![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262693-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x199.webp\")
<\/p>\n<\/p>\n
Il forno di crescita a resistenza per cristalli singoli ZMSH SiC \u00e8 un sistema di crescita di cristalli ad alta temperatura specificamente progettato per la produzione di cristalli singoli di carburo di silicio di grande diametro, in grado di supportare la produzione di wafer SiC da 6, 8 e 12 pollici.<\/p>\n
<\/p>\n
zione.<\/p>\n
Il forno \u00e8 progettato in base al principio di crescita dei cristalli con trasporto fisico del vapore (PVT), integrando il controllo preciso del riscaldamento a resistenza, la distribuzione stabile del campo termico, la gestione dell'ambiente ad alto vuoto e la regolazione accurata della pressione.
Questa configurazione consente la crescita di cristalli singoli di SiC di elevata purezza e a bassa densit\u00e0 di difetti, adatti per applicazioni avanzate di semiconduttori di potenza e dispositivi elettronici.<\/p>\n
Il sistema \u00e8 stato sviluppato per soddisfare i requisiti della produzione industriale, garantendo la stabilit\u00e0 del processo, la ripetibilit\u00e0 e l'affidabilit\u00e0 operativa a lungo termine in ambienti di crescita di cristalli SiC su larga scala.<\/p>\n
\n
<\/p>\n
Il forno adotta una struttura di riscaldamento a resistenza multizona per ottenere una distribuzione uniforme della temperatura assiale e radiale. Ci\u00f2 minimizza i gradienti termici, riduce le sollecitazioni interne e migliora l'integrit\u00e0 strutturale del cristallo durante il processo di crescita.<\/p>\n
Temperatura massima di esercizio fino a 2500\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Precisione del controllo della temperatura: \u00b11\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Ampio intervallo di regolazione della pressione: 1-700 mbar<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Questi parametri forniscono un ambiente termodinamico stabile, essenziale per la sublimazione controllata, il trasporto del vapore e la ricristallizzazione dei cristalli nella crescita del SiC.<\/p>\n
Con un diametro del crogiolo di 900 mm, il sistema supporta la crescita di lingotti SiC di prossima generazione da 8 e 12 pollici, consentendo ai produttori di scalare la produzione e di migliorare la resa e la consistenza dei wafer.<\/p>\n
Il forno mantiene una camera di crescita a bassa perdita e ad alto vuoto, garantendo un rischio ridotto di contaminazione, una maggiore purezza dei cristalli e un funzionamento stabile a lungo termine.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262670-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x300.webp\")
<\/h2>\n<\/p>\n
Substrati per semiconduttori di potenza<\/p>\n<\/li>\n
Moduli di potenza per veicoli elettrici<\/p>\n<\/li>\n
Dispositivi MOSFET e diodi ad alta tensione<\/p>\n<\/li>\n
Sistemi di conversione dell'energia rinnovabile<\/p>\n<\/li>\n
Componenti elettronici ad alta frequenza e RF<\/p>\n<\/li>\n
Elettronica di potenza industriale<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
<\/p>\n
<\/p>\n
| No.<\/th>\n | Specifiche<\/th>\n | Dettagli<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| 1<\/td>\n | Modello<\/td>\n | PVT-RS-40<\/td>\n<\/tr>\n |
| 2<\/td>\n | Dimensioni del forno (L \u00d7 W \u00d7 H)<\/td>\n | 2500 \u00d7 2400 \u00d7 3456 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 3<\/td>\n | Diametro del crogiolo<\/td>\n | 900 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 4<\/td>\n | Pressione di vuoto finale<\/td>\n | 6 \u00d7 10-\u2074 Pa (dopo 1,5 ore di vuoto)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 5<\/td>\n | Tasso di perdita<\/td>\n | \u22645 Pa \/ 12 h (bake-out)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 6<\/td>\n | Diametro dell'albero di rotazione<\/td>\n | 50 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 7<\/td>\n | Velocit\u00e0 di rotazione<\/td>\n | 0,5-5 giri\/minuto<\/td>\n<\/tr>\n |
| 8<\/td>\n | Metodo di riscaldamento<\/td>\n | Riscaldamento a resistenza elettrica<\/td>\n<\/tr>\n |
| 9<\/td>\n | Temperatura massima del forno<\/td>\n | 2500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 10<\/td>\n | Potenza di riscaldamento<\/td>\n | 40 kW \u00d7 2 + 20 kW<\/td>\n<\/tr>\n |
| 11<\/td>\n | Misura della temperatura<\/td>\n | Pirometro a infrarossi a doppio colore<\/td>\n<\/tr>\n |
| 12<\/td>\n | Intervallo di temperatura<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 13<\/td>\n | Precisione della temperatura<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 14<\/td>\n | Intervallo di pressione<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| 15<\/td>\n | Precisione del controllo della pressione<\/td>\n | \u00b10,5% fondo scala<\/td>\n<\/tr>\n |
| 16<\/td>\n | Tipo di operazione<\/td>\n | Caricamento dal basso, modalit\u00e0 di sicurezza manuale o automatica<\/td>\n<\/tr>\n |
| 17<\/td>\n | Configurazioni opzionali<\/td>\n | Riscaldamento multizona, monitoraggio della doppia temperatura<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/h2>\n |