![\"4H-N](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd2-300x300.webp\")
<\/p>\nA 6 h\u00fcvelykes 4H-N szil\u00edciumkarbid ostya egy sz\u00e9les s\u00e1vsz\u00e9less\u00e9g\u0171 f\u00e9lvezet\u0151 szubsztr\u00e1t, amelyet a k\u00f6vetkez\u0151 gener\u00e1ci\u00f3s teljes\u00edtm\u00e9nyelektronikai eszk\u00f6z\u00f6kh\u00f6z terveztek. A SiC a hagyom\u00e1nyos szil\u00edcium anyagokkal \u00f6sszehasonl\u00edtva l\u00e9nyegesen nagyobb elektromos t\u00e9rer\u0151ss\u00e9get, kiv\u00e1l\u00f3 h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9get \u00e9s stabil teljes\u00edtm\u00e9nyt k\u00edn\u00e1l magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten \u00e9s nagyfesz\u00fclts\u00e9g\u0171 k\u00f6r\u00fclm\u00e9nyek k\u00f6z\u00f6tt.<\/p>\n
A k\u00f6r\u00fclbel\u00fcl 3,26 eV-os sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag lehet\u0151v\u00e9 teszi, hogy a SiC-alap\u00fa eszk\u00f6z\u00f6k magasabb fesz\u00fclts\u00e9gen \u00e9s kapcsol\u00e1si frekvenci\u00e1n m\u0171k\u00f6djenek, mik\u00f6zben az energiavesztes\u00e9gek alacsonyabbak maradnak. Ennek eredm\u00e9nyek\u00e9ppen a SiC a nagy hat\u00e9konys\u00e1g\u00fa teljes\u00edtm\u00e9ny-\u00e1talak\u00edt\u00f3 rendszerek kulcsfontoss\u00e1g\u00fa anyag\u00e1v\u00e1 v\u00e1lt, bele\u00e9rtve az elektromos j\u00e1rm\u0171veket, a meg\u00fajul\u00f3 energiarendszereket \u00e9s az ipari t\u00e1pegys\u00e9geket.<\/p>\n
A 6 h\u00fcvelykes (150 mm-es oszt\u00e1ly\u00fa) ostyaform\u00e1tum jelenleg a SiC-eszk\u00f6z\u00f6k gy\u00e1rt\u00e1s\u00e1nak f\u0151 ipari szabv\u00e1nya. Optim\u00e1lis egyens\u00falyt biztos\u00edt a gy\u00e1rt\u00e1si hozam, a folyamat \u00e9retts\u00e9ge \u00e9s a k\u00f6lts\u00e9ghat\u00e9konys\u00e1g k\u00f6z\u00f6tt, \u00edgy alkalmas mind a t\u00f6meggy\u00e1rt\u00e1sra, mind a fejlett kutat\u00e1si alkalmaz\u00e1sokra.<\/p>\n
A 4H-SiC a teljes\u00edtm\u00e9nyelektronik\u00e1ban leggyakrabban haszn\u00e1lt politechnikai t\u00edpus, kedvez\u0151 krist\u00e1lyszimmetri\u00e1ja \u00e9s elektromos teljes\u00edtm\u00e9nye miatt.<\/p>\n
A legfontosabb bels\u0151 tulajdons\u00e1gok a k\u00f6vetkez\u0151k:<\/p>\n
Ezek a tulajdons\u00e1gok a SiC-t a nagy teljes\u00edtm\u00e9ny\u0171, nagy hat\u00e1sfok\u00fa f\u00e9lvezet\u0151 eszk\u00f6z\u00f6k kritikus anyag\u00e1v\u00e1 teszik.<\/p>\n
![\"6](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd4-300x300.webp\")
Krist\u00e1lyn\u00f6veked\u00e9s \u00e9s gy\u00e1rt\u00e1si folyamat<\/h2>\nA SiC-osty\u00e1kat jellemz\u0151en a fizikai g\u0151ztranszport (PVT) m\u00f3dszerrel \u00e1ll\u00edtj\u00e1k el\u0151, amely egy kiforrott ipari elj\u00e1r\u00e1s az \u00f6mlesztett SiC-krist\u00e1lyok n\u00f6veszt\u00e9s\u00e9re.<\/p>\n
Ebben az elj\u00e1r\u00e1sban a nagy tisztas\u00e1g\u00fa SiC port 2000 \u00b0C feletti h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten szublim\u00e1lj\u00e1k. A g\u0151zf\u00e1zis\u00fa fajok gondosan szab\u00e1lyozott h\u0151gradiensek alatt sz\u00e1ll\u00edtj\u00e1k, \u00e9s \u00e1tkrist\u00e1lyosodnak egy magkrist\u00e1lyon, egykrist\u00e1lyos csokrot alkotva.<\/p>\n
A krist\u00e1lyn\u00f6veked\u00e9s ut\u00e1n az anyag \u00e1tesik:<\/p>\n
Az eszk\u00f6zgy\u00e1rt\u00e1shoz egy tov\u00e1bbi k\u00e9miai g\u0151zf\u00e1zis\u00fa lev\u00e1laszt\u00e1si (CVD) epitaxi\u00e1lis elj\u00e1r\u00e1st lehet alkalmazni, hogy kiv\u00e1l\u00f3 min\u0151s\u00e9g\u0171 epitaxi\u00e1lis r\u00e9tegek j\u00f6jjenek l\u00e9tre ellen\u0151rz\u00f6tt adal\u00e9kkoncentr\u00e1ci\u00f3val \u00e9s vastags\u00e1ggal.<\/p>\n
| Ingatlan<\/th>\n | Z Grade (gy\u00e1rt\u00e1si fokozat)<\/th>\n | D fokozat (m\u00e9rn\u00f6ki fokozat)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| \u00c1tm\u00e9r\u0151<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Polytype<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n |
| Vastags\u00e1g<\/td>\n | 350 \u00b1 15 \u00b5m<\/td>\n | 350 \u00b1 25 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Vezet\u0151k\u00e9pess\u00e9g t\u00edpusa<\/td>\n | N-t\u00edpus\u00fa<\/td>\n | N-t\u00edpus\u00fa<\/td>\n<\/tr>\n |
| Off-axis sz\u00f6g<\/td>\n | 4,0\u00b0 \u00b1 0,5\u00b0 fel\u00e9<\/td>\n | 4,0\u00b0 \u00b1 0,5\u00b0 fel\u00e9<\/td>\n<\/tr>\n |
| Ellen\u00e1ll\u00e1s<\/td>\n | 0,015 - 0,024 \u03a9-cm<\/td>\n | 0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Mikrocs\u0151 s\u0171r\u0171s\u00e9g<\/td>\n | \u2264 0,2 cm-\u00b2<\/td>\n | \u2264 15 cm-\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Fel\u00fcleti \u00e9rdess\u00e9g (Ra)<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| CMP \u00e9rdess\u00e9g<\/td>\n | \u2264 0,2 nm<\/td>\n | \u2264 0,5 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| LTV<\/td>\n | \u2264 2,5 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 5 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| TTV<\/td>\n | \u2264 6 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 15 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| \u00cdj<\/td>\n | \u2264 25 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Warp<\/td>\n | \u2264 35 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 60 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Edge kiz\u00e1r\u00e1s<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Csomagol\u00e1s<\/td>\n | Kazetta \/ Egyetlen ostya<\/td>\n | Kazetta \/ Egyetlen ostya<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
|
![\"6](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd1-300x300.webp\")
Min\u0151s\u00e9gellen\u0151rz\u00e9s \u00e9s ellen\u0151rz\u00e9s<\/h2>\n