{"id":2112,"date":"2026-04-03T05:44:04","date_gmt":"2026-04-03T05:44:04","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2112"},"modified":"2026-04-03T05:44:13","modified_gmt":"2026-04-03T05:44:13","slug":"silicon-carbide-sic-epitaxy-equipment-and-industry-overview","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/it\/silicon-carbide-sic-epitaxy-equipment-and-industry-overview\/","title":{"rendered":"Apparecchiature per l'epitassia del carburo di silicio (SiC) e panoramica dell'industria"},"content":{"rendered":"

L'epitassia dei semiconduttori si riferisce al processo di crescita di film sottili a cristallo singolo su substrati di silicio o carburo di silicio (SiC). Lo strato epitassiale condivide la stessa orientazione del cristallo del substrato e pu\u00f2 essere coltivato utilizzando lo stesso materiale (omoepitassia) o materiali diversi (eteroepitassia). Per i dispositivi ad alta frequenza e ad alta potenza, la crescita epitassiale contribuisce a ottimizzare le prestazioni del dispositivo: gli strati epitassiali ad alta resistivit\u00e0 forniscono un'elevata tensione di breakdown, mentre i substrati a bassa resistivit\u00e0 riducono la resistenza in serie, abbassando la tensione di saturazione. Gli strati epitassiali possono essere drogati di tipo P o N, formando giunzioni PN che consentono un flusso di corrente unidirezionale, permettendo la rettificazione. L'epitassia del SiC \u00e8 ampiamente applicata nell'elettronica di potenza, nei dispositivi a radiofrequenza (RF) e nelle applicazioni optoelettroniche.<\/p>\n\n\n\n

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1. Catena industriale del SiC e distribuzione del valore<\/h3>\n\n\n\n

La catena industriale dei dispositivi SiC \u00e8 composta da tre segmenti principali: substrato, epitassia e produzione di dispositivi (progettazione, fabbricazione e imballaggio). Le fasi del substrato e dell'epitassia rappresentano circa 70% della catena del valore, mentre la lavorazione dei dispositivi a valle rappresenta solo 30%. Ci\u00f2 contrasta con i dispositivi in silicio convenzionali, dove la lavorazione post-wafer rappresenta la maggior parte dei costi di produzione. L'elevata concentrazione di valore a monte evidenzia l'importanza strategica delle tecnologie di substrato ed epitassia.<\/p>\n\n\n\n

Segmento del substrato<\/strong> comprende l'accrescimento dei cristalli, l'affettamento dei wafer, la rettifica e la lucidatura. L'accrescimento dei cristalli pu\u00f2 essere ottenuto mediante trasporto fisico di vapore (PVT), deposizione chimica di vapore ad alta temperatura (HTCVD) o epitassia in fase liquida (LPE). L'affettatura dei wafer utilizza seghe a filo, filo diamantato, laser o metodi di separazione a freddo, mentre la lucidatura meccanica chimica (CMP) assicura superfici piatte e prive di difetti, adatte alla crescita epitassiale.<\/p>\n\n\n\n

2. Processo di produzione del substrato SiC<\/h3>\n\n\n\n
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  1. Crescita dei cristalli:<\/strong>\n