/tr>\n
Dimensioni dell'apparecchiatura<\/td>\n5600 \u00d7 3300 \u00d7 2600 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Campi di applicazione<\/h2>\n

Produzione di dispositivi a semiconduttore<\/h3>\n

Utilizzato nella produzione di dispositivi logici CMOS, fornisce un impianto preciso di drogante per la formazione dei transistor.<\/p>\n

Fabbricazione di circuiti integrati<\/h3>\n

Applicato nei processi di produzione di LSI e IC avanzati che richiedono un controllo del drogaggio ad alta precisione.<\/p>\n

Formazione della giunzione superficiale e profonda<\/h3>\n

Supporta i processi di impiantazione per l'ingegneria source\/drain e il controllo della profondit\u00e0 della giunzione.<\/p>\n

Ingegneria dei droganti<\/h3>\n

Utilizzato per controllare le propriet\u00e0 elettriche dei wafer di silicio attraverso un'accurata impiantazione ionica.<\/p>\n

Sviluppo di processo e R&S<\/h3>\n

Adatto allo sviluppo di processi di semiconduttori, alla produzione pilota e alla fabbricazione di dispositivi sperimentali.<\/p>\n

\n

Domande frequenti<\/h2>\n

1. Quali sono le dimensioni dei wafer supportate da Ai250<\/h3>\n

Il sistema supporta wafer di silicio da 6 e 8 pollici ed \u00e8 adatto alle principali linee di produzione di semiconduttori.<\/p>\n

2. Qual \u00e8 l'intervallo di energia del sistema<\/h3>\n

L'intervallo di energia va da 5 keV a 250 keV, supportando processi di impiantazione sia superficiali che profondi per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore.<\/p>\n

3. Quale livello di accuratezza del processo fornisce il sistema?<\/h3>\n

Il sistema offre una precisione angolare di 0,2\u00b0, un parallelismo del fascio di 0,2\u00b0 e un'uniformit\u00e0 e ripetibilit\u00e0 di 0,5%, garantendo prestazioni di produzione stabili e ad alto rendimento.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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