{"id":2558,"date":"2026-06-16T01:53:41","date_gmt":"2026-06-16T01:53:41","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2558"},"modified":"2026-06-16T01:53:46","modified_gmt":"2026-06-16T01:53:46","slug":"what-is-wafer-tir-and-how-is-it-different-from-ttv","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/what-is-wafer-tir-and-how-is-it-different-from-ttv\/","title":{"rendered":"Che cos\u2019\u00e8 il TIR dei wafer e in cosa si differenzia dal TTV?"},"content":{"rendered":"<p>In <a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/prodotti\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">produzione di semiconduttori<\/mark><\/a>, la geometria del wafer svolge un ruolo fondamentale nel determinare la stabilit\u00e0 del processo, la precisione litografica, la qualit\u00e0 dell\u2019incollaggio e, in ultima analisi, la resa dei dispositivi. Con l\u2019aumento costante del diametro dei wafer e le crescenti esigenze delle tecnologie di packaging avanzate, la necessit\u00e0 di una metrologia precisa dei wafer non \u00e8 mai stata cos\u00ec grande.<\/p>\n\n\n\n<p>Tra i numerosi parametri utilizzati per valutare la qualit\u00e0 dei wafer, <strong>Variazione dello spessore totale (TTV)<\/strong> e <strong>Lettura totale indicata (TIR)<\/strong> sono molto comuni. Sebbene entrambe le misurazioni siano correlate allo spessore e alla planarit\u00e0 del wafer, descrivono caratteristiche fisiche diverse e vengono spesso fraintese.<\/p>\n\n\n\n<p>Questo articolo illustra le definizioni, i metodi di misurazione, le applicazioni e le principali differenze tra TIR e TTV, aiutando gli ingegneri a comprendere meglio le specifiche geometriche dei wafer.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"512\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1024x512.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-2559\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1024x512.png 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-300x150.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-768x384.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1536x768.png 1536w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-2048x1024.png 2048w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-18x9.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-600x300.png 600w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Comprendere le misurazioni dello spessore dei wafer<\/h2>\n\n\n\n<p><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/categoria-prodotto\/wafer\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">Wafer semiconduttore<\/mark>s<\/a> devono presentare uno spessore estremamente uniforme su tutta la superficie. Anche lievi variazioni possono influire su:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Precisione della messa a fuoco nella litografia<\/li>\n\n\n\n<li>Movimentazione e trasporto dei wafer<\/li>\n\n\n\n<li>Processi di incollaggio dei wafer<\/li>\n\n\n\n<li>Prestazioni del CMP<\/li>\n\n\n\n<li>Affidabilit\u00e0 e rendimento dei dispositivi<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Per valutare l'uniformit\u00e0 dello spessore, i produttori utilizzano diversi parametri geometrici, tra cui:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Spessore<\/li>\n\n\n\n<li>TTV (Variazione dello spessore totale)<\/li>\n\n\n\n<li>Arco<\/li>\n\n\n\n<li>Ordito<\/li>\n\n\n\n<li>TIR (Valore totale indicato)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Ogni parametro fornisce informazioni specifiche sulle condizioni fisiche del wafer.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Che cos\u2019\u00e8 <a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/what-are-wafer-ttv-bow-and-warp\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">TTV (Variazione dello spessore totale)<\/mark><\/a>?<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Definizione<\/h3>\n\n\n\n<p>Il TTV rappresenta la differenza tra lo spessore massimo e quello minimo misurati su un wafer.<\/p>\n\n\n\n<p>Dal punto di vista matematico:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TTV = Spessore massimo \u2212 Spessore minimo<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>Il TTV si concentra esclusivamente sull'uniformit\u00e0 dello spessore e non tiene conto dell'orientamento del wafer n\u00e9 del suo comportamento rotazionale.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Principio di misurazione<\/h3>\n\n\n\n<p>Le misurazioni dello spessore vengono effettuate in diversi punti della superficie del wafer utilizzando:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sensori capacitivi<\/li>\n\n\n\n<li>Interferometri ottici<\/li>\n\n\n\n<li>Misuratori di spessore a contatto<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di metrologia laser<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Vengono individuati i valori di spessore massimo e minimo, e la loro differenza costituisce il valore TTV.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Esempio<\/h3>\n\n\n\n<p>Se lo spessore di un wafer \u00e8 compreso tra:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Spessore massimo: 726 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n<li>Spessore minimo: 721 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Allora:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TTV = 726 \u2212 721 = 5 \u03bcm<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>Un valore TTV pi\u00f9 basso indica una maggiore uniformit\u00e0 dello spessore.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Che cos\u2019\u00e8 il TIR (Total Indicated Reading)?<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Definizione<\/h3>\n\n\n\n<p>Il TIR misura la variazione totale osservata quando un wafer viene ruotato attorno al proprio asse centrale.<\/p>\n\n\n\n<p>A differenza del TTV, il TIR riflette l'influenza combinata di:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Variazione dello spessore<\/li>\n\n\n\n<li>Irregolarit\u00e0 superficiali<\/li>\n\n\n\n<li>Eccentricit\u00e0 del wafer<\/li>\n\n\n\n<li>Errori di allineamento dei dispositivi di fissaggio<\/li>\n\n\n\n<li>Eccentricit\u00e0 superficiale<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Il TIR trova ampio impiego nelle applicazioni di meccanica di precisione e metrologia.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Principio di misurazione<\/h3>\n\n\n\n<p>Il wafer viene montato su un mandrino e ruotato di 360 gradi, mentre un sensore di spostamento registra continuamente il movimento della superficie.<\/p>\n\n\n\n<p>La differenza tra il valore massimo e quello minimo rilevati durante la rotazione \u00e8 definita come:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TIR = Valore massimo dell'indicatore \u2212 Valore minimo dell'indicatore<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Esempio<\/h3>\n\n\n\n<p>Durante la rotazione:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Valore massimo rilevato: +3 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n<li>Valore minimo: \u22124 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Allora:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TIR = 3 \u2212 (\u22124) = 7 \u03bcm<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">TTV vs TIR: differenze principali<\/h2>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><th>Parametro<\/th><th>TTV<\/th><th>TIR<\/th><\/tr><tr><td>Nome completo<\/td><td>Variazione dello spessore totale<\/td><td>Lettura totale indicata<\/td><\/tr><tr><td>Scopo principale<\/td><td>Uniformit\u00e0 dello spessore<\/td><td>Variazione della superficie di rotazione<\/td><\/tr><tr><td>Misura lo spessore?<\/td><td>S\u00ec<\/td><td>In parte<\/td><\/tr><tr><td>Dipende dalla forma della superficie?<\/td><td>No<\/td><td>S\u00ec<\/td><\/tr><tr><td>\u00c8 influenzato dall'eccentricit\u00e0 del wafer?<\/td><td>No<\/td><td>S\u00ec<\/td><\/tr><tr><td>\u00c8 necessaria la rotazione?<\/td><td>No<\/td><td>S\u00ec<\/td><\/tr><tr><td>Applicazione tipica<\/td><td>Qualificazione dei wafer semiconduttori<\/td><td>Metrologia di precisione e allineamento delle apparecchiature<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>La differenza pi\u00f9 importante \u00e8 questa:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Il TTV misura direttamente la variazione di spessore, mentre il TIR misura la variazione posizionale complessiva durante la rotazione.<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>Di conseguenza, i valori TIR sono spesso superiori a quelli TTV, poich\u00e9 tengono conto di ulteriori errori geometrici.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Relazione tra TIR e TTV<\/h2>\n\n\n\n<p>Sebbene siano correlati, TIR e TTV non sono intercambiabili.<\/p>\n\n\n\n<p>In un wafer ideale:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Centraggio perfetto<\/li>\n\n\n\n<li>Allineamento perfetto del mandrino<\/li>\n\n\n\n<li>Assenza di irregolarit\u00e0 superficiali<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Il TIR potrebbe avvicinarsi al valore del TTV.<\/p>\n\n\n\n<p>Tuttavia, negli ambienti produttivi reali, il TIR \u00e8 solitamente influenzato da ulteriori fattori:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Eccentrico superficiale<\/h3>\n\n\n\n<p>Piccole ondulazioni o difetti locali possono far aumentare i valori indicati dall'indicatore.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Eccentricit\u00e0 del wafer<\/h3>\n\n\n\n<p>Se il centro del wafer non \u00e8 perfettamente allineato con l'asse del mandrino, il TIR aumenta.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Errori di configurazione<\/h3>\n\n\n\n<p>La planarit\u00e0 del mandrino e la precisione di montaggio possono contribuire alla variazione dei risultati di misura.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Vibrazioni meccaniche<\/h3>\n\n\n\n<p>L'instabilit\u00e0 dell'apparecchiatura pu\u00f2 causare rumore di misura.<\/p>\n\n\n\n<p>Di conseguenza:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Nella maggior parte dei casi pratici, TIR \u00e8 maggiore o uguale a TTV.<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Perch\u00e9 il TIR \u00e8 importante nella produzione di semiconduttori<\/h2>\n\n\n\n<p>Man mano che il diametro dei wafer passa da 150 mm e 200 mm a 300 mm e oltre, la precisione geometrica assume un\u2019importanza sempre maggiore.<\/p>\n\n\n\n<p>Le misurazioni TIR sono comunemente utilizzate in:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Levigatura dei wafer<\/h3>\n\n\n\n<p>Monitoraggio della precisione del mandrino durante i processi di rettifica posteriore.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Lucidatura dei wafer<\/h3>\n\n\n\n<p>Valutazione della stabilit\u00e0 rotazionale durante le operazioni di CMP.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Sistemi di ispezione dei wafer<\/h3>\n\n\n\n<p>Garantire un posizionamento e una messa a fuoco precisi.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Incollaggio di wafer<\/h3>\n\n\n\n<p>Riduzione degli errori di allineamento nelle applicazioni di packaging avanzato.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Produzione di MEMS<\/h3>\n\n\n\n<p>Rispettare rigorosi requisiti di planarit\u00e0 per le strutture microelettromeccaniche.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Requisiti tipici del settore<\/h2>\n\n\n\n<p>I valori accettabili di TTV e TIR dipendono dal tipo di wafer e dall'applicazione.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Wafer di silicio<\/h3>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Diametro<\/td><td>TTV tipico<\/td><\/tr><tr><td>150 mm<\/td><td>&lt; 5 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>200 mm<\/td><td>&lt; 3 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>300 mm<\/td><td>&lt; 1 \u03bcm<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Wafer in SiC avanzati<\/h3>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Diametro<\/td><td>TTV tipico<\/td><\/tr><tr><td>6 pollici<\/td><td>&lt; 10 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>8 pollici<\/td><td>&lt; 5 \u03bcm<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>Le specifiche TIR sono generalmente determinate dai produttori delle apparecchiature e dai requisiti di processo, piuttosto che dai soli standard relativi ai substrati.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">TIR, TTV, curvatura e deformazione: un quadro completo<\/h2>\n\n\n\n<p>Non esiste un unico parametro in grado di descrivere appieno la geometria del wafer.<\/p>\n\n\n\n<p>Gli ingegneri valutano solitamente:<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Parametro<\/td><td>Descrizione<\/td><\/tr><tr><td>Spessore<\/td><td>Spessore medio del wafer<\/td><\/tr><tr><td>TTV<\/td><td>Uniformit\u00e0 dello spessore<\/td><\/tr><tr><td>TIR<\/td><td>Variazione rotazionale<\/td><\/tr><tr><td>Arco<\/td><td>Spostamento del centro rispetto al piano di riferimento<\/td><\/tr><tr><td>Ordito<\/td><td>Deformazione complessiva del wafer<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>Nel loro insieme, queste misurazioni consentono di comprendere in modo esaustivo la qualit\u00e0 dei wafer e la compatibilit\u00e0 dei processi.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Conclusione<\/h2>\n\n\n\n<p>Il TTV e il TIR sono entrambi parametri fondamentali nella metrologia dei wafer, ma hanno finalit\u00e0 diverse.<\/p>\n\n\n\n<p>Il TTV quantifica l'uniformit\u00e0 dello spessore sulla superficie del wafer, rendendolo una specifica fondamentale per i produttori di substrati e gli stabilimenti di produzione di semiconduttori. Il TIR, invece, misura la variazione posizionale totale durante la rotazione e riflette gli effetti combinati della variazione di spessore, delle irregolarit\u00e0 superficiali e dell'allineamento meccanico.<\/p>\n\n\n\n<p>Man mano che la produzione di semiconduttori continua a orientarsi verso wafer di diametro sempre maggiore, tecniche di packaging avanzate e tolleranze di processo sempre pi\u00f9 strette, comprendere la differenza tra TTV e TIR diventa sempre pi\u00f9 importante per gli ingegneri coinvolti nella produzione dei wafer, nell\u2019ispezione e nella fabbricazione dei dispositivi.<\/p>\n\n\n\n<p>Valutando accuratamente entrambi i parametri, i produttori possono migliorare la stabilit\u00e0 del processo, le prestazioni delle apparecchiature e la resa complessiva dei dispositivi.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>In semiconductor manufacturing, wafer geometry plays a critical role in determining process stability, lithography accuracy, bonding quality, and ultimately device yield. As wafer diameters continue to increase and advanced packaging technologies become more demanding, the need for precise wafer metrology has never been greater. Among the many parameters used to evaluate wafer quality, Total Thickness [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2559,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[25],"tags":[1522,383,1524,36,195,637,1090,1520,130,1518,372,1515,1521,714,1517,1523,1519,873,131],"class_list":["post-2558","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technology-applications","tag-cmp-process","tag-precision-metrology","tag-semiconductor-engineering","tag-semiconductor-manufacturing","tag-semiconductor-materials","tag-sic-wafer","tag-silicon-wafer","tag-total-indicated-reading","tag-total-thickness-variation","tag-wafer-bow","tag-wafer-flatness","tag-wafer-geometry","tag-wafer-grinding","tag-wafer-inspection","tag-wafer-metrology","tag-wafer-thickness-measurement","tag-wafer-tir","tag-wafer-ttv","tag-wafer-warp"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2558"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2560,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558\/revisions\/2560"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2559"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2558"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2558"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2558"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}