{"id":1968,"date":"2026-03-23T06:01:20","date_gmt":"2026-03-23T06:01:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=1968"},"modified":"2026-03-23T06:03:52","modified_gmt":"2026-03-23T06:03:52","slug":"lpcvd-oxidation-furnace","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/product\/lpcvd-oxidation-furnace\/","title":{"rendered":"Forno di ossidazione LPCVD da 6\/8\/12 pollici Deposizione a film sottile ad alta uniformit\u00e0 per la produzione avanzata di semiconduttori"},"content":{"rendered":"

Il forno di ossidazione LPCVD da 6\/8\/12 pollici \u00e8 uno strumento all'avanguardia per la produzione di semiconduttori, progettato per la deposizione precisa e uniforme di film sottili. \u00c8 ampiamente utilizzato per la produzione di strati di polisilicio, nitruro di silicio e ossido di silicio di alta qualit\u00e0 su wafer, garantendo prestazioni costanti per semiconduttori di potenza, substrati avanzati e altre applicazioni di alta precisione.<\/p>\n

Questa apparecchiatura combina una tecnologia avanzata di deposizione a bassa pressione, un controllo intelligente della temperatura e un design di processo ultra-pulito per ottenere un'eccezionale uniformit\u00e0 del film sottile e un'elevata produttivit\u00e0. La configurazione verticale del reattore consente un'efficiente lavorazione in batch, mentre il processo di deposizione termica evita i danni indotti dal plasma, rendendolo ideale per processi critici come la formazione del dielettrico del gate, gli strati di compensazione delle sollecitazioni e gli ossidi protettivi.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

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Vantaggi principali<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • Deposizione di film sottili ad alta uniformit\u00e0:<\/strong> L'ambiente a bassa pressione (0,1-10 Torr) garantisce un'uniformit\u00e0 da wafer a wafer e all'interno del wafer di \u00b11,5%, fondamentale per la fabbricazione di dispositivi ad alte prestazioni.<\/li>\n
  • Progettazione del reattore verticale:<\/strong> Gestisce 150-200 wafer per lotto, migliorando la produttivit\u00e0 e l'efficienza produttiva per la produzione di semiconduttori su scala industriale.<\/li>\n
  • Processo di deposizione termica (500-900\u00b0C):<\/strong> Offre una deposizione delicata e priva di plasma per proteggere i substrati sensibili e mantenere un'elevata qualit\u00e0 del film.<\/li>\n
  • Controllo intelligente della temperatura:<\/strong> Monitoraggio e regolazione in tempo reale con precisione di \u00b11\u00b0C per risultati stabili e ripetibili.<\/li>\n
  • Camera di processo ultra-pulita:<\/strong> Riduce al minimo la contaminazione da particelle, supportando SiC e altri materiali avanzati per wafer.<\/li>\n
  • Configurazione personalizzabile:<\/strong> Il design flessibile si adatta a vari requisiti di processo, tra cui l'ossidazione a secco o a umido e le diverse dimensioni dei wafer.<\/li>\n<\/ul>\n

    Specifiche tecniche<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
    \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
    Caratteristica<\/th>\nSpecifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Dimensione del wafer<\/td>\n6\/8\/12 Pollici<\/td>\n<\/tr>\n
    Materiali compatibili<\/td>\nPolisilicio, nitruro di silicio, ossido di silicio<\/td>\n<\/tr>\n
    Tipo di ossidazione<\/td>\nOssigeno secco \/ Ossigeno umido (DCE, HCL)<\/td>\n<\/tr>\n
    Intervallo di temperatura di processo<\/td>\n500\u00b0C-900\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Zona a temperatura costante<\/td>\n\u2265800 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    Precisione del controllo della temperatura<\/td>\n\u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Controllo delle particelle<\/td>\n0,32\u03bcm), 0,32\u03bcm), 0,226\u03bcm)<\/td>\n<\/tr>\n
    Spessore del film<\/td>\nNIT1500 \u00b150 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
    Uniformit\u00e0<\/td>\nAll'interno del wafer <2,5%, da wafer a wafer <2,5%, da lotto a lotto <2%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Caratteristiche del prodotto<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    • La manipolazione automatizzata dei wafer garantisce un'elevata sicurezza ed efficienza operativa.<\/li>\n
    • La camera di processo ultra-pulita riduce il rischio di contaminazione e mantiene costante la qualit\u00e0 del film.<\/li>\n
    • L'uniformit\u00e0 superiore dello spessore del film supporta la produzione di nodi avanzati.<\/li>\n
    • Il controllo intelligente della temperatura e della pressione in tempo reale consente regolazioni precise del processo.<\/li>\n
    • Il supporto per wafer in SiC riduce l'attrito e la generazione di particelle, prolungando la durata del wafer.<\/li>\n
    • Il design modulare consente la personalizzazione per diverse applicazioni ed esigenze di processo.<\/li>\n<\/ul>\n

      Principio del processo di deposizione\"\"<\/strong><\/span><\/h2>\n
        \n
      1. Introduzione al gas:<\/strong> I gas reagenti vengono introdotti nel tubo in condizioni di bassa pressione (0,25-1 Torr).<\/li>\n
      2. Diffusione superficiale:<\/strong> Le molecole si diffondono liberamente sulla superficie del wafer, garantendo una copertura uniforme.<\/li>\n
      3. Assorbimento:<\/strong> I reagenti aderiscono alla superficie del wafer prima della reazione chimica.<\/li>\n
      4. Reazione chimica:<\/strong> La decomposizione termica forma il film sottile desiderato direttamente sul substrato.<\/li>\n
      5. Rimozione dei sottoprodotti:<\/strong> I gas non reattivi vengono evacuati per mantenere la purezza e prevenire le interferenze.<\/li>\n
      6. Formazione del film:<\/strong> I prodotti di reazione si accumulano gradualmente, formando uno strato di pellicola sottile uniforme e stabile.<\/li>\n<\/ol>\n

        Applicazioni<\/strong><\/span><\/h2>\n
          \n
        • Strato di ossido schermante:<\/strong> Protegge i wafer di silicio dalla contaminazione e riduce la canalizzazione degli ioni durante i processi di drogaggio.<\/li>\n<\/ul>\n

          \"\"<\/p>\n

            \n
          • Strato di ossido di tampone:<\/strong> Agisce come cuscinetto di tensione tra gli strati di silicio e nitruro di silicio, impedendo la fessurazione del wafer e migliorando la resa.<\/li>\n<\/ul>\n

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            • Strato di ossido di gate:<\/strong> Fornisce lo strato dielettrico nelle strutture MOS, assicurando una precisa conduzione della corrente e un controllo degli effetti di campo.<\/li>\n<\/ul>\n

              \"\"<\/p>\n

              Configurazioni del sistema<\/strong><\/span><\/h2>\n
                \n
              • LPCVD verticale:<\/strong> I gas di processo fluiscono dall'alto verso il basso, ottenendo una deposizione uniforme su tutti i wafer di un lotto.<\/li>\n<\/ul>\n

                \"\"<\/p>\n

                  \n
                • LPCVD orizzontale:<\/strong> I gas fluiscono lungo la lunghezza dei substrati, adatti per una produzione continua e ad alto volume, anche se lo spessore di deposizione pu\u00f2 variare leggermente vicino al lato di ingresso.<\/li>\n<\/ul>\n

                  \"\"<\/p>\n

                  Domande frequenti<\/strong><\/span><\/h2>\n

                  D1: Per cosa viene utilizzato principalmente l'LPCVD?<\/strong>
                  R: LPCVD \u00e8 un processo di deposizione di film sottili a bassa pressione ampiamente utilizzato nella produzione di semiconduttori per la deposizione di polisilicio, nitruro di silicio e ossido di silicio, che consente di ottenere film uniformi e di alta qualit\u00e0 per la fabbricazione di dispositivi avanzati.<\/p>\n

                  D2: In che modo LPCVD si differenzia da PECVD?<\/strong>
                  R: L'LPCVD si basa sull'attivazione termica a bassa pressione per produrre film di elevata purezza, mentre il PECVD utilizza il plasma a temperature pi\u00f9 basse per una deposizione pi\u00f9 rapida, spesso con una qualit\u00e0 del film leggermente inferiore.<\/p>\n

                  D3: Quali dimensioni e materiali dei wafer sono compatibili con questo forno di ossidazione LPCVD?<\/strong>
                  R: Questo forno supporta wafer da 6, 8 e 12 pollici ed \u00e8 compatibile con wafer di polisilicio, nitruro di silicio, ossido di silicio e SiC, offrendo flessibilit\u00e0 per varie applicazioni di semiconduttori.<\/p>\n

                  D4: Il forno di ossidazione LPCVD pu\u00f2 essere personalizzato per processi specifici?<\/strong>
                  R: S\u00ec, il sistema offre configurazioni modulari, tra cui zone a temperatura regolabile, controllo del flusso di gas e modalit\u00e0 di ossidazione (a secco o a umido), che consentono di soddisfare diversi requisiti di processo sia per la ricerca che per la produzione su scala industriale.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                  Il forno di ossidazione LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) da 6\/8\/12 pollici \u00e8 uno strumento all'avanguardia per la produzione di semiconduttori, progettato per una deposizione precisa e uniforme di film sottili. \u00c8 ampiamente utilizzato per la produzione di strati di polisilicio, nitruro di silicio e ossido di silicio di alta qualit\u00e0 su wafer, garantendo prestazioni costanti per semiconduttori di potenza, substrati avanzati e altre applicazioni di alta 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