![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/03\/sic_growth_furnace_pvt_method_6inch_8inch_12_inch_low_energy_consumption1-300x300.webp\")
Il forno per la crescita del SiC (metodo PVT) \u00e8 un sistema ad alte prestazioni progettato per la produzione di cristalli singoli di carburo di silicio (SiC) da 6, 8 e 12 pollici.<\/p>\nIl forno per la crescita del SiC (metodo PVT) \u00e8 un sistema ad alte prestazioni progettato per la produzione di cristalli singoli di carburo di silicio (SiC) da 6, 8 e 12 pollici.<\/p>\n
Grazie all'avanzata tecnologia di riscaldamento a induzione, il forno offre un riscaldamento rapido, un controllo preciso della temperatura e un basso consumo energetico, rappresentando la soluzione ideale per la crescita di cristalli di SiC su scala industriale.<\/p>\n
\u00c8 ampiamente utilizzato nella produzione di substrati di SiC per l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e le applicazioni di semiconduttori di nuova generazione.<\/p>\n
Sistema di riscaldamento a induzione
Il riscaldamento elettromagnetico diretto del crogiolo di grafite garantisce un'elevata efficienza e una rapida risposta termica<\/p>\n<\/li>\n
Controllo della temperatura ultrapreciso
Precisione fino a \u00b11\u00b0C, per garantire condizioni stabili di crescita dei cristalli<\/p>\n<\/li>\n
Basso consumo energetico
Il design termico ottimizzato riduce significativamente i costi operativi<\/p>\n<\/li>\n
Alta stabilit\u00e0 e bassa contaminazione
Riscaldamento senza contatto + ambiente con gas inerte che riduce al minimo le impurit\u00e0<\/p>\n<\/li>\n
Scalabile per cristalli di grande diametro
Supporta la crescita di cristalli SiC da 6\u2033, 8\u2033 e 12\u2033.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
| Parametro<\/th>\n | Specifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Dimensioni (L\u00d7L\u00d7H)<\/td>\n | 3200 \u00d7 1150 \u00d7 3600 mm (personalizzabile)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Diametro della camera del forno<\/td>\n | 400 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Temperatura massima<\/td>\n | 2400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Intervallo di temperatura<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Precisione della temperatura<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Metodo di riscaldamento<\/td>\n | Riscaldamento a induzione<\/td>\n<\/tr>\n |
| Alimentazione<\/td>\n | 40 kW, 8-12 kHz<\/td>\n<\/tr>\n |
| Livello di vuoto<\/td>\n | 5 \u00d7 10-\u2074 Pa<\/td>\n<\/tr>\n |
| Intervallo di pressione<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| Misura della temperatura<\/td>\n | Infrarossi a doppio colore<\/td>\n<\/tr>\n |
| Metodo di caricamento<\/td>\n | Caricamento dal basso<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\nVantaggi del design<\/span><\/h2>\nCompatibile con la crescita di cristalli di SiC semi-isolanti e conduttivi<\/p>\n<\/li>\n Il sistema di rotazione del crogiolo migliora l'uniformit\u00e0 della temperatura<\/p>\n<\/li>\n Il sollevamento regolabile della bobina di induzione riduce i disturbi termici<\/p>\n<\/li>\n La camera al quarzo a doppio strato raffreddata ad acqua prolunga la durata dell'apparecchiatura<\/p>\n<\/li>\n Monitoraggio della temperatura a doppio punto in tempo reale<\/p>\n<\/li>\n Modalit\u00e0 di controllo multiple: potenza costante \/ corrente \/ temperatura<\/p>\n<\/li>\n Avvio intelligente con un solo clic per un funzionamento automatico<\/p>\n<\/li>\n Struttura compatta per un layout di fabbrica efficiente<\/p>\n<\/li>\n Controllo della pressione ad alta precisione (fino a \u00b11 Pa)<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n Prestazioni e applicazioni<\/span><\/h2>\nMOSFET SiC<\/p>\n<\/li>\n Diodi Schottky<\/p>\n<\/li>\n Dispositivi RF<\/p>\n<\/li>\n Veicoli elettrici (moduli di potenza EV)<\/p>\n<\/li>\n Inverter solari<\/p>\n<\/li>\n Sistemi di comunicazione 5G<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n Grazie al controllo termico stabile e alle condizioni di crescita ottimizzate, il sistema garantisce un'elevata resa, coerenza e scalabilit\u00e0 per la produzione industriale.<\/p>\n
Le nostre capacit\u00e0 (ZMSH)<\/span><\/h2>\n
|
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/03\/SiC-Growth-Furnace5.png\")
<\/p>\n