{"id":2077,"date":"2026-04-03T02:07:51","date_gmt":"2026-04-03T02:07:51","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&#038;p=2077"},"modified":"2026-04-03T02:09:04","modified_gmt":"2026-04-03T02:09:04","slug":"integrated-vertical-airflow-sic-epitaxy-equipment-for-6-8-epi-wafers","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/integrated-vertical-airflow-sic-epitaxy-equipment-for-6-8-epi-wafers\/","title":{"rendered":"Apparecchiatura di epitassia SiC a flusso d'aria verticale integrato per wafer Epi da 6\u201d\/8"},"content":{"rendered":"<p data-start=\"187\" data-end=\"641\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2079 alignright\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-300x300.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-150x150.png 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-768x768.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-12x12.png 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-600x600.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-100x100.png 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow.png 1000w\" sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>L'apparecchiatura per l'epitassia del carburo di silicio (SiC) a flusso d'aria verticale integrato \u00e8 un sistema avanzato di crescita epitassiale progettato per la produzione ad alta efficienza di wafer di SiC da 6 e 8 pollici. Progettato per soddisfare le crescenti esigenze della produzione di semiconduttori di potenza, questo sistema integra un preciso controllo termico, dinamiche ottimizzate del flusso di gas e un'automazione intelligente per offrire prestazioni eccezionali in termini di uniformit\u00e0, produttivit\u00e0 e controllo dei difetti.<\/p>\n<p data-start=\"643\" data-end=\"982\">Il cuore del sistema \u00e8 costituito da un innovativo design verticale del soffione, che consente una distribuzione uniforme dei gas di processo sulla superficie del wafer. In combinazione con il controllo del campo di temperatura multizona, garantisce un'eccellente uniformit\u00e0 di spessore e una concentrazione di drogaggio stabile, fondamentali per i dispositivi di potenza SiC ad alte prestazioni.<\/p>\n<p data-start=\"984\" data-end=\"1310\">Il sistema adotta una struttura altamente integrata con gestione automatizzata dei wafer tramite un sistema EFEM e un meccanismo di trasferimento dei wafer ad alta temperatura. Ci\u00f2 consente una perfetta integrazione nelle moderne linee di produzione di semiconduttori, riduce l'intervento manuale e migliora la coerenza del processo e l'efficienza operativa.<\/p>\n<p data-start=\"1312\" data-end=\"1615\">Per supportare la produzione su scala industriale, l'apparecchiatura presenta una configurazione a doppia camera in grado di funzionare in continuo con pi\u00f9 forni. Con una produzione di oltre 1100 wafer al mese - e fino a 1200 wafer grazie all'ottimizzazione del processo - \u00e8 adatta ad ambienti di produzione ad alto volume.<\/p>\n<p data-start=\"1617\" data-end=\"1971\">L'apparecchiatura \u00e8 compatibile con wafer SiC da 6 e 8 pollici, offrendo flessibilit\u00e0 ai produttori che si stanno orientando verso wafer di dimensioni maggiori. L'apparecchiatura dimostra inoltre un'eccellente capacit\u00e0 di crescita di strati epitassiali spessi e di epitassi con riempimento di trincea, rendendola particolarmente adatta alla fabbricazione di dispositivi avanzati ad alta tensione e ad alta potenza.<\/p>\n<p data-start=\"1973\" data-end=\"2214\">Inoltre, il design ottimizzato del reattore garantisce una bassa densit\u00e0 di difetti, una migliore resa e una riduzione dei costi di gestione. La struttura robusta e il design di facile manutenzione aumentano ulteriormente l'affidabilit\u00e0 a lungo termine e la stabilit\u00e0 operativa.<\/p>\n<h2 data-section-id=\"qpn8c9\" data-start=\"2221\" data-end=\"2252\"><span role=\"text\"><img decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2078 alignright\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow2-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow2-300x300.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow2-150x150.png 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow2-768x768.png 768w, 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gestione termica precisa<\/li>\n<li data-section-id=\"1emeqzr\" data-start=\"2388\" data-end=\"2449\">Configurazione a doppia camera per una produzione ad alta produttivit\u00e0<\/li>\n<li data-section-id=\"rs6yfl\" data-start=\"2450\" data-end=\"2499\">Bassa densit\u00e0 di difetti e prestazioni ad alto rendimento<\/li>\n<li data-section-id=\"h9m4ox\" data-start=\"2500\" data-end=\"2550\">Gestione automatizzata dei wafer con integrazione EFEM<\/li>\n<li data-section-id=\"bze71o\" data-start=\"2551\" data-end=\"2594\">Compatibilit\u00e0 con wafer SiC da 6 e 8 pollici<\/li>\n<li data-section-id=\"xhhop\" data-start=\"2595\" data-end=\"2655\">Ottimizzato per processi di epitassia ad alto spessore e trench-filling<\/li>\n<li data-section-id=\"1a3549x\" data-start=\"2656\" data-end=\"2704\">Elevata affidabilit\u00e0 con manutenzione semplificata<\/li>\n<\/ul>\n<h2 data-section-id=\"ca04ra\" data-start=\"2711\" data-end=\"2737\"><span role=\"text\">Prestazioni di processo<\/span><\/h2>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"2739\" data-end=\"3287\">\n<thead data-start=\"2739\" data-end=\"2768\">\n<tr data-start=\"2739\" data-end=\"2768\">\n<th class=\"\" data-start=\"2739\" data-end=\"2751\" data-col-size=\"sm\">Parametro<\/th>\n<th class=\"\" data-start=\"2751\" data-end=\"2768\" data-col-size=\"md\">Specifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"2796\" data-end=\"3287\">\n<tr data-start=\"2796\" data-end=\"2884\">\n<td data-start=\"2796\" data-end=\"2809\" data-col-size=\"sm\">Produttivit\u00e0<\/td>\n<td data-start=\"2809\" data-end=\"2884\" data-col-size=\"md\">\u22651100 wafer\/mese (camere doppie), fino a 1200 wafer\/mese (ottimizzato)<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2885\" data-end=\"2938\">\n<td data-start=\"2885\" data-end=\"2912\" data-col-size=\"sm\">Compatibilit\u00e0 con le dimensioni dei wafer<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"2912\" data-end=\"2938\">Cialde da 6\u201d \/ 8\u201d in SiC<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2939\" data-end=\"2975\">\n<td data-start=\"2939\" data-end=\"2961\" data-col-size=\"sm\">Controllo della temperatura<\/td>\n<td data-start=\"2961\" data-end=\"2975\" data-col-size=\"md\">Multizona<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2976\" data-end=\"3035\">\n<td data-start=\"2976\" data-end=\"2993\" data-col-size=\"sm\">Sistema di flusso d'aria<\/td>\n<td data-start=\"2993\" data-end=\"3035\" data-col-size=\"md\">Flusso d'aria multizona regolabile verticalmente<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3036\" data-end=\"3067\">\n<td data-start=\"3036\" data-end=\"3053\" data-col-size=\"sm\">Velocit\u00e0 di rotazione<\/td>\n<td data-start=\"3053\" data-end=\"3067\" data-col-size=\"md\">0-1000 giri\/min<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3068\" data-end=\"3101\">\n<td data-start=\"3068\" data-end=\"3086\" data-col-size=\"sm\">Tasso di crescita massimo<\/td>\n<td data-start=\"3086\" data-end=\"3101\" data-col-size=\"md\">\u226560 \u03bcm\/ora<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3102\" data-end=\"3163\">\n<td data-start=\"3102\" data-end=\"3125\" data-col-size=\"sm\">Uniformit\u00e0 dello spessore<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3125\" data-end=\"3163\">\u22642% (ottimizzato \u22641%, \u03c3\/avg, EE 5mm)<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3164\" data-end=\"3224\">\n<td data-start=\"3164\" data-end=\"3184\" data-col-size=\"sm\">Uniformit\u00e0 di drogaggio<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3184\" data-end=\"3224\">\u22643% (ottimizzato \u22641,5%, \u03c3\/avg, EE 5mm)<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3225\" data-end=\"3287\">\n<td data-start=\"3225\" data-end=\"3249\" data-col-size=\"sm\">Densit\u00e0 dei difetti killer<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3249\" data-end=\"3287\">\u22640,2 cm-\u00b2 (ottimizzato a 0,01 cm-\u00b2)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<h2 data-section-id=\"1w46w82\" data-start=\"3294\" data-end=\"3322\"><span role=\"text\">Scenari di applicazione<\/span><\/h2>\n<p data-start=\"3324\" data-end=\"3514\">Questa apparecchiatura \u00e8 ampiamente utilizzata nella produzione di dispositivi semiconduttori avanzati basati su SiC, in particolare nei settori che richiedono alta efficienza, alta tensione e alte prestazioni termiche:<\/p>\n<ul data-start=\"3516\" data-end=\"4364\">\n<li data-section-id=\"qrtaas\" data-start=\"3516\" data-end=\"3707\">Veicoli elettrici (EV)<br data-start=\"3545\" data-end=\"3548\" \/>Utilizzato nella produzione di MOSFET SiC e moduli di potenza per inverter, caricabatterie di bordo e convertitori DC-DC, migliorando l'efficienza energetica e l'autonomia di guida.<\/li>\n<li data-section-id=\"1j97evh\" data-start=\"3709\" data-end=\"3867\">Sistemi di energia rinnovabile<br data-start=\"3739\" data-end=\"3742\" \/>Applicato negli inverter fotovoltaici e nei sistemi di accumulo di energia, consente di ottenere una maggiore efficienza di conversione e affidabilit\u00e0 del sistema.<\/li>\n<li data-section-id=\"8pfhmh\" data-start=\"3869\" data-end=\"4041\">Elettronica di potenza industriale<br data-start=\"3903\" data-end=\"3906\" \/>Adatto per azionamenti di motori ad alta potenza, sistemi di automazione industriale e unit\u00e0 di alimentazione che richiedono un funzionamento stabile ed efficiente.<\/li>\n<li data-section-id=\"frfj8s\" data-start=\"4043\" data-end=\"4206\">Transito ferroviario e reti elettriche<br data-start=\"4075\" data-end=\"4078\" \/>Supporta i dispositivi ad alta tensione e ad alta frequenza utilizzati nelle smart grid, nei sistemi di trazione e nelle infrastrutture di trasmissione dell'energia.<\/li>\n<li data-section-id=\"1k6eb43\" data-start=\"4208\" data-end=\"4364\">Dispositivi di potenza di fascia alta<br data-start=\"4236\" data-end=\"4239\" \/>Ideale per la produzione di dispositivi SiC avanzati come diodi Schottky, MOSFET e componenti ad alta tensione di nuova generazione.<\/li>\n<\/ul>\n<p><img decoding=\"async\" class=\"wp-image-2080 size-large aligncenter\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-1024x578.png\" alt=\"\" width=\"1024\" height=\"578\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-1024x578.png 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-300x169.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-768x433.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-18x10.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-600x339.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application.png 1285w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/p>\n<h2 data-section-id=\"elc90z\" data-start=\"4371\" data-end=\"4381\"><span role=\"text\">FAQ<\/span><\/h2>\n<h3 data-section-id=\"1f731tm\" data-start=\"4383\" data-end=\"4453\"><span role=\"text\">1. Quali sono le dimensioni dei wafer supportate da questa apparecchiatura di epitassia?<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"4454\" data-end=\"4606\">Il sistema supporta wafer SiC sia da 6 che da 8 pollici, consentendo ai produttori di soddisfare le attuali esigenze di produzione e di prepararsi a scalare in futuro.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"8a4v60\" data-start=\"4613\" data-end=\"4683\"><span role=\"text\">2. Quali vantaggi offre il design del flusso d'aria verticale?<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"4684\" data-end=\"4858\">Il sistema di flusso d'aria verticale assicura una distribuzione uniforme del gas sul wafer, migliorando la coerenza dello spessore, riducendo i difetti e migliorando la qualit\u00e0 epitassiale complessiva.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"1rbmoqb\" data-start=\"4865\" data-end=\"4935\"><span role=\"text\">3. L'apparecchiatura \u00e8 adatta alla produzione di grandi volumi?<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"4936\" data-end=\"5110\">S\u00ec, il sistema \u00e8 dotato di una configurazione a doppia camera e di una modalit\u00e0 di funzionamento continuo, con una produzione mensile che supera i 1100 wafer. \u00c8 adatto a una produzione industriale stabile e su larga scala, che garantisce una produzione costante, un'elevata stabilit\u00e0 di rendimento e un'efficienza operativa a lungo termine.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>L'apparecchiatura integrata per l'epitassia del carburo di silicio (SiC) a flusso d'aria verticale \u00e8 un sistema avanzato di crescita epitassiale progettato per la produzione ad alta efficienza di wafer di SiC da 6 e 8 pollici.<\/p>","protected":false},"featured_media":2078,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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