{"id":2451,"date":"2026-05-06T05:42:15","date_gmt":"2026-05-06T05:42:15","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2451"},"modified":"2026-05-06T05:45:22","modified_gmt":"2026-05-06T05:45:22","slug":"sic-industry-chain-key-segments-and-process-characteristics","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/sic-industry-chain-key-segments-and-process-characteristics\/","title":{"rendered":"Segmenti chiave della catena industriale SiC e caratteristiche del processo (approfondimento originale)"},"content":{"rendered":"<p>Il carburo di silicio (SiC) \u00e8 diventato un materiale fondamentale per l'elettronica di potenza di prossima generazione, ampiamente utilizzato nei veicoli elettrici, negli inverter fotovoltaici e nei sistemi di alimentazione ad alta tensione. Tuttavia, a differenza della tecnologia matura del silicio, la catena industriale del SiC \u00e8 ancora molto complessa, ad alta intensit\u00e0 di capitale e sensibile ai processi.<\/p>\n\n\n\n<p>Questo articolo fornisce una panoramica strutturata della catena industriale del SiC, delle principali fasi di produzione, delle sfide del processo e dei sistemi di apparecchiature critiche, sulla base delle pratiche di ingegneria industriale.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">1. Panoramica della catena industriale del SiC<\/h1>\n\n\n\n<p>La catena industriale dei dispositivi SiC \u00e8 simile a quella dei tradizionali semiconduttori al silicio e pu\u00f2 essere suddivisa in cinque segmenti principali:<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">1. Substrato a cristallo singolo (substrato)<\/h2>\n\n\n\n<p>Include:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sintesi di polvere di SiC di elevata purezza<\/li>\n\n\n\n<li>Crescita del cristallo singolo<\/li>\n\n\n\n<li>Affettatura, rettifica e lucidatura dei wafer<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>\ud83d\udc49 Funzione: Fornisce il materiale di base per i wafer SiC.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2. Strato epitassiale (Epitassi)<\/h2>\n\n\n\n<p>Sul substrato viene fatto crescere uno strato di SiC di alta qualit\u00e0.<\/p>\n\n\n\n<p>Caratteristiche principali:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Lo spessore determina la tensione nominale<\/li>\n\n\n\n<li>~1 \u03bcm \u2248 100 V capacit\u00e0 di ripartizione<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>\ud83d\udc49 Funzione: Definisce il tetto delle prestazioni elettriche del dispositivo<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">3. Fabbricazione del dispositivo<\/h2>\n\n\n\n<p>In genere segue un modello IDM (Integrated Device Manufacturer).<\/p>\n\n\n\n<p>Processi principali:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Fotolitografia<\/li>\n\n\n\n<li>Impianto di ioni<\/li>\n\n\n\n<li>Incisione<\/li>\n\n\n\n<li>Ossidazione<\/li>\n\n\n\n<li>Metallizzazione<\/li>\n\n\n\n<li>Ricottura<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>\ud83d\udc49 Funzione: Forma dispositivi di potenza come i MOSFET SiC<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4. Imballaggio (incapsulamento)<\/h2>\n\n\n\n<p>Aree di interesse:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Dissipazione del calore<\/li>\n\n\n\n<li>Interconnessione elettrica<\/li>\n\n\n\n<li>Miglioramento dell'affidabilit\u00e0<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>\ud83d\udc49 La tecnologia di confezionamento nazionale \u00e8 relativamente matura<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5. Modulo e applicazione<\/h2>\n\n\n\n<p>Applicazioni principali:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Veicoli elettrici<\/li>\n\n\n\n<li>Inverter fotovoltaici<\/li>\n\n\n\n<li>Alimentatori industriali<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di rete ad alta tensione<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">2. Perch\u00e9 la tecnologia di processo SiC \u00e8 cos\u00ec impegnativa<\/h1>\n\n\n\n<p>Il materiale SiC presenta tre propriet\u00e0 fisiche estreme:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Durezza estremamente elevata<\/li>\n\n\n\n<li>Temperatura di fusione\/sublimazione elevatissima (&gt;2000\u00b0C)<\/li>\n\n\n\n<li>Forte stabilit\u00e0 chimica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Queste propriet\u00e0 rendono la lavorazione molto pi\u00f9 difficile rispetto al silicio.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">1. Crescita del cristallo singolo (metodo PVT dominante)<\/h2>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-full\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"768\" height=\"768\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Single-Crystal-Growth-Furnace-for-6-Inch-and-8-Inch-Crystals-Using-PVT-Lely-and-TSSG-Methods-3-768x768-1.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-2452\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Single-Crystal-Growth-Furnace-for-6-Inch-and-8-Inch-Crystals-Using-PVT-Lely-and-TSSG-Methods-3-768x768-1.webp 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Single-Crystal-Growth-Furnace-for-6-Inch-and-8-Inch-Crystals-Using-PVT-Lely-and-TSSG-Methods-3-768x768-1-300x300.webp 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Single-Crystal-Growth-Furnace-for-6-Inch-and-8-Inch-Crystals-Using-PVT-Lely-and-TSSG-Methods-3-768x768-1-150x150.webp 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Single-Crystal-Growth-Furnace-for-6-Inch-and-8-Inch-Crystals-Using-PVT-Lely-and-TSSG-Methods-3-768x768-1-12x12.webp 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Single-Crystal-Growth-Furnace-for-6-Inch-and-8-Inch-Crystals-Using-PVT-Lely-and-TSSG-Methods-3-768x768-1-600x600.webp 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Single-Crystal-Growth-Furnace-for-6-Inch-and-8-Inch-Crystals-Using-PVT-Lely-and-TSSG-Methods-3-768x768-1-100x100.webp 100w\" sizes=\"(max-width: 768px) 100vw, 768px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<p>Metodi principali:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Trasporto fisico del vapore (PVT)<\/li>\n\n\n\n<li>CVD ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Crescita della soluzione (adozione limitata)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Caratteristiche principali:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Temperatura fino a ~2500\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Ambiente a bassissima pressione<\/li>\n\n\n\n<li>Tasso di crescita estremamente lento<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Sfide fondamentali:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Controllo della stabilit\u00e0 del campo termico<\/li>\n\n\n\n<li>Durata del materiale del crogiolo<\/li>\n\n\n\n<li>Controllo dei difetti (dislocazioni, micropipe)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>\ud83d\udc49 Risultato: Produzione lenta e costi di produzione elevati<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2. Lavorazione dei wafer: Manipolazione di materiali estremamente duri<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Segatura a filo<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>La sega multifilo diamantata \u00e8 di serie<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Bassa efficienza di taglio<\/li>\n\n\n\n<li>Formazione di microfessure<\/li>\n\n\n\n<li>Elevata usura degli utensili<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Rettifica e lucidatura<\/h3>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Difficile controllo dell'asportazione del materiale<\/li>\n\n\n\n<li>Grave deformazione del wafer<\/li>\n\n\n\n<li>Alto rischio di frattura del wafer<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>\ud83d\udc49 Problema chiave: Efficienza di lavorazione meccanica estremamente bassa<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">3. Epitassia: Finestra di processo ristretta ad alta temperatura<\/h2>\n\n\n\n<p>Temperatura tipica:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Fino a 1700\u00b0C<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Finestra di processo estremamente ristretta<\/li>\n\n\n\n<li>Sensibilit\u00e0 al flusso di gas<\/li>\n\n\n\n<li>Difficolt\u00e0 di controllo dell'uniformit\u00e0 dello spessore<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4. Fabbricazione di dispositivi: Sistemi ad alta energia e ad alta temperatura<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">L'equipaggiamento chiave include:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sistemi di impiantazione ionica ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Forni di ricottura ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Forni di ossidazione ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di incisione a secco<\/li>\n\n\n\n<li>Strumenti di pulizia e metallizzazione<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">3. Apparecchiature chiave nella produzione di SiC (oltre 20 sistemi)<\/h1>\n\n\n\n<p>5<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">1.<mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#fcb900\" class=\"has-inline-color\"> <\/mark><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/prodotto\/sic-single-crystal-growth-furnace-for-6-inch-and-8-inch-crystals-using-pvt-lely-and-tssg-methods\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#9b51e0\" class=\"has-inline-color\">Forno per la crescita dei cristalli di SiC<\/mark><\/a><\/h2>\n\n\n\n<p>Requisiti:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Capacit\u00e0 operativa \u22652500\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Sigillatura ad altissimo vuoto<\/li>\n\n\n\n<li>Controllo preciso del campo termico<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>\ud83d\udc49 Essenzialmente un sistema di ingegneria dei materiali ad alta temperatura<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2. Sega multifilo diamantata<\/h2>\n\n\n\n<p>Funzioni:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Taglio di wafer da lingotti di SiC<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Controllo della tensione del filo<\/li>\n\n\n\n<li>Soppressione delle vibrazioni<\/li>\n\n\n\n<li>Gestione dell'usura abrasiva<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">3. Rettifica del bordo del wafer (smussatura)<\/h2>\n\n\n\n<p>Funzione:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Alleggerimento delle sollecitazioni sui bordi dei wafer<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Controllo di precisione a livello di micron<\/li>\n\n\n\n<li>Prevenzione delle crepe<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4. Sistemi di rettifica e lucidatura<\/h2>\n\n\n\n<p>Tipi:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Macinazione grossolana (relativamente matura a livello nazionale)<\/li>\n\n\n\n<li>Lucidatura fine (dipende ancora dalle importazioni)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Controllo dei danni in superficie<\/li>\n\n\n\n<li>Stabilit\u00e0 della planarit\u00e0 del wafer<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5. Reattori epitassiali<\/h2>\n\n\n\n<p>I principali fornitori globali:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Aixtron (Germania)<\/li>\n\n\n\n<li>LPE (Italia)<\/li>\n\n\n\n<li>Nuflare (Giappone)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Uniformit\u00e0 del gas ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Controllo della precisione dello spessore<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">6. Impiantatori di ioni ad alta temperatura<\/h2>\n\n\n\n<p>Significato:<br>\ud83d\udc49 \u201cApparecchiature di soglia\u201d fondamentali per le fabbriche di SiC<\/p>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Stadio per wafer ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Stabilit\u00e0 della trave in condizioni estreme<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">7. Forno di ricottura ad alta temperatura (fino a 2000\u00b0C)<\/h2>\n\n\n\n<p>Funzione:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Attivazione del dopante<\/li>\n\n\n\n<li>Recupero dei danni del reticolo<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Uniformit\u00e0 della temperatura (\u00b15\u00b0C)<\/li>\n\n\n\n<li>Controllo dello stress termico<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">8. Forno di ossidazione ad alta temperatura<\/h2>\n\n\n\n<p>Condizioni:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>1300-1400\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Chimica dei gas complessa (O\u2082 \/ DCE \/ NO)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Resistenza alla corrosione<\/li>\n\n\n\n<li>Design della camera ultra-pulito<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">9. Attrezzature per la pulizia<\/h2>\n\n\n\n<p>Requisito fondamentale:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Controllo delle particelle a livello nanometrico (capacit\u00e0 di classe fino a ~45 nm)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Controllo della contaminazione superficiale<\/li>\n\n\n\n<li>Compatibilit\u00e0 multiprocesso<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">4. Sfide fondamentali della catena industriale del SiC<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">1. Condizioni fisiche estreme<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Lavorazione ad altissima temperatura (2000-2500\u00b0C)<\/li>\n\n\n\n<li>Vuoto e ambienti corrosivi<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2. Elevata durezza del materiale<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Velocit\u00e0 di lavorazione estremamente bassa<\/li>\n\n\n\n<li>Elevata usura degli utensili e costi<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">3. Difficolt\u00e0 di controllo della resa<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Amplificazione dei difetti attraverso i processi<\/li>\n\n\n\n<li>Effetti del danno cumulativo<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4. Lacune nella localizzazione delle apparecchiature<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Alcune attrezzature gi\u00e0 localizzate<\/li>\n\n\n\n<li>Gli strumenti di epitassia e di precisione di fascia alta si affidano ancora alle importazioni<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">Conclusione<\/h1>\n\n\n\n<p>La difficolt\u00e0 della produzione di SiC non deriva da un singolo collo di bottiglia, ma dal fatto che:<\/p>\n\n\n\n<p>\ud83d\udc49 Ogni fase, dalla crescita dei cristalli alla fabbricazione dei dispositivi, spinge al limite sia la fisica dei materiali che l'ingegneria delle apparecchiature.<\/p>\n\n\n\n<p>La futura competitivit\u00e0 dell'industria del SiC dipender\u00e0 da tre progressi fondamentali:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Tecnologia di crescita dei cristalli pi\u00f9 stabile<\/li>\n\n\n\n<li>Processi epitassiali a maggiore uniformit\u00e0<\/li>\n\n\n\n<li>Ecosistemi di attrezzature a basso costo e completamente localizzati<\/li>\n<\/ul>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Silicon Carbide (SiC) has become a cornerstone material in next-generation power electronics, widely used in electric vehicles, photovoltaic inverters, and high-voltage power systems. However, unlike mature silicon technology, the SiC industry chain is still highly complex, capital-intensive, and process-sensitive. This article provides a structured overview of the SiC industry chain, key manufacturing stages, process challenges, [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2452,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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