{"id":2316,"date":"2026-04-21T06:05:44","date_gmt":"2026-04-21T06:05:44","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&#038;p=2316"},"modified":"2026-04-21T06:05:45","modified_gmt":"2026-04-21T06:05:45","slug":"ion-beam-etching-machine-for-si-sio2-and-metal-materials-in-semiconductor-fabrication","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/ion-beam-etching-machine-for-si-sio2-and-metal-materials-in-semiconductor-fabrication\/","title":{"rendered":"Macchina per l'incisione a fascio ionico di Si SiO2 e materiali metallici nella fabbricazione di semiconduttori"},"content":{"rendered":"<p data-start=\"297\" data-end=\"643\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2320 alignright\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication-300x300.webp\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication-300x300.webp 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication-150x150.webp 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication-12x12.webp 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication-600x600.webp 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication-100x100.webp 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication.webp 750w\" sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>La macchina per l'incisione a fascio ionico di Si, SiO2 e materiali metallici \u00e8 un sistema di incisione a secco di alta precisione progettato per applicazioni avanzate di microfabbricazione e nanotecnologia. Utilizzando l'incisione a fascio ionico (IBE), nota anche come fresatura ionica, questa apparecchiatura consente un'elevata rimozione di materiale attraverso un processo di sputtering puramente fisico.<\/p>\n<p data-start=\"645\" data-end=\"961\">A differenza delle tradizionali tecnologie di incisione al plasma, l'incisione a fascio ionico non espone il substrato direttamente al plasma. Ci\u00f2 riduce significativamente i rischi di danni, contaminazione e accumulo di carica indotti dal plasma, rendendola particolarmente adatta alla produzione di semiconduttori e dispositivi ottici sensibili.<\/p>\n<p data-start=\"963\" data-end=\"1148\">Grazie alla precisione a livello nanometrico e all'eccellente controllabilit\u00e0 del processo, questo sistema \u00e8 ampiamente utilizzato nella produzione di semiconduttori, nella lavorazione di film sottili e nella ricerca sui materiali avanzati.<\/p>\n<hr data-start=\"1150\" data-end=\"1153\" \/>\n<h2 data-section-id=\"17sw59i\" data-start=\"1155\" data-end=\"1184\"><span role=\"text\"><img decoding=\"async\" class=\"wp-image-2324 alignright\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication7-300x125.png\" alt=\"\" width=\"458\" height=\"191\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication7-300x125.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication7-18x7.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication7-600x250.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication7.png 680w\" sizes=\"(max-width: 458px) 100vw, 458px\" \/>Caratteristiche tecniche principali<\/span><\/h2>\n<ul data-start=\"1186\" data-end=\"1929\">\n<li data-section-id=\"7yo1gz\" data-start=\"1186\" data-end=\"1324\">Altissima precisione<br data-start=\"1212\" data-end=\"1215\" \/>Raggiunge una risoluzione di incisione di \u226410 nm, soddisfacendo i requisiti avanzati di semiconduttori e nanofabbricazione.<\/li>\n<li data-section-id=\"csgjgf\" data-start=\"1326\" data-end=\"1497\">Capacit\u00e0 di incisione non selettiva<br data-start=\"1364\" data-end=\"1367\" \/>Consente un'incisione uniforme su diversi materiali, tra cui metalli, semiconduttori e dielettrici, senza dipendenza chimica.<\/li>\n<li data-section-id=\"1xlwjqh\" data-start=\"1499\" data-end=\"1667\">Controllo anisotropo e direzionale<br data-start=\"1540\" data-end=\"1543\" \/>Gli angoli del fascio di ioni regolabili consentono profili di incisione anisotropi e isotropi, supportando il trasferimento di modelli complessi.<\/li>\n<li data-section-id=\"1ialgp0\" data-start=\"1669\" data-end=\"1793\">Ambiente di lavorazione privo di plasma<br data-start=\"1709\" data-end=\"1712\" \/>Elimina i danni indotti dal plasma, garantendo una maggiore affidabilit\u00e0 e resa dei dispositivi.<\/li>\n<li data-section-id=\"1squn5z\" data-start=\"1795\" data-end=\"1929\">Eccellente qualit\u00e0 della superficie<br data-start=\"1826\" data-end=\"1829\" \/>Produce superfici lisce con rugosit\u00e0 ridotta, fondamentali per le applicazioni ottiche ed elettroniche.<\/li>\n<\/ul>\n<hr data-start=\"1931\" data-end=\"1934\" \/>\n<h2 data-section-id=\"crb813\" data-start=\"1936\" data-end=\"1965\"><span role=\"text\">Componenti del sistema principale<\/span><\/h2>\n<p data-start=\"1967\" data-end=\"2042\">Un sistema completo di incisione a fascio ionico \u00e8 costituito da diversi sottosistemi critici:<\/p>\n<h3 data-section-id=\"j86wbp\" data-start=\"2044\" data-end=\"2068\"><span role=\"text\">1. Sistema del vuoto<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"2069\" data-end=\"2118\">Fornisce un ambiente ad alto vuoto essenziale per:<\/p>\n<ul data-start=\"2119\" data-end=\"2193\">\n<li data-section-id=\"1vzt3vq\" data-start=\"2119\" data-end=\"2137\">Stabilit\u00e0 della trave<\/li>\n<li data-section-id=\"svkbf3\" data-start=\"2138\" data-end=\"2163\">Controllo della contaminazione<\/li>\n<li data-section-id=\"19d0yza\" data-start=\"2164\" data-end=\"2193\">Lavorazione di alta precisione<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-section-id=\"8jigvj\" data-start=\"2195\" data-end=\"2216\"><span role=\"text\">2. Sorgente ionica<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"2217\" data-end=\"2272\">Genera un fascio di ioni ad alta energia (solitamente ioni di argon):<\/p>\n<ul data-start=\"2273\" data-end=\"2386\">\n<li data-section-id=\"116c4dh\" data-start=\"2273\" data-end=\"2315\">Determina la velocit\u00e0 di incisione e l'uniformit\u00e0<\/li>\n<li data-section-id=\"bdpzju\" data-start=\"2316\" data-end=\"2386\">Supporta diversi tipi di sorgenti, come le sorgenti ioniche RF e Kaufman.<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-section-id=\"1tpsqxl\" data-start=\"2388\" data-end=\"2411\"><span role=\"text\">3. Fase di campionamento<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"2412\" data-end=\"2530\">\n<li data-section-id=\"d3z3he\" data-start=\"2412\" data-end=\"2468\">Supporta la rotazione multiasse per un'incisione uniforme<\/li>\n<li data-section-id=\"15yipgz\" data-start=\"2469\" data-end=\"2530\">Il controllo integrato della temperatura migliora la stabilit\u00e0 del processo<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-section-id=\"qoosxq\" data-start=\"2532\" data-end=\"2557\"><span role=\"text\">4. Sistema di controllo<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"2558\" data-end=\"2705\">\n<li data-section-id=\"1mqnqw1\" data-start=\"2558\" data-end=\"2587\">Funzionamento completamente automatizzato<\/li>\n<li data-section-id=\"ymbyxd\" data-start=\"2588\" data-end=\"2643\">Consente un controllo preciso dei parametri e la ripetibilit\u00e0<\/li>\n<li data-section-id=\"1kjf28e\" data-start=\"2644\" data-end=\"2705\">Rilevamento opzionale del punto finale per un controllo avanzato del processo<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-section-id=\"97rafg\" data-start=\"2707\" data-end=\"2729\"><span role=\"text\">5. Neutralizzatore<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"2730\" data-end=\"2836\">\n<li data-section-id=\"12j0ebp\" data-start=\"2730\" data-end=\"2772\">Previene l'accumulo di carica durante l'incisione<\/li>\n<li data-section-id=\"1o4nvb1\" data-start=\"2773\" data-end=\"2836\">Essenziale per i materiali isolanti come SiO\u2082 e Si\u2083N\u2084<\/li>\n<\/ul>\n<hr data-start=\"2838\" data-end=\"2841\" \/>\n<h2 data-section-id=\"sgqumq\" data-start=\"2843\" data-end=\"2867\"><span role=\"text\">Principio di funzionamento<\/span><\/h2>\n<p data-start=\"2869\" data-end=\"3006\"><img decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2321 alignright\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-1-300x235.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"235\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-1-300x235.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-1-15x12.png 15w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-1-600x469.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-1.png 680w\" sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>L'incisione a fascio ionico funziona dirigendo un fascio di ioni collimati ad alta energia verso la superficie del materiale bersaglio in condizioni di vuoto.<\/p>\n<p data-start=\"3008\" data-end=\"3253\">Gli ioni (tipicamente Ar\u207a) si scontrano con gli atomi della superficie, trasferendo la quantit\u00e0 di moto e provocando l'espulsione degli atomi tramite sputtering fisico. Questo processo rimuove il materiale strato per strato, consentendo una definizione precisa del modello senza reazioni chimiche.<\/p>\n<p data-start=\"3255\" data-end=\"3296\">Questo rende l'IBE particolarmente adatto per:<\/p>\n<ul data-start=\"3297\" data-end=\"3403\">\n<li data-section-id=\"jy9ydi\" data-start=\"3297\" data-end=\"3333\">Trasferimento del modello ad alta risoluzione<\/li>\n<li data-section-id=\"1ihgsm0\" data-start=\"3334\" data-end=\"3376\">Materiali a bassa reattivit\u00e0 chimica<\/li>\n<li data-section-id=\"hl3mzt\" data-start=\"3377\" data-end=\"3403\">Strutture multistrato<\/li>\n<\/ul>\n<hr data-start=\"3405\" data-end=\"3408\" \/>\n<h2 data-section-id=\"gimyd4\" data-start=\"3410\" data-end=\"3440\"><span role=\"text\">Capacit\u00e0 di elaborazione<\/span><\/h2>\n<h3 data-section-id=\"ww5vbk\" data-start=\"3442\" data-end=\"3469\"><span role=\"text\">Materiali supportati<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"3470\" data-end=\"3622\">\n<li data-section-id=\"4dwycu\" data-start=\"3470\" data-end=\"3504\">Metalli: Au, Pt, Cu, Ta, Al<\/li>\n<li data-section-id=\"12wc4i0\" data-start=\"3505\" data-end=\"3537\">Semiconduttori: Si, GaAs<\/li>\n<li data-section-id=\"75kyg7\" data-start=\"3538\" data-end=\"3570\">Dielettrici: SiO\u2082, Si\u2083N\u2084<\/li>\n<li data-section-id=\"1xmdv1x\" data-start=\"3571\" data-end=\"3622\">Materiali avanzati: AlN, ceramica, polimeri<\/li>\n<\/ul>\n<hr data-start=\"3624\" data-end=\"3627\" \/>\n<h2 data-section-id=\"12vl3dy\" data-start=\"3629\" data-end=\"3656\"><span role=\"text\">Flusso di processo tipico<\/span><\/h2>\n<ol data-start=\"3658\" data-end=\"4078\">\n<li data-section-id=\"1lq2akh\" data-start=\"3658\" data-end=\"3742\">Preparazione del campione<br data-start=\"3683\" data-end=\"3686\" \/>Pulire e montare il substrato nella camera a vuoto<\/li>\n<li data-section-id=\"1uf7qj1\" data-start=\"3744\" data-end=\"3821\">Mascheramento<br data-start=\"3758\" data-end=\"3761\" \/>Applicare il fotoresist o la maschera metallica per definire le aree di incisione.<\/li>\n<li data-section-id=\"1sq3ygn\" data-start=\"3823\" data-end=\"3910\">Generazione di fasci di ioni<br data-start=\"3849\" data-end=\"3852\" \/>Attivare la sorgente ionica con gas inerte (tipicamente argon).<\/li>\n<li data-section-id=\"46esbg\" data-start=\"3912\" data-end=\"4006\">Processo di incisione<br data-start=\"3934\" data-end=\"3937\" \/>Regolare l'energia del fascio, l'angolo e il tempo per ottenere la struttura desiderata.<\/li>\n<li data-section-id=\"oeifr6\" data-start=\"4008\" data-end=\"4078\">Rimozione della maschera<br data-start=\"4027\" data-end=\"4030\" \/>Rimuovere la maschera per rivelare i modelli incisi finali<\/li>\n<\/ol>\n<hr data-start=\"4080\" data-end=\"4083\" \/>\n<h2 data-section-id=\"1myoacb\" data-start=\"4085\" data-end=\"4109\"><span role=\"text\">Aree di applicazione<\/span><\/h2>\n<h3 data-section-id=\"bm5nu5\" data-start=\"4111\" data-end=\"4146\"><span role=\"text\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"wp-image-2322 aligncenter\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication6-300x65.png\" alt=\"\" width=\"724\" height=\"157\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication6-300x65.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication6-18x4.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication6-600x130.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Ion-Beam-Etching-Machine-for-Si-SiO2-and-Metal-Materials-in-Semiconductor-Fabrication6.png 680w\" sizes=\"(max-width: 724px) 100vw, 724px\" \/>Produzione di semiconduttori<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"4147\" data-end=\"4236\">\n<li data-section-id=\"13vctk4\" data-start=\"4147\" data-end=\"4180\">Patterning di circuiti integrati<\/li>\n<li data-section-id=\"ofwy8d\" data-start=\"4181\" data-end=\"4206\">Strutturazione di film sottili<\/li>\n<li data-section-id=\"1x3kzva\" data-start=\"4207\" data-end=\"4236\">Fabbricazione di nodi avanzati<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-section-id=\"1tse075\" data-start=\"4238\" data-end=\"4261\"><span role=\"text\">Dispositivi ottici<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"4262\" data-end=\"4356\">\n<li data-section-id=\"v6a7ly\" data-start=\"4262\" data-end=\"4309\">Lavorazione di precisione di reticoli e lenti<\/li>\n<li data-section-id=\"lq2w9m\" data-start=\"4310\" data-end=\"4356\">Modifica della superficie dei componenti ottici<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-section-id=\"1wc0my6\" data-start=\"4358\" data-end=\"4380\"><span role=\"text\">Nanotecnologia<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"4381\" data-end=\"4441\">\n<li data-section-id=\"178ey7v\" data-start=\"4381\" data-end=\"4441\">Fabbricazione di nanofili, nanopori e strutture MEMS<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-section-id=\"krs816\" data-start=\"4443\" data-end=\"4468\"><span role=\"text\">Scienza dei materiali<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"4469\" data-end=\"4541\">\n<li data-section-id=\"18ntl16\" data-start=\"4469\" data-end=\"4506\">Analisi e modifica della superficie<\/li>\n<li data-section-id=\"1b8wqpz\" data-start=\"4507\" data-end=\"4541\">Preparazione del rivestimento funzionale<\/li>\n<\/ul>\n<hr data-start=\"4543\" data-end=\"4546\" \/>\n<h2 data-section-id=\"13lz0w7\" data-start=\"4548\" data-end=\"4591\"><span role=\"text\">Vantaggi rispetto all'incisione convenzionale<\/span><\/h2>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"4593\" data-end=\"4927\">\n<thead data-start=\"4593\" data-end=\"4646\">\n<tr data-start=\"4593\" data-end=\"4646\">\n<th class=\"\" data-start=\"4593\" data-end=\"4603\" data-col-size=\"sm\">Caratteristica<\/th>\n<th class=\"\" data-start=\"4603\" data-end=\"4622\" data-col-size=\"sm\">Incisione a fascio ionico<\/th>\n<th class=\"\" data-start=\"4622\" data-end=\"4646\" data-col-size=\"sm\">Incisione ionica reattiva<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"4697\" data-end=\"4927\">\n<tr data-start=\"4697\" data-end=\"4746\">\n<td data-start=\"4697\" data-end=\"4712\" data-col-size=\"sm\">Tipo di processo<\/td>\n<td data-start=\"4712\" data-end=\"4723\" data-col-size=\"sm\">Fisico<\/td>\n<td data-start=\"4723\" data-end=\"4746\" data-col-size=\"sm\">Fisico + Chimico<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4747\" data-end=\"4805\">\n<td data-start=\"4747\" data-end=\"4765\" data-col-size=\"sm\">Esposizione al plasma<\/td>\n<td data-start=\"4765\" data-end=\"4786\" data-col-size=\"sm\">Nessuna esposizione diretta<\/td>\n<td data-start=\"4786\" data-end=\"4805\" data-col-size=\"sm\">Esposizione diretta<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4806\" data-end=\"4853\">\n<td data-start=\"4806\" data-end=\"4829\" data-col-size=\"sm\">Selettivit\u00e0 del materiale<\/td>\n<td data-start=\"4829\" data-end=\"4845\" data-col-size=\"sm\">Basso (uniforme)<\/td>\n<td data-start=\"4845\" data-end=\"4853\" data-col-size=\"sm\">Alto<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4854\" data-end=\"4893\">\n<td data-start=\"4854\" data-end=\"4871\" data-col-size=\"sm\">Danno superficiale<\/td>\n<td data-start=\"4871\" data-end=\"4881\" data-col-size=\"sm\">Minimo<\/td>\n<td data-start=\"4881\" data-end=\"4893\" data-col-size=\"sm\">Possibile<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4894\" data-end=\"4927\">\n<td data-start=\"4894\" data-end=\"4906\" data-col-size=\"sm\">Precisione<\/td>\n<td data-start=\"4906\" data-end=\"4919\" data-col-size=\"sm\">Ultra-alto<\/td>\n<td data-start=\"4919\" data-end=\"4927\" data-col-size=\"sm\">Alto<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<hr data-start=\"4929\" data-end=\"4932\" \/>\n<h2 data-section-id=\"elc90z\" data-start=\"4934\" data-end=\"4944\"><span role=\"text\">FAQ<\/span><\/h2>\n<h3 data-section-id=\"1h3z74f\" data-start=\"4946\" data-end=\"4978\"><span role=\"text\">Che cos'\u00e8 l'incisione a fascio di ioni\uff1f<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"4979\" data-end=\"5122\">L'incisione a fascio ionico \u00e8 un processo di incisione a secco che rimuove il materiale mediante sputtering fisico con ioni ad alta energia in un ambiente sotto vuoto.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"1oyreis\" data-start=\"5124\" data-end=\"5153\"><span role=\"text\">Differenza IBE vs RIE\uff1f<\/span><\/h3>\n<ul data-start=\"5154\" data-end=\"5316\">\n<li data-section-id=\"6o7nxe\" data-start=\"5154\" data-end=\"5219\">IBE: puramente fisico, nessun contatto con il plasma, maggiore precisione<\/li>\n<li data-section-id=\"d79ynl\" data-start=\"5220\" data-end=\"5316\">RIE: combina reazioni chimiche con il plasma, maggiore selettivit\u00e0 ma pi\u00f9 rischio di danni.<\/li>\n<\/ul>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>La macchina per l'incisione a fascio ionico di Si, SiO2 e materiali metallici \u00e8 un sistema di incisione a secco di alta precisione progettato per applicazioni avanzate di microfabbricazione e nanotecnologia. Utilizzando l'incisione a fascio ionico (IBE), nota anche come fresatura ionica, questa apparecchiatura consente un'elevata rimozione di materiale attraverso un processo di sputtering puramente fisico.<\/p>","protected":false},"featured_media":2320,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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