![\"Rettificatrice](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/WP-301D-Double-Side-Wafer-Grinding-Machine-for-6-Inch-Semiconductor-Materials-and-Precision-Lapping-1-300x300.png\")
La rettificatrice per wafer a doppio lato WP-301D \u00e8 un sistema ad alta precisione progettato per la rettifica e la lucidatura simultanea su due lati di wafer di semiconduttori e materiali fragili. Utilizzando un avanzato sistema di movimento a ingranaggi planetari, la macchina consente la rimozione uniforme del materiale su entrambe le superfici superiore e inferiore del wafer, migliorando significativamente la planarit\u00e0 e il parallelismo.<\/p>\n
Progettato per wafer da 150 mm e inferiori, il WP-301D \u00e8 ampiamente utilizzato nella lavorazione di materiali semiconduttori composti come CdZnTe (CZT), HgCdTe (MCT), GaAs, InP e InSb. Questi materiali sono fondamentali in applicazioni quali il rilevamento a infrarossi, l'optoelettronica e i dispositivi ad alta frequenza.<\/p>\n
Grazie alla robusta struttura meccanica, al sistema di controllo di precisione e al design ottimizzato del mandrino, la WP-301D garantisce un'elevata efficienza, un'eccellente qualit\u00e0 superficiale e prestazioni stabili nella lavorazione dei lotti.<\/p>\n
La macchina elabora contemporaneamente entrambi i lati del wafer, assicurando cos\u00ec un'ottima qualit\u00e0 di lavorazione:<\/p>\n
Il sistema integrato di ingranaggi solari e anulari pu\u00f2 funzionare in modo sincrono o indipendente, consentendo un controllo flessibile del processo e percorsi di rettifica ottimizzati per diversi materiali.<\/p>\n
Dotata di un mandrino incorporato ad alta precisione, la WP-301D garantisce una rotazione stabile e vibrazioni minime, essenziali per ottenere una qualit\u00e0 costante della superficie.<\/p>\n
La macchina \u00e8 dotata di un avanzato sistema di controllo della pressione ad anello chiuso, che consente:<\/p>\n
La piastra superiore adotta una struttura di connessione flottante, che garantisce che rimanga parallela alla piastra inferiore durante la lavorazione. Ci\u00f2 migliora significativamente la planarit\u00e0 del wafer e riduce la variazione di spessore.<\/p>\n
| Articolo<\/th>\n | Specifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Dimensioni del pezzo<\/td>\n | Fino a \u00d8150 mm (6 pollici)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Velocit\u00e0 della piastra inferiore<\/td>\n | 0 - 30 giri\/minuto<\/td>\n<\/tr>\n |
| Metodo di macinazione<\/td>\n | Macinazione planetaria a doppio lato<\/td>\n<\/tr>\n |
| Quantit\u00e0 del vettore<\/td>\n | 5<\/td>\n<\/tr>\n |
| Intervallo di pressione<\/td>\n | 0,1 - 50 kg<\/td>\n<\/tr>\n |
| Materiale della piastra<\/td>\n | Vetro \/ Ceramica<\/td>\n<\/tr>\n |
| Dimensioni della macchina<\/td>\n | 1572 \u00d7 1053 \u00d7 2533 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Peso<\/td>\n | Circa 2300 kg<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n \n Principio di funzionamento<\/h2>\nIl WP-301D funziona con un meccanismo di movimento planetario, in cui i wafer sono collocati all'interno di supporti posizionati tra la piastra superiore e quella inferiore.<\/p>\n Durante il funzionamento:<\/p>\n
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![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/silicon_carbide_wafer_4inch_hpsi_350um_widely_used_for_ar_glasses3-300x300.webp\")
Applicazioni<\/h2>\n![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Wafer-Back-Grinding-Machine-300x300.png\")
Vantaggi principali<\/h2>\n