{"id":2327,"date":"2026-04-21T06:21:20","date_gmt":"2026-04-21T06:21:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2327"},"modified":"2026-04-21T06:21:21","modified_gmt":"2026-04-21T06:21:21","slug":"wafer-thinning-system-precision-back-grinding-equipment-for-si-sic-and-4-to-12-inch-semiconductor-wafers","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/wafer-thinning-system-precision-back-grinding-equipment-for-si-sic-and-4-to-12-inch-semiconductor-wafers\/","title":{"rendered":"Sistema di assottigliamento dei wafer Attrezzatura di rettifica posteriore di precisione per wafer a semiconduttore Si SiC e da 4 a 12 pollici"},"content":{"rendered":"

\"SistemaL'apparecchiatura di rettifica posteriore di precisione Wafer Thinning System \u00e8 una soluzione di lavorazione dei wafer ad alta precisione progettata per la produzione avanzata di semiconduttori. Supporta wafer da 4 a 12 pollici, tra cui silicio (Si), carburo di silicio (SiC), arseniuro di gallio (GaAs), zaffiro e altri materiali semiconduttori composti fragili.<\/p>\n

Questo sistema \u00e8 stato progettato per l'assottigliamento ultrapreciso del lato posteriore dei wafer, consentendo la riduzione dello spessore a livelli di micron e sub-micron, mantenendo un'eccellente integrit\u00e0 della superficie. Svolge un ruolo fondamentale nella produzione di packaging avanzato, dispositivi di potenza, MEMS e semiconduttori composti.<\/p>\n

Grazie all'integrazione di un design meccanico ad alta rigidit\u00e0, del controllo di precisione dell'asse Z e del monitoraggio dello spessore in tempo reale, l'apparecchiatura garantisce prestazioni di lavorazione stabili e ripetibili per la produzione su scala industriale.<\/p>\n

\n

Caratteristiche tecniche principali<\/span><\/h2>\n

Controllo dello spessore ad alta precisione<\/span><\/h3>\n
    \n
  • Precisione dello spessore: \u00b11 \u03bcm<\/li>\n
  • Variazione dello spessore totale (TTV): \u22642 \u03bcm<\/li>\n
  • I modelli avanzati raggiungono un controllo sub-micronico fino a \u00b10,5 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n

    \"\"Ampia compatibilit\u00e0 con i materiali<\/span><\/h3>\n

    Supporta un'ampia gamma di semiconduttori e materiali fragili:<\/p>\n

      \n
    • Silicio (Si)<\/li>\n
    • Carburo di silicio (SiC)<\/li>\n
    • Arsenuro di gallio (GaAs)<\/li>\n
    • Zaffiro (Al\u2082O\u2083)<\/li>\n
    • Altri wafer di semiconduttori composti<\/li>\n<\/ul>\n

      Compatibilit\u00e0 con le dimensioni dei wafer<\/span><\/h3>\n
        \n
      • Cialde da 4 pollici \/ 6 pollici \/ 8 pollici \/ 10 pollici \/ 12 pollici<\/li>\n
      • Gestione flessibile di substrati standard e personalizzati<\/li>\n<\/ul>\n

        Sistema meccanico ad alta stabilit\u00e0<\/span><\/h3>\n
          \n
        • Mandrino a cuscinetto d'aria ad alta rigidit\u00e0<\/li>\n
        • Piattaforma di rettifica di precisione a basse vibrazioni<\/li>\n
        • Vite a sfera importata + sistema di guida lineare<\/li>\n
        • Controllo del servomotore ad alta precisione (risoluzione di 0,1 \u03bcm)<\/li>\n<\/ul>\n

          Sistema di raffreddamento avanzato<\/span><\/h3>\n
            \n
          • Il sistema di raffreddamento ad acqua del mandrino garantisce la stabilit\u00e0 termica<\/li>\n
          • Impedisce la deformazione durante la rettifica ad alta velocit\u00e0<\/li>\n<\/ul>\n
            \n

            Configurazione del sistema<\/span><\/h2>\n

            Il sistema di assottigliamento dei wafer integra pi\u00f9 moduli funzionali:<\/p>\n

            1. Modulo di rettifica di precisione<\/span><\/h3>\n

            Esegue una rimozione controllata del materiale con un'elevata uniformit\u00e0 della superficie.<\/p>\n

            2. Sistema di controllo di precisione dell'asse Z<\/span><\/h3>\n

            Consente una regolazione verticale ultra-fine per ottenere uno spessore costante del wafer.<\/p>\n

            3. Sistema di misurazione dello spessore<\/span><\/h3>\n

            La misura in tempo reale di contatto\/non contatto garantisce la stabilit\u00e0 del processo.<\/p>\n

            4. Mandrino per wafer a vuoto<\/span><\/h3>\n

            Fissaggio sicuro dei wafer, comprese soluzioni personalizzate per wafer irregolari.<\/p>\n

            5. Sistema di controllo dell'automazione<\/span><\/h3>\n
              \n
            • Modalit\u00e0 di funzionamento Full-auto \/ Semi-auto<\/li>\n
            • Registrazione del registro delle operazioni<\/li>\n
            • Controllo del processo basato sulle ricette<\/li>\n<\/ul>\n
              \n

              \"\" Capacit\u00e0 di elaborazione<\/span><\/h2>\n

              Il sistema \u00e8 progettato per la lavorazione del lato posteriore dei wafer ad alte prestazioni:<\/p>\n

                \n
              • Rettifica posteriore dei wafer di silicio<\/li>\n
              • Assottigliamento dei wafer di SiC per dispositivi di potenza<\/li>\n
              • Assottigliamento del substrato GaN e GaAs<\/li>\n
              • Assottigliamento di precisione dei wafer di zaffiro<\/li>\n
              • Preparazione di wafer ultrasottili per il confezionamento 3D<\/li>\n<\/ul>\n
                \n

                Applicazioni<\/span><\/h2>\n

                1. Dispositivi a semiconduttore di potenza<\/span><\/h3>\n

                Utilizzato nei MOSFET SiC, negli IGBT e nei dispositivi ad alta tensione che richiedono wafer ultrasottili.<\/p>\n

                \"\"2. Imballaggio avanzato<\/span><\/h3>\n

                Supporta l'assottigliamento dei wafer per:<\/p>\n

                  \n
                • Confezionamento di flip-chip<\/li>\n
                • Integrazione IC 2.5D \/ 3D<\/li>\n
                • Processi TSV (Through Silicon Via)<\/li>\n<\/ul>\n

                  3. Semiconduttori composti<\/span><\/h3>\n

                  Applicabile alla fabbricazione di dispositivi GaN, GaAs e InP.<\/p>\n

                  4. LED e optoelettronica<\/span><\/h3>\n

                  Assottigliamento di wafer in zaffiro e composti per chip LED e dispositivi ottici.<\/p>\n

                  \n

                  Vantaggi<\/span><\/h2>\n
                    \n
                  • Tecnologia di assottigliamento dei wafer matura e stabile<\/li>\n
                  • Sistema di rettifica ad alta precisione in ingresso<\/li>\n
                  • Eccellente controllo della rugosit\u00e0 superficiale<\/li>\n
                  • Elevato UPH (fino a 30 wafer\/ora per i processi standard)<\/li>\n
                  • Forte adattabilit\u00e0 ai materiali fragili e duri<\/li>\n
                  • Capacit\u00e0 di integrazione dei processi completamente automatizzata<\/li>\n<\/ul>\n
                    \n

                    Caratteristiche principali delle prestazioni<\/span><\/h2>\n
                      \n
                    • Risoluzione minima: 0,1 \u03bcm\/s Controllo asse Z<\/li>\n
                    • Uniformit\u00e0 dello spessore: \u22641-2 \u03bcm TTV<\/li>\n
                    • Mandrino ad alta velocit\u00e0 con vibrazioni ridottissime<\/li>\n
                    • Monitoraggio e registrazione dei processi in tempo reale<\/li>\n
                    • Compatibile con gli ambienti di ricerca e sviluppo e di produzione di massa<\/li>\n<\/ul>\n
                      \n

                      Opzioni di personalizzazione<\/span><\/h2>\n

                      Forniamo una personalizzazione flessibile per le diverse esigenze industriali:<\/p>\n

                        \n
                      • Mandrini per wafer personalizzati (forme irregolari)<\/li>\n
                      • Campo di misura dello spessore esteso (fino a 40 mm)<\/li>\n
                      • Personalizzazione delle ricette di processo<\/li>\n
                      • Integrazione dell'automazione con le apparecchiature a monte e a valle<\/li>\n<\/ul>\n
                        \n

                        FAQ<\/span><\/h2>\n

                        D1: Questo sistema pu\u00f2 processare wafer SiC?<\/span><\/h3>\n

                        S\u00ec, \u00e8 specificamente ottimizzato per l'assottigliamento dei wafer SiC e la rettifica del lato posteriore, adatto alle applicazioni dei dispositivi di potenza.<\/p>\n

                        D2: Qual \u00e8 la precisione di spessore raggiungibile?<\/span><\/h3>\n

                        I modelli standard raggiungono \u00b11 \u03bcm, mentre le configurazioni di fascia alta possono raggiungere \u00b10,5 \u03bcm con TTV \u22641 \u03bcm.<\/p>\n

                        D3: Supporta l'automazione completa?<\/span><\/h3>\n

                        S\u00ec, sono disponibili sia la modalit\u00e0 full-auto che quella semi-auto, a seconda delle esigenze di produzione.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                        L'apparecchiatura di rettifica posteriore di precisione Wafer Thinning System \u00e8 una soluzione di lavorazione dei wafer ad alta precisione progettata per la produzione avanzata di semiconduttori. Supporta wafer da 4 a 12 pollici, tra cui silicio (Si), carburo di silicio (SiC), arseniuro di gallio (GaAs), zaffiro e altri materiali semiconduttori composti fragili. 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