{"id":2173,"date":"2026-04-14T03:08:56","date_gmt":"2026-04-14T03:08:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2173"},"modified":"2026-04-14T03:08:59","modified_gmt":"2026-04-14T03:08:59","slug":"4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Wafer in carburo di silicio HPSI da 4 pollici e 100 mm"},"content":{"rendered":"

\"WaferIl wafer da 4 pollici in carburo di silicio HPSI \u00e8 un substrato semi-isolante di elevata purezza progettato per applicazioni avanzate di RF, microonde e optoelettronica. HPSI \u00e8 un materiale semi-isolante di elevata purezza, caratterizzato da una resistivit\u00e0 estremamente elevata e da un eccellente isolamento elettrico.<\/p>\n

Il carburo di silicio \u00e8 un semiconduttore ad ampio bandgap composto da silicio e carbonio. Rispetto ai wafer di silicio convenzionali, offre una conducibilit\u00e0 termica superiore, un campo elettrico di breakdown pi\u00f9 elevato e migliori prestazioni in condizioni operative estreme. In forma semi-isolante, il SiC riduce significativamente la conduzione parassita, rendendolo una piattaforma ideale per i dispositivi elettronici ad alta frequenza e ad alta potenza.<\/p>\n

Questo formato di wafer da 4 pollici \u00e8 ampiamente utilizzato sia nella ricerca che nella produzione industriale grazie al suo equilibrio tra costo, maturit\u00e0 e compatibilit\u00e0 di processo. \u00c8 particolarmente adatto per i dispositivi RF, i sistemi di comunicazione 5G, i moduli radar e le tecnologie ottiche emergenti come i componenti a guida d'onda AR.<\/p>\n

Specifiche tecniche<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parametro<\/th>\nValore<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Diametro<\/td>\n100 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Spessore<\/td>\n350 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Materiale<\/td>\nSiC a cristallo singolo<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo<\/td>\nHPSI (semi-isolante)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistivit\u00e0<\/td>\nDa \u22651E5 a \u22651E10 ohm-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Ruvidit\u00e0 della superficie<\/td>\nCMP Ra \u2264 0,2 nm<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u2264 10 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Ordito<\/td>\n\u2264 30 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Orientamento<\/td>\nOpzioni sull'asse o fuori asse<\/td>\n<\/tr>\n
Bordo<\/td>\nSmusso standard SEMI<\/td>\n<\/tr>\n
Grado<\/td>\nProduzione \/ Ricerca \/ Manichino<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Questi parametri assicurano un'elevata qualit\u00e0 superficiale, una bassa densit\u00e0 di difetti e propriet\u00e0 meccaniche stabili, necessarie per la crescita epitassiale e la fabbricazione di dispositivi di precisione.<\/p>\n

Caratteristiche del materiale\"\"<\/h2>\n

Il carburo di silicio \u00e8 uno dei pi\u00f9 importanti materiali semiconduttori di terza generazione. Il suo ampio bandgap consente ai dispositivi di funzionare a tensioni pi\u00f9 elevate con correnti di dispersione inferiori rispetto al silicio.<\/p>\n

Per i wafer HPSI, la caratteristica che li contraddistingue \u00e8 la resistivit\u00e0 estremamente elevata. Questa propriet\u00e0 riduce al minimo il flusso di corrente indesiderato all'interno del substrato, un aspetto fondamentale per mantenere l'integrit\u00e0 del segnale nelle applicazioni RF e a microonde.<\/p>\n

La conducibilit\u00e0 termica \u00e8 significativamente superiore a quella dei materiali semiconduttori tradizionali, consentendo un'efficiente dissipazione del calore durante il funzionamento ad alta potenza. Ci\u00f2 riduce lo stress termico e migliora l'affidabilit\u00e0 a lungo termine.<\/p>\n

Il SiC presenta anche un elevato campo elettrico di ripartizione, che consente ai dispositivi di gestire tensioni elevate senza aumentare le dimensioni. Inoltre, il materiale mantiene prestazioni stabili in presenza di alte temperature, alte frequenze e radiazioni, rendendolo adatto ad ambienti difficili.<\/p>\n

Applicazioni<\/h2>\n

Dispositivi RF e a microonde<\/strong>
I wafer di carburo di silicio HPSI sono ampiamente utilizzati come substrati per amplificatori RF e circuiti ad alta frequenza. La loro elevata resistivit\u00e0 riduce le perdite parassite e migliora l'efficienza della trasmissione del segnale, rendendoli essenziali per l'elettronica di comunicazione avanzata.<\/p>\n

Infrastruttura di comunicazione 5G<\/strong>
Nei sistemi 5G, i dispositivi operano a frequenze pi\u00f9 elevate e richiedono materiali con un eccellente isolamento elettrico. I wafer SiC HPSI supportano prestazioni stabili nelle stazioni base e nei moduli wireless, consentendo una maggiore efficienza di trasmissione dei dati e una minore perdita di energia.<\/p>\n

Occhiali AR e sistemi ottici<\/strong>
Nei dispositivi di realt\u00e0 aumentata, i wafer SiC sono utilizzati nei componenti ottici e a guida d'onda. La loro stabilit\u00e0 strutturale e la compatibilit\u00e0 con le tecnologie di lavorazione di precisione favoriscono lo sviluppo di sistemi ottici compatti e ad alte prestazioni.<\/p>\n

Sistemi radar e di difesa<\/strong>
I substrati SiC HPSI sono adatti per l'elettronica radar e di difesa che richiede alta potenza, alta frequenza e affidabilit\u00e0. Mantengono un funzionamento stabile in condizioni ambientali estreme, comprese le alte temperature e le radiazioni.<\/p>\n

Dispositivi optoelettronici<\/strong>
Questi wafer sono utilizzati anche nei dispositivi optoelettronici e fotonici, dove l'isolamento elettrico e le prestazioni termiche sono fondamentali per l'efficienza e la stabilit\u00e0 del dispositivo.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

Gradi disponibili<\/h2>\n

Grado di produzione
Utilizzato per la produzione di dispositivi commerciali con un rigoroso controllo di qualit\u00e0 e una bassa densit\u00e0 di difetti.<\/p>\n

Grado di ricerca
Adatto per lo sviluppo di laboratorio, i test e l'ottimizzazione dei processi.<\/p>\n

Grado fittizio
Applicato nella calibrazione delle apparecchiature, nei test di processo e nell'uso non funzionale.<\/p>\n

Confronto Si vs SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propriet\u00e0<\/th>\nSilicio<\/th>\nCarburo di silicio<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Bandgap<\/td>\n1,12 eV<\/td>\n~3,26 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Resistivit\u00e0<\/td>\nBasso<\/td>\nMolto alto (HPSI)<\/td>\n<\/tr>\n
Conduttivit\u00e0 termica<\/td>\nModerato<\/td>\nAlto<\/td>\n<\/tr>\n
Capacit\u00e0 di frequenza<\/td>\nLimitato<\/td>\nEccellente<\/td>\n<\/tr>\n
Focus sull'applicazione<\/td>\nLogica e IC<\/td>\nRF e alta frequenza<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Il silicio rimane dominante nell'elettronica convenzionale, mentre il carburo di silicio \u00e8 sempre pi\u00f9 utilizzato nei sistemi ad alta frequenza e ad alte prestazioni.<\/p>\n

FAQ<\/h2>\n

D: Che cos'\u00e8 un wafer di carburo di silicio HPSI?
Un wafer HPSI \u00e8 un substrato semi-isolante di carburo di silicio ad alta purezza con resistivit\u00e0 elettrica molto elevata, progettato per applicazioni RF, a microonde e optoelettroniche.<\/p>\n

D: Perch\u00e9 l'alta resistivit\u00e0 \u00e8 importante?
L'elevata resistivit\u00e0 riduce la conduzione parassita e l'interferenza del segnale, fattore critico per mantenere l'efficienza e l'integrit\u00e0 del segnale nei dispositivi ad alta frequenza.<\/p>\n

D: Il carburo di silicio \u00e8 adatto alle applicazioni ottiche?
S\u00ec, il carburo di silicio pu\u00f2 essere utilizzato in alcune applicazioni ottiche e fotoniche grazie alla sua stabilit\u00e0 termica e alla compatibilit\u00e0 con i processi di fabbricazione avanzati.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Il wafer da 4 pollici in carburo di silicio HPSI \u00e8 un materiale fondamentale per i sistemi elettronici ad alta frequenza e di nuova generazione. La sua combinazione di elevata resistivit\u00e0, prestazioni termiche e stabilit\u00e0 strutturale lo rende una scelta ideale per i dispositivi RF, le infrastrutture di comunicazione e le tecnologie ottiche emergenti. Con la continua crescita della domanda di sistemi ad alta efficienza e ad alta frequenza, i substrati HPSI SiC stanno diventando sempre pi\u00f9 importanti nelle applicazioni avanzate dei semiconduttori.<\/p>","protected":false},"featured_media":2174,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[930,938,936,937,940,941,942,939,927,692],"class_list":{"0":"post-2173","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-4-inch-sic-wafer","8":"product_tag-high-resistivity-sic","9":"product_tag-hpsi-silicon-carbide-wafer","10":"product_tag-semi-insulating-sic","11":"product_tag-sic-for-5g","12":"product_tag-sic-for-ar-glasses","13":"product_tag-sic-optical-substrate","14":"product_tag-sic-rf-substrate","15":"product_tag-silicon-carbide-wafer","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-tabs-layout-horizontal","23":"first","24":"instock","25":"shipping-taxable","26":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2173"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2179,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173\/revisions\/2179"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2174"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2173"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2173"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2173"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2173"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}