{"id":2196,"date":"2026-04-14T06:34:45","date_gmt":"2026-04-14T06:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2196"},"modified":"2026-04-14T06:34:48","modified_gmt":"2026-04-14T06:34:48","slug":"2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Wafer di carburo di silicio 6H-N da 2 pollici"},"content":{"rendered":"

\"WaferIl wafer di carburo di silicio 6H-N da 2 pollici \u00e8 un substrato a cristallo singolo progettato per applicazioni a livello di ricerca e di dispositivi. Il politipo 6H presenta una struttura cristallina esagonale che garantisce una conducibilit\u00e0 elettrica stabile e buone prestazioni termiche in condizioni difficili.<\/p>\n

Con un bandgap di circa 3,02 eV, il 6H-SiC consente di operare in ambienti in cui i materiali tradizionali di silicio falliscono, in particolare in condizioni di alta tensione, alta temperatura e alta frequenza. Questo lo rende adatto alla prototipazione di dispositivi in fase iniziale, ai test sui materiali e alla fabbricazione di componenti elettronici specializzati.<\/p>\n

I wafer SiC ZMSH sono prodotti utilizzando tecniche di crescita controllata dei cristalli per garantire una resistivit\u00e0 costante, una bassa densit\u00e0 di difetti e un'elevata qualit\u00e0 superficiale. Questi parametri sono fondamentali per garantire risultati sperimentali riproducibili e prestazioni stabili dei dispositivi.<\/p>\n

Caratteristiche principali<\/h2>\n

Struttura conduttiva di tipo N<\/h3>\n

Il wafer \u00e8 drogato di tipo N, fornendo percorsi stabili di conduzione degli elettroni adatti alla fabbricazione di dispositivi a semiconduttore e agli esperimenti di caratterizzazione elettrica.<\/p>\n

Materiale semiconduttore ad ampio bandgap<\/h3>\n

Con un bandgap di ~3,02 eV, il SiC supporta un'intensit\u00e0 di campo elettrico significativamente superiore rispetto al silicio, consentendo un funzionamento ad alta tensione e una migliore efficienza del dispositivo.<\/p>\n

Alta conducibilit\u00e0 termica<\/h3>\n

Il SiC presenta un'eccellente conduttivit\u00e0 termica, che consente un'efficiente dissipazione del calore dalle regioni attive del dispositivo. Ci\u00f2 migliora l'affidabilit\u00e0 del dispositivo e ne prolunga la vita operativa nelle applicazioni ad alta potenza.<\/p>\n

Alta resistenza meccanica<\/h3>\n

Con una durezza Mohs di circa 9,2, i wafer di SiC offrono una forte resistenza ai danni meccanici, all'usura superficiale e alle sollecitazioni di lavorazione durante la fabbricazione.<\/p>\n

Elevato campo elettrico di ripartizione<\/h3>\n

L'elevata intensit\u00e0 del campo di rottura consente di realizzare strutture compatte dei dispositivi mantenendo un'elevata tolleranza alla tensione, rendendo il SiC ideale per l'elettronica di potenza avanzata.<\/p>\n

Specifiche tecniche<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parametro<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Materiale<\/td>\nCarburo di silicio a cristallo singolo<\/td>\n<\/tr>\n
Marchio<\/td>\nZMSH<\/td>\n<\/tr>\n
Politipo<\/td>\n6H-N<\/td>\n<\/tr>\n
Diametro<\/td>\n2 pollici (50,8 mm)<\/td>\n<\/tr>\n
Spessore<\/td>\n350 \u03bcm \/ 650 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo di conducibilit\u00e0<\/td>\nTipo N<\/td>\n<\/tr>\n
Finitura superficiale<\/td>\nCMP faccia a vista lucidata<\/td>\n<\/tr>\n
Trattamento del viso C<\/td>\nLucidato meccanicamente<\/td>\n<\/tr>\n
Ruvidit\u00e0 della superficie<\/td>\nRa < 0,2 nm (faccia Si)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistivit\u00e0<\/td>\n0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Colore<\/td>\nTrasparente \/ Verde chiaro<\/td>\n<\/tr>\n
Imballaggio<\/td>\nContenitore a singolo wafer<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Propriet\u00e0 del materiale 6H-SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propriet\u00e0<\/th>\nValore<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Parametri del reticolo<\/td>\na = 3,073 \u00c5, c = 15,117 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
Durezza Mohs<\/td>\n\u2248 9.2<\/td>\n<\/tr>\n
Densit\u00e0<\/td>\n3,21 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
Coefficiente di espansione termica<\/td>\n4-5 \u00d710-\u2076 \/K<\/td>\n<\/tr>\n
Indice di rifrazione (750 nm)<\/td>\nn\u2080 = 2,60, n\u2091 = 2,65<\/td>\n<\/tr>\n
Costante dielettrica<\/td>\n\u2248 9.66<\/td>\n<\/tr>\n
Conduttivit\u00e0 termica<\/td>\n~3,7-3,9 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Bandgap<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Campo elettrico di ripartizione<\/td>\n3-5 \u00d710\u2076 V\/cm<\/td>\n<\/tr>\n
Velocit\u00e0 della deriva di saturazione<\/td>\n2,0 \u00d710\u2075 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Queste propriet\u00e0 fisiche intrinseche rendono il 6H-SiC adatto ad applicazioni che richiedono prestazioni stabili in condizioni elettriche e termiche estreme.<\/p>\n

\"WaferProcesso di produzione<\/h2>\n

I wafer in cristallo singolo di SiC sono prodotti tipicamente con la tecnica del Metodo del trasporto fisico del vapore (PVT)<\/strong>, un processo industriale maturo per la crescita di cristalli di semiconduttori ad ampio bandgap.<\/p>\n

In questo processo, il materiale di partenza SiC di elevata purezza viene sublimato a temperature superiori ai 2000\u00b0C. Le specie di vapore vengono trasportate attraverso un gradiente termico attentamente controllato e ricristallizzate su un cristallo seme, formando un lingotto a cristallo singolo (boule). Dopo la crescita, il lingotto viene trasformato in wafer attraverso fasi di taglio, lappatura, lucidatura e pulizia.<\/p>\n

Per le applicazioni dei dispositivi, i wafer possono essere sottoposti a ulteriori Crescita epitassiale per deposizione di vapore chimico (CVD)<\/strong>, che consente un controllo preciso della concentrazione di drogaggio e dello spessore dello strato. Questa fase \u00e8 essenziale per la fabbricazione di MOSFET e diodi.<\/p>\n

Applicazioni<\/h2>\n

Elettronica di potenza<\/h3>\n

I wafer SiC 6H-N da 2 pollici sono utilizzati per lo sviluppo e la prototipazione di dispositivi a semiconduttore di potenza, tra cui diodi, strutture MOSFET e moduli di potenza. Questi dispositivi sono essenziali per i sistemi di conversione dell'energia e per i circuiti di gestione dell'energia.<\/p>\n

Elettronica per alte temperature<\/h3>\n

I materiali SiC mantengono stabili le prestazioni elettriche a temperature elevate, rendendoli adatti all'elettronica aerospaziale, ai sistemi di monitoraggio industriale e alle applicazioni per le infrastrutture energetiche.<\/p>\n

Ricerca e sviluppo dei semiconduttori<\/h3>\n

Grazie alla loro disponibilit\u00e0 ed economicit\u00e0, i wafer da 2 pollici sono ampiamente utilizzati nei laboratori universitari, negli istituti di ricerca e negli ambienti di produzione pilota per lo studio dei materiali e la sperimentazione dei dispositivi.<\/p>\n

Applicazioni optoelettroniche e speciali<\/h3>\n

Il SiC presenta anche una trasparenza ottica in alcuni intervalli di lunghezza d'onda, che ne consente l'uso in applicazioni di ricerca fotonica e optoelettronica specializzate.<\/p>\n

Vantaggi\"Wafer<\/h2>\n

La piattaforma di wafer SiC da 2 pollici offre diversi vantaggi per la ricerca e lo sviluppo:<\/p>\n

    \n
  • Costo inferiore rispetto a wafer di dimensioni maggiori<\/li>\n
  • Manipolazione pi\u00f9 semplice per gli esperimenti su scala di laboratorio<\/li>\n
  • Adatto alla prototipazione rapida e ai test di processo<\/li>\n
  • Qualit\u00e0 stabile dei cristalli per risultati riproducibili<\/li>\n
  • Opzioni di personalizzazione flessibili per le esigenze di ricerca<\/li>\n<\/ul>\n

    FAQ<\/h2>\n

    D1: Qual \u00e8 la differenza tra 6H-SiC e 4H-SiC?<\/h3>\n

    Il 6H-SiC e il 4H-SiC sono politipi cristallini diversi. Il 4H-SiC offre generalmente una maggiore mobilit\u00e0 degli elettroni ed \u00e8 ampiamente utilizzato nei dispositivi di potenza commerciali, mentre il 6H-SiC offre un comportamento elettrico stabile ed \u00e8 comunemente utilizzato nella ricerca e in applicazioni elettroniche specifiche.<\/p>\n

    D2: Quale trattamento superficiale viene applicato al wafer?<\/h3>\n

    La faccia in Si \u00e8 lucidata mediante lucidatura meccanica chimica (CMP) per ottenere una qualit\u00e0 superficiale ultra-liscia (Ra < 0,2 nm). La faccia C \u00e8 lucidata meccanicamente per supportare diversi requisiti di lavorazione.<\/p>\n

    Q3: Le specifiche dei wafer possono essere personalizzate?<\/h3>\n

    S\u00ec. ZMSH offre opzioni di personalizzazione che includono lo spessore, la concentrazione di drogaggio, l'intervallo di resistivit\u00e0 e la preparazione della superficie in base alle esigenze del cliente.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    ZMSH fornisce wafer di carburo di silicio (SiC) da 2 pollici 6H-N di alta qualit\u00e0 progettati per la ricerca sui semiconduttori, lo sviluppo dell'elettronica di potenza e la fabbricazione di dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Il carburo di silicio \u00e8 un materiale semiconduttore ad ampio bandgap che offre propriet\u00e0 elettriche, termiche e meccaniche superiori rispetto ai substrati di silicio (Si) convenzionali.<\/p>","protected":false},"featured_media":2197,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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