![\"Apparecchiatura](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-300x300.png\")
L'apparecchiatura di impiantazione ionica Ai80HC (High Beam) \u00e8 un implanter ionico ad alta corrente progettato specificamente per le linee di produzione di semiconduttori con wafer di silicio da 12 pollici. \u00c8 stato progettato per processi di drogaggio di precisione avanzati nella moderna produzione di circuiti integrati, offrendo prestazioni stabili del fascio, elevata ripetibilit\u00e0 del processo ed eccellente accuratezza del controllo della dose.<\/p>\n
Il sistema opera in un ampio intervallo di energia da 0,5 keV a 80 keV, consentendo condizioni di impianto flessibili per l'ingegnerizzazione di giunzioni sia superficiali che di media profondit\u00e0. Supporta diverse specie di impianto, tra cui \u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b3\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a e \u00b9H\u207a, rendendolo adatto a un'ampia gamma di processi di fabbricazione di dispositivi CMOS e logici avanzati.<\/p>\n
Con una gamma di angoli di impiantazione da 0\u00b0 a 45\u00b0 e un'elevata precisione angolare di \u2264 0,1\u00b0, il sistema assicura un controllo preciso della distribuzione del drogante e dell'ingegneria del profilo della giunzione. Grazie al parallelismo del fascio di \u2264 0,3\u00b0 e all'uniformit\u00e0 di \u2264 1% (1\u03c3), Ai80HC (High Beam) offre una stabilit\u00e0 di processo costante da wafer a wafer e all'interno del wafer.<\/p>\n
Progettato per ambienti di produzione ad alta efficienza, il sistema raggiunge una produttivit\u00e0 di \u2265 200 wafer all'ora (WPH) mantenendo una rigorosa stabilit\u00e0 di processo, rendendolo adatto alle linee di produzione di semiconduttori avanzati compatibili con gli LSI.<\/p>\n
L'Ai80HC adotta un progetto di linea di fascio maturo e affidabile, composto da:<\/p>\n
\u00c8 dotato di:<\/p>\n
Questa architettura garantisce un'elevata stabilit\u00e0 del fascio, una riduzione dei tempi di inattivit\u00e0 per la manutenzione e una migliore ripetibilit\u00e0 del processo.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-1024x388.png\")
<\/p>\n
| Articolo<\/th>\n | Specifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Dimensione del wafer<\/td>\n | 12 pollici<\/td>\n<\/tr>\n |
| Gamma energetica<\/td>\n | 0,5 - 80 keV<\/td>\n<\/tr>\n |
| Elementi impiantati<\/td>\n | \u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b3\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a, \u00b9H\u207a<\/td>\n<\/tr>\n |
| Angolo dell'impianto<\/td>\n | 0\u00b0 - 45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Precisione dell'angolo<\/td>\n | \u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Intervallo di dose<\/td>\n | 5E11 - 1E17 ioni\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Stabilit\u00e0 della trave<\/td>\n | \u2264 10% \/ ora (entro 60 minuti; interruzione del fascio e arco elettrico \u2264 1 volta)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Parallelismo del fascio<\/td>\n | \u2264 0.3\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Portata (WPH)<\/td>\n | \u2265 200 wafer\/ora<\/td>\n<\/tr>\n |
| Uniformit\u00e0 (1\u03c3)<\/td>\n | \u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n |
| Ripetibilit\u00e0 (1\u03c3)<\/td>\n | \u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n |
| Compatibilit\u00e0 dei processi<\/td>\n | Compatibile con il processo LSI<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\nCaratteristiche e vantaggi principali<\/h2>\n |