{"id":2048,"date":"2026-04-01T05:59:16","date_gmt":"2026-04-01T05:59:16","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2048"},"modified":"2026-04-01T06:04:59","modified_gmt":"2026-04-01T06:04:59","slug":"microfluidic-laser-equipment-for-high-precision-semiconductor-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/microfluidic-laser-equipment-for-high-precision-semiconductor-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Apparecchiature laser microfluidiche per la lavorazione ad alta precisione dei wafer di semiconduttori"},"content":{"rendered":"

\"\"L'apparecchiatura laser microfluidica utilizza la tecnologia laser a microgetto avanzata per fornire una lavorazione ad alta precisione e a basso danno termico per wafer di semiconduttori e altri materiali duri, fragili o ad ampio bandgap. Combinando un getto d'acqua sub-micronico con un raggio laser, il sistema guida l'energia laser con precisione sulla superficie del pezzo, mentre il flusso d'acqua raffredda e rimuove continuamente i detriti. Questa tecnologia risolve efficacemente le sfide comuni della lavorazione laser e meccanica convenzionale, tra cui danni termici, microfratture, contaminazione, conicit\u00e0 e deformazione.<\/p>\n

\"\"Caratteristiche principali<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • Tipo di laser:<\/strong> Laser Nd:YAG a stato solido pompato a diodi, lunghezza d'onda 532\/1064 nm, larghezza d'impulso in \u03bcs\/ns, potenza media 10-200 W<\/li>\n
  • Sistema a getto d'acqua:<\/strong> Acqua filtrata deionizzata a bassa pressione; il microgetto ultrafine consuma solo 1 L\/h a 300 bar, forza trascurabile (<0,1 N)<\/li>\n
  • Ugello:<\/strong> Zaffiro o diamante, diametro 30-150 \u03bcm per una guida laser precisa<\/li>\n
  • Sistema ausiliario:<\/strong> Le pompe ad alta pressione e le unit\u00e0 di trattamento dell'acqua garantiscono prestazioni stabili del getto<\/li>\n
  • Precisione:<\/strong> Precisione di posizionamento \u00b15 \u03bcm, precisione di posizionamento ripetuto \u00b12 \u03bcm<\/li>\n
  • Capacit\u00e0 di elaborazione:<\/strong> Rugosit\u00e0 superficiale Ra \u22641,2-1,6 \u03bcm, velocit\u00e0 di taglio lineare \u226550 mm\/s, velocit\u00e0 di apertura \u22651,25 mm\/s, taglio della circonferenza \u22656 mm\/s<\/li>\n<\/ul>\n

    Specifiche tecniche<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
    \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
    Specifiche<\/th>\nOpzione 1<\/th>\nOpzione 2<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Volume del piano di lavoro (mm)<\/td>\n300\u00d7300\u00d7150<\/td>\n400\u00d7400\u00d7200<\/td>\n<\/tr>\n
    Asse lineare XY<\/td>\nMotore lineare<\/td>\nMotore lineare<\/td>\n<\/tr>\n
    Asse lineare Z<\/td>\n150<\/td>\n200<\/td>\n<\/tr>\n
    Precisione di posizionamento (\u03bcm)<\/td>\n\u00b15<\/td>\n\u00b15<\/td>\n<\/tr>\n
    Precisione di posizionamento ripetuta (\u03bcm)<\/td>\n\u00b12<\/td>\n\u00b12<\/td>\n<\/tr>\n
    Accelerazione (G)<\/td>\n1<\/td>\n0.29<\/td>\n<\/tr>\n
    Controllo numerico<\/td>\nAsse 3 \/ 3+1 \/ 3+2<\/td>\nAsse 3 \/ 3+1 \/ 3+2<\/td>\n<\/tr>\n
    Lunghezza d'onda (nm)<\/td>\n532\/1064<\/td>\n532\/1064<\/td>\n<\/tr>\n
    Potenza nominale (W)<\/td>\n50\/100\/200<\/td>\n50\/100\/200<\/td>\n<\/tr>\n
    Pressione del getto d'acqua (bar)<\/td>\n50-100<\/td>\n50-600<\/td>\n<\/tr>\n
    Dimensione ugello (\u03bcm)<\/td>\n30-150<\/td>\n30-150<\/td>\n<\/tr>\n
    Dimensioni della macchina (mm)<\/td>\n1445\u00d71944\u00d72260<\/td>\n1700\u00d71500\u00d72120<\/td>\n<\/tr>\n
    Peso (T)<\/td>\n2.5<\/td>\n3<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Applicazioni<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    1. Taglio e cubettatura dei wafer<\/strong>\n
        \n
      • Materiali: Silicio (Si), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN) e altri wafer duri\/fragili<\/li>\n
      • Vantaggi: Sostituisce i tradizionali dischi diamantati, riduce la rottura dei bordi (20 \u03bcm), aumenta la velocit\u00e0 di taglio di 30%, consente una cubettatura invisibile per wafer ultrasottili (<50 \u03bcm).<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
      • Perforazione di trucioli e lavorazione di microfori<\/strong>\n
          \n
        • Applicazioni: Foratura di vie passanti per il silicio (TSV), array di microfori termici per dispositivi di potenza<\/li>\n
        • Caratteristiche: Apertura 10-200 \u03bcm, rapporto profondit\u00e0\/larghezza fino a 10:1, rugosit\u00e0 superficiale Ra <0,5 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
        • Imballaggio avanzato<\/strong>\n
            \n
          • Applicazioni: Apertura finestra RDL, confezionamento a livello di wafer (Fan-Out WLP)<\/li>\n
          • Vantaggi: Evita le sollecitazioni meccaniche, migliora la resa a >99,5%<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
          • Lavorazione dei semiconduttori composti<\/strong>\n
              \n
            • Materiali: GaN, SiC e altri semiconduttori a banda larga<\/li>\n
            • Caratteristiche: Incisione della tacca del gate, ricottura laser, controllo preciso dell'energia per evitare la decomposizione termica.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
            • Riparazione dei difetti e messa a punto<\/strong>\n
                \n
              • Applicazioni: Fusione laser per circuiti di memoria, messa a punto di array di microlenti per sensori ottici<\/li>\n
              • Precisione: Controllo dell'energia \u00b11%, errore di posizionamento di riparazione <0,1 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ol>\n

                \"\"<\/p>\n

                Punti salienti e vantaggi<\/strong><\/span><\/h2>\n
                  \n
                • La lavorazione a freddo, pulita e controllata riduce al minimo i danni da calore, le microfratture e le conicit\u00e0<\/li>\n
                • Il getto d'acqua ultrafine assicura una guida laser precisa e un'efficiente rimozione dei detriti<\/li>\n
                • Adatto per materiali duri, fragili e trasparenti come SiC, GaN, diamante, LTCC e cristalli fotovoltaici.<\/li>\n
                • Compatibile con la produzione di semiconduttori ad alta precisione, l'imballaggio avanzato, i componenti aerospaziali e la microelettronica.<\/li>\n
                • Migliora la resa, riduce gli scarti di materiale e ne preserva le propriet\u00e0.<\/li>\n<\/ul>\n

                  Certificazione e conformit\u00e0<\/strong><\/span><\/h2>\n
                    \n
                  • Conforme alla direttiva RoHS<\/li>\n
                  • Progettato per applicazioni di semiconduttori ad alta precisione<\/li>\n
                  • Supporta l'elaborazione riproducibile, ripetibile e automatizzata<\/li>\n<\/ul>\n

                    FAQ<\/strong><\/span><\/h2>\n

                    1. Quali tipi di materiali possono essere lavorati con le apparecchiature laser microfluidiche?<\/strong>
                    La tecnologia laser microfluidica \u00e8 in grado di lavorare con precisione materiali semiconduttori duri, fragili e ad ampio bandgap, tra cui silicio (Si), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN), diamante, substrati ceramici di carbonio LTCC, cristalli fotovoltaici e altri materiali avanzati. \u00c8 ideale per le applicazioni che richiedono un danno termico minimo e un'elevata qualit\u00e0 superficiale.<\/p>\n

                    2. In che modo la tecnologia laser a microgetto migliora la produzione di wafer di semiconduttori?<\/strong>
                    Combinando un getto d'acqua sub-micronico con un raggio laser, la tecnologia raggiunge una precisione sub-micronica, riducendo al minimo le zone colpite dal calore, la contaminazione e la rottura dei bordi. Sostituisce le tradizionali lame meccaniche per la cubettatura, la foratura e la microstrutturazione, migliorando la resa e riducendo gli scarti di materiale.<\/p>\n

                    3. Per quali applicazioni sono pi\u00f9 adatte le apparecchiature laser microfluidiche?<\/strong>
                    Questa apparecchiatura \u00e8 ampiamente utilizzata in:<\/p>\n

                      \n
                    • Taglio a cubetti di wafer e taglio a cubetti di wafer ultrasottili (<50 \u03bcm)<\/li>\n
                    • Foratura e array di microfori attraverso il silicio (TSV) per circuiti integrati 3D e dispositivi di potenza<\/li>\n
                    • Confezionamento avanzato, come l'apertura della finestra RDL, il confezionamento a livello di wafer (Fan-Out WLP) e l'incisione\/ricottura laser del gate per semiconduttori GaN e SiC<\/li>\n<\/ul>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                      L'apparecchiatura laser microfluidica utilizza la tecnologia laser a microgetto avanzata per fornire una lavorazione ad alta precisione e a basso danno termico per wafer di semiconduttori e altri materiali duri, fragili o ad ampio bandgap.<\/p>","protected":false},"featured_media":2049,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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