![\"Wafer](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd2-300x300.webp\")
<\/p>\nIl wafer da 6 pollici 4H-N in carburo di silicio \u00e8 un substrato semiconduttore ad ampio bandgap progettato per i dispositivi elettronici di potenza di prossima generazione. Rispetto ai tradizionali materiali di silicio, il SiC offre una forza del campo elettrico di ripartizione significativamente pi\u00f9 elevata, una conduttivit\u00e0 termica superiore e prestazioni stabili in condizioni di alta temperatura e alta tensione.<\/p>\n
L'ampio bandgap di circa 3,26 eV consente ai dispositivi basati su SiC di operare a tensioni e frequenze di commutazione pi\u00f9 elevate, mantenendo al contempo perdite di energia inferiori. Di conseguenza, il SiC \u00e8 diventato un materiale chiave per i sistemi di conversione di potenza ad alta efficienza, compresi i veicoli elettrici, i sistemi di energia rinnovabile e gli alimentatori industriali.<\/p>\n
Il formato del wafer da 6 pollici (classe 150 mm) \u00e8 attualmente lo standard industriale principale per la produzione di dispositivi SiC. Offre un equilibrio ottimale tra resa produttiva, maturit\u00e0 del processo ed efficienza dei costi, rendendolo adatto sia alla produzione di massa che alle applicazioni di ricerca avanzata.<\/p>\n
Il 4H-SiC \u00e8 il politipo pi\u00f9 utilizzato nell'elettronica di potenza grazie alla sua simmetria cristallina e alle sue prestazioni elettriche.<\/p>\n
Le principali propriet\u00e0 intrinseche includono:<\/p>\n
Queste propriet\u00e0 rendono il SiC un materiale fondamentale per i dispositivi semiconduttori ad alta potenza e ad alta efficienza.<\/p>\n
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Crescita del cristallo e processo di produzione<\/h2>\nI wafer di SiC sono tipicamente prodotti con il metodo PVT (Physical Vapor Transport), un processo industriale maturo per la crescita dei cristalli di SiC.<\/p>\n
In questo processo, la polvere di SiC di elevata purezza viene sublimata a temperature superiori ai 2000\u00b0C. Le specie in fase vapore vengono trasportate sotto gradienti termici accuratamente controllati e ricristallizzate su un cristallo seme, formando una boule a cristallo singolo.<\/p>\n
Dopo l'accrescimento dei cristalli, il materiale viene sottoposto a un processo di crescita:<\/p>\n
Per la fabbricazione dei dispositivi, \u00e8 possibile applicare un ulteriore processo epitassiale di deposizione chimica da vapore (CVD) per formare strati epitassiali di alta qualit\u00e0 con concentrazione di drogaggio e spessore controllati.<\/p>\n
| Propriet\u00e0<\/th>\n | Grado Z (grado di produzione)<\/th>\n | Grado D (grado ingegneristico)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| Diametro<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Politipo<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n |
| Spessore<\/td>\n | 350 \u00b1 15 \u00b5m<\/td>\n | 350 \u00b1 25 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Tipo di conducibilit\u00e0<\/td>\n | Tipo N<\/td>\n | Tipo N<\/td>\n<\/tr>\n |
| Angolo fuori asse<\/td>\n | 4,0\u00b0 verso \u00b1 0,5<\/td>\n | 4,0\u00b0 verso \u00b1 0,5<\/td>\n<\/tr>\n |
| Resistivit\u00e0<\/td>\n | 0,015 - 0,024 \u03a9-cm<\/td>\n | 0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Densit\u00e0 dei microtubi<\/td>\n | \u2264 0,2 cm-\u00b2<\/td>\n | \u2264 15 cm-\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Rugosit\u00e0 superficiale (Ra)<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Ruvidit\u00e0 CMP<\/td>\n | \u2264 0,2 nm<\/td>\n | \u2264 0,5 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| LTV<\/td>\n | \u2264 2,5 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 5 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| TTV<\/td>\n | \u2264 6 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 15 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Arco<\/td>\n | \u2264 25 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Ordito<\/td>\n | \u2264 35 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 60 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Esclusione dei bordi<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Imballaggio<\/td>\n | Cassetta \/ Singolo wafer<\/td>\n | Cassetta \/ Singolo wafer<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
|
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Controllo qualit\u00e0 e ispezione<\/h2>\n