{"id":2449,"date":"2026-05-06T05:10:20","date_gmt":"2026-05-06T05:10:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2449"},"modified":"2026-05-06T05:12:07","modified_gmt":"2026-05-06T05:12:07","slug":"why-silicon-carbide-sic-chips-are-so-difficult-to-manufacture","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/why-silicon-carbide-sic-chips-are-so-difficult-to-manufacture\/","title":{"rendered":"Perch\u00e9 i chip in carburo di silicio (SiC) sono cos\u00ec difficili da produrre: Un'immersione profonda con oltre 20 domande e risposte sulle apparecchiature"},"content":{"rendered":"<p>Il carburo di silicio (SiC) \u00e8 diventato uno dei materiali pi\u00f9 importanti per l'elettronica di potenza di prossima generazione. Rispetto al silicio tradizionale, consente di realizzare dispositivi a tensione e temperatura pi\u00f9 elevate e con una maggiore efficienza. Tuttavia, dietro questi vantaggi si nasconde una dura realt\u00e0: I chip di SiC sono estremamente difficili e costosi da produrre su scala.<\/p>\n\n\n\n<p>A differenza della lavorazione del silicio convenzionale, la produzione di SiC comporta temperature estreme, materiali ultraduri e finestre di processo strette. Anche una piccola instabilit\u00e0 delle apparecchiature pu\u00f2 portare a difetti del cristallo, rottura del wafer o perdita di rendimento.<\/p>\n\n\n\n<p>Questo articolo analizza l'intera catena di produzione del SiC attraverso un quadro strutturato di oltre 20 apparecchiature, spiegando perch\u00e9 questo materiale \u00e8 cos\u00ec difficile da trasformare in dispositivi semiconduttori affidabili.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-full\"><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/prodotto\/sic-crystal-growth-furnace-pvt-lpe-ht-cvd-for-high-quality-silicon-carbide-single-crystal-production\/\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"750\" height=\"648\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-2288\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2.webp 750w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-300x259.webp 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-14x12.webp 14w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-600x518.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 750px) 100vw, 750px\" \/><\/a><\/figure>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">1. Panoramica della produzione di SiC: Due fasi principali<\/h1>\n\n\n\n<p>La produzione di dispositivi SiC \u00e8 generalmente suddivisa in due fasi principali:<\/p>\n\n\n\n<ol class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Crescita dei cristalli e lavorazione dei wafer<\/strong><\/li>\n\n\n\n<li><strong>Fabbricazione e confezionamento dei dispositivi<\/strong><\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n<p>Ogni fase richiede attrezzature altamente specializzate che operano in condizioni fisiche estreme.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">2. Perch\u00e9 la crescita dei cristalli di SiC \u00e8 cos\u00ec difficile<\/h1>\n\n\n\n<p>A differenza del silicio, il SiC non pu\u00f2 essere coltivato da una semplice fusione. Richiede una crescita per sublimazione a temperature estremamente elevate (&gt;2000\u00b0C). Questo crea molteplici sfide ingegneristiche.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q1: Quali sono i principali sistemi di crescita dei cristalli SiC?<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Forno per la sintesi di polvere di SiC<\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/categoria-prodotto\/crystal-growth-furnace\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#0693e3\" class=\"has-inline-color\">Forno per la crescita di cristalli singoli di SiC<\/mark><\/a><\/li>\n\n\n\n<li>Sega multifilo diamantata<\/li>\n\n\n\n<li>Macchine per la rettifica e la lucidatura<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D2: Perch\u00e9 la sintesi della polvere di SiC \u00e8 cos\u00ec difficile?<\/h2>\n\n\n\n<p>Le sfide principali includono:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Stabilit\u00e0 alle altissime temperature<\/li>\n\n\n\n<li>Affidabilit\u00e0 della sigillatura sottovuoto<\/li>\n\n\n\n<li>Controllo termico preciso<\/li>\n\n\n\n<li>Uniformit\u00e0 della reazione chimica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Anche piccole deviazioni di temperatura o pressione possono alterare la purezza della polvere, influenzando direttamente la qualit\u00e0 del cristallo.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D3: Perch\u00e9 la tecnologia dei forni per la crescita dei cristalli SiC \u00e8 cos\u00ec complessa?<\/h2>\n\n\n\n<p>Le principali difficolt\u00e0 includono:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Design del forno ad alta temperatura di grandi dimensioni<\/li>\n\n\n\n<li>Ambiente stabile sotto vuoto oltre i 2000\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Selezione del materiale del crogiolo (sistemi a base di grafite)<\/li>\n\n\n\n<li>Controllo preciso del flusso di gas<\/li>\n\n\n\n<li>Gestione dell'uniformit\u00e0 del campo termico<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Qualsiasi instabilit\u00e0 porta a:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Difetti policristallini<\/li>\n\n\n\n<li>Dislocazioni<\/li>\n\n\n\n<li>Perdita di rendimento nei wafer<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\"\/>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">3. Taglio e lavorazione dei wafer: Limiti meccanici del SiC<\/h1>\n\n\n\n<p>8<\/p>\n\n\n\n<p>Il SiC \u00e8 uno dei materiali semiconduttori pi\u00f9 duri, secondo solo al diamante per durezza. Ci\u00f2 rende la lavorazione meccanica estremamente impegnativa.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D4: Perch\u00e9 la segatura a filo diamantato \u00e8 difficile per il SiC?<\/h2>\n\n\n\n<p>Questioni tecniche fondamentali:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Instabilit\u00e0 della tensione del filo<\/li>\n\n\n\n<li>Controllo delle vibrazioni di taglio<\/li>\n\n\n\n<li>Usura delle particelle di fango<\/li>\n\n\n\n<li>Accumulo di calore durante l'affettatura<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Se non controllato correttamente:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>La scheggiatura dei bordi aumenta<\/li>\n\n\n\n<li>Si formano microfratture interne<\/li>\n\n\n\n<li>La resistenza del wafer diminuisce<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D5: Cosa rende difficile la macinazione del SiC?<\/h2>\n\n\n\n<p>Le sfide includono:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>La durezza porta a una lenta rimozione del materiale<\/li>\n\n\n\n<li>Formazione dello strato di danno superficiale<\/li>\n\n\n\n<li>Accumulo di stress residuo<\/li>\n\n\n\n<li>Grave deformazione del wafer dopo l'assottigliamento<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D6: Perch\u00e9 la lucidatura del SiC \u00e8 pi\u00f9 complessa di quella del silicio?<\/h2>\n\n\n\n<p>Sfide di lucidatura:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>L'elevata rigidit\u00e0 causa una distribuzione non uniforme della pressione<\/li>\n\n\n\n<li>Deformazione termica dei tamponi di lucidatura<\/li>\n\n\n\n<li>Difficolt\u00e0 a raggiungere la piattezza a livello atomico<\/li>\n\n\n\n<li>La rimozione dei danni subacquei \u00e8 pi\u00f9 difficile<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">4. Fabbricazione del dispositivo: Condizioni termiche e di plasma estreme<\/h1>\n\n\n\n<p>8<\/p>\n\n\n\n<p>Dopo la preparazione dei wafer, la fabbricazione dei dispositivi SiC introduce un ulteriore livello di complessit\u00e0: <strong>ambienti estremi di lavorazione termica e al plasma<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\"\/>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D7: Quali sono le attrezzature utilizzate nella fabbricazione dei dispositivi SiC?<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Reattori per epitassia di SiC<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di incisione a secco<\/li>\n\n\n\n<li>Implanter ionici ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Forni di ricottura ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Forni di ossidazione<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di rettifica a rovescio<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D8: Perch\u00e9 l'epitassia del SiC \u00e8 difficile?<\/h2>\n\n\n\n<p>Le sfide principali:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Ambiente di crescita ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Instabilit\u00e0 del flusso di gas<\/li>\n\n\n\n<li>Controllo dei difetti dell'interfaccia<\/li>\n\n\n\n<li>Uniformit\u00e0 di spessore su wafer da 200 mm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D9: Cosa rende difficile l'incisione al plasma del SiC?<\/h2>\n\n\n\n<p>Le questioni includono:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Forte resistenza chimica di SiC<\/li>\n\n\n\n<li>Corrosione della camera da parte del plasma aggressivo<\/li>\n\n\n\n<li>Basso tasso di incisione rispetto al silicio<\/li>\n\n\n\n<li>Instabilit\u00e0 del processo in presenza di plasma ad alta energia<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q10: Perch\u00e9 l'impiantazione ionica \u00e8 pi\u00f9 difficile per il SiC?<\/h2>\n\n\n\n<p>SiC richiede:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Impianto ad alta temperatura<\/li>\n\n\n\n<li>Ricottura con attivazione profonda del drogante<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sfide:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>L'efficienza di attivazione del dopante \u00e8 bassa<\/li>\n\n\n\n<li>Il recupero dei danni da cristallo \u00e8 difficile<\/li>\n\n\n\n<li>Le apparecchiature devono resistere a cicli termici estremi<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D11: Perch\u00e9 la ricottura ad alta temperatura \u00e8 fondamentale?<\/h2>\n\n\n\n<p>La ricottura deve riparare il danno da impianto, ma:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Richiede una stabilit\u00e0 alle altissime temperature<\/li>\n\n\n\n<li>I cicli termici rapidi possono causare la rottura dei wafer<\/li>\n\n\n\n<li>Il riscaldamento uniforme \u00e8 difficile su wafer di grandi dimensioni<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">5. Lavorazione back-end: La resa determina il profitto<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D12: Perch\u00e9 l'assottigliamento della parte posteriore \u00e8 difficile?<\/h2>\n\n\n\n<p>I problemi includono:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Controllo dello spessore a livello di micron<\/li>\n\n\n\n<li>Formazione di microfessure<\/li>\n\n\n\n<li>Deformazione del wafer indotta da stress<\/li>\n\n\n\n<li>Manipolazione di wafer fragili dopo l'assottigliamento<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D13: Perch\u00e9 la deformazione dei wafer SiC \u00e8 maggiore di quella del silicio?<\/h2>\n\n\n\n<p>Perch\u00e9:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Stress intrinseco pi\u00f9 elevato<\/li>\n\n\n\n<li>Rigidit\u00e0 del reticolo pi\u00f9 forte<\/li>\n\n\n\n<li>Asportazione irregolare di materiale durante la rettifica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">D14: Perch\u00e9 la manipolazione dei wafer \u00e8 estremamente rischiosa?<\/h2>\n\n\n\n<p>I wafer SiC sottili sono:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Friabile<\/li>\n\n\n\n<li>Sensibile allo stress<\/li>\n\n\n\n<li>Facile da fratturare durante il trasferimento dell'automazione<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Anche una vibrazione minima pu\u00f2 portare a una perdita di rendimento catastrofica.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">6. Sfida a livello di sistema: oltre 20 apparecchiature devono lavorare insieme<\/h1>\n\n\n\n<p>Una linea di produzione completa di SiC richiede pi\u00f9 di 20 tipi di apparecchiature di precisione che lavorano in sincronia:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Forni per la crescita dei cristalli<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di seghe a filo<\/li>\n\n\n\n<li>Macchine per la rettifica<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di lucidatura<\/li>\n\n\n\n<li>Reattori di epitassia<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di incisione<\/li>\n\n\n\n<li>Strumenti per l'impianto di ioni<\/li>\n\n\n\n<li>Forni di ricottura<\/li>\n\n\n\n<li>Forni di ossidazione<\/li>\n\n\n\n<li>Sistemi di rettifica posteriore<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>La vera sfida non riguarda solo le singole macchine, ma la stabilit\u00e0 dell'integrazione dei processi nell'intera catena.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">7. Perch\u00e9 la produzione di SiC \u00e8 cos\u00ec costosa<\/h1>\n\n\n\n<p>I principali fattori di costo:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">1. Requisiti delle attrezzature estreme<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Alta temperatura (sistemi a &gt;2000\u00b0C)<\/li>\n\n\n\n<li>Ambienti ad alto vuoto<\/li>\n\n\n\n<li>Materiali resistenti alla corrosione<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2. Tassi di rendimento bassi<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sensibilit\u00e0 ai difetti<\/li>\n\n\n\n<li>Rischio di rottura del wafer<\/li>\n\n\n\n<li>Variabilit\u00e0 del processo<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3. Produttivit\u00e0 lenta<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Il materiale duro rallenta tutte le fasi meccaniche<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4. Alta intensit\u00e0 di R&amp;S<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>\u00c8 necessaria un'ottimizzazione continua dei processi<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">Conclusione<\/h1>\n\n\n\n<p>I chip SiC sono difficili da produrre non a causa di un singolo collo di bottiglia, ma perch\u00e9 ogni fase, dalla crescita dei cristalli all'assottigliamento finale dei wafer, spinge le attuali apparecchiature per semiconduttori ai loro limiti fisici e tecnici.<\/p>\n\n\n\n<p>La combinazione di:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>lavorazione a temperature estreme<\/li>\n\n\n\n<li>comportamento del materiale ultraduro<\/li>\n\n\n\n<li>stretta tolleranza sui difetti<\/li>\n\n\n\n<li>complessit\u00e0 del processo in pi\u00f9 fasi<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>rende il SiC uno dei materiali semiconduttori pi\u00f9 difficili da produrre in serie.<\/p>\n\n\n\n<p>Tuttavia, con l'evoluzione della tecnologia delle apparecchiature - in particolare per quanto riguarda il controllo della crescita dei cristalli, la lavorazione assistita da laser e i sistemi di incisione avanzati - il CiC sta gradualmente diventando pi\u00f9 scalabile, consentendo la sua rapida adozione nei veicoli elettrici, nei sistemi di energia rinnovabile e nell'elettronica di potenza ad alta tensione.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Silicon carbide (SiC) has become one of the most important materials in next-generation power electronics. It enables higher voltage, higher temperature, and higher efficiency devices compared with traditional silicon. However, behind these advantages lies a harsh reality: SiC chips are extremely difficult and expensive to manufacture at scale. Unlike conventional silicon processing, SiC manufacturing involves [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[24],"tags":[1319,1317,1321,1323,1318,368,867,1313,1320,1322],"class_list":["post-2449","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-industry-news","tag-diamond-wire-saw-cutting","tag-ilicon-carbide-manufacturing","tag-ion-implantation-sic","tag-power-electronics-semiconductors","tag-semiconductor-fabrication-equipment","tag-sic-crystal-growth","tag-sic-wafer-processing","tag-wafer-dicing-process","tag-wafer-polishing-process","tag-wafer-warpage"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2449"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2450,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449\/revisions\/2450"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2449"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2449"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2449"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}