{"id":2512,"date":"2026-06-02T06:04:17","date_gmt":"2026-06-02T06:04:17","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2512"},"modified":"2026-07-08T09:47:29","modified_gmt":"2026-07-08T09:47:29","slug":"sapphire-temporary-wafer-carrier-for-advanced-semiconductor-packaging","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/sapphire-temporary-wafer-carrier-for-advanced-semiconductor-packaging\/","title":{"rendered":"Support de plaquettes temporaire en saphir pour l'assemblage avanc\u00e9 de semi-conducteurs"},"content":{"rendered":"

Le support de plaquette temporaire en saphir est un substrat haute performance con\u00e7u pour les proc\u00e9d\u00e9s avanc\u00e9s d'encapsulation de semi-conducteurs, en particulier pour la manipulation de plaquettes ultra-minces et les applications d'int\u00e9gration h\u00e9t\u00e9rog\u00e8ne.<\/p>\n

Cette technologie est largement utilis\u00e9e dans le conditionnement de circuits int\u00e9gr\u00e9s 2,5D\/3D, les proc\u00e9d\u00e9s TSV et RDL, le conditionnement en fan-out au niveau de la plaquette ou du panneau (FOWLP\/FOPLP), ainsi que dans les processus de collage et de d\u00e9collage temporaires.<\/p>\n

Con\u00e7u pour offrir une rigidit\u00e9 extr\u00eamement \u00e9lev\u00e9e et une excellente stabilit\u00e9 thermique, ce support constitue une plate-forme m\u00e9canique pr\u00e9cise et stable pour l'amincissement des plaquettes et le traitement de leur face arri\u00e8re. Il permet ainsi une manipulation fiable des plaquettes d'une \u00e9paisseur inf\u00e9rieure \u00e0 50 \u03bcm, tout en garantissant l'int\u00e9grit\u00e9 dimensionnelle dans des conditions de cycles thermiques complexes.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

\"\"Les d\u00e9fis du secteur<\/strong><\/span><\/h2>\n

Les techniques d'encapsulation avanc\u00e9es continuent d'\u00e9voluer vers des structures plus fines, des formats plus grands et une densit\u00e9 d'int\u00e9gration plus \u00e9lev\u00e9e. Cependant, l'instabilit\u00e9 des proc\u00e9d\u00e9s reste un obstacle majeur.<\/p>\n

Parmi les principaux d\u00e9fis techniques, on peut citer :<\/p>\n

    \n
  • Incompatibilit\u00e9 des coefficients de dilatation thermique (CTE) entre plusieurs mat\u00e9riaux d'emballage<\/li>\n
  • Accumulation de contraintes lors de cycles thermiques r\u00e9p\u00e9t\u00e9s<\/li>\n
  • R\u00e9tr\u00e9cissement lors du durcissement de l'adh\u00e9sif et d\u00e9formation interfaciale<\/li>\n
  • R\u00e9partition non uniforme de l'\u00e9paisseur dans les empilements de plaquettes ultra-minces<\/li>\n
  • \u00c9cart d'alignement et perte de rendement dus au gauchissement<\/li>\n
  • Fragilit\u00e9 m\u00e9canique des plaquettes ultra-minces lors de leur manipulation et de leur transfert<\/li>\n<\/ul>\n

    Ces probl\u00e8mes ont un impact consid\u00e9rable sur le rendement, la fiabilit\u00e9 et l'\u00e9volutivit\u00e9 des processus dans la fabrication de solutions d'encapsulation de pointe.<\/p>\n

    \n

    \"\"Solution : Plateforme Sapphire<\/strong><\/span><\/h2>\n

    Le saphir constitue une plateforme mat\u00e9rielle id\u00e9ale pour les supports de plaquettes temporaires gr\u00e2ce \u00e0 sa combinaison intrins\u00e8que de r\u00e9sistance m\u00e9canique, de transparence optique et de stabilit\u00e9 thermique.<\/p>\n

    Cela permet :<\/p>\n

      \n
    • Support m\u00e9canique de haute pr\u00e9cision pour plaquettes ultra-minces<\/li>\n
    • R\u00e9duction du gauchissement et de la d\u00e9formation pendant la transformation<\/li>\n
    • Compatibilit\u00e9 avec les technologies de d\u00e9collement par laser<\/li>\n
    • R\u00e9partition uniforme des contraintes sur des substrats de grande surface<\/li>\n
    • Performances stables dans des environnements soumis \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es et \u00e0 des agents chimiques<\/li>\n<\/ul>\n
      \n

      Principaux avantages en termes de performances<\/strong><\/span><\/h2>\n

      Module d'Young \u00e9lev\u00e9 (345\u2013420 GPa)<\/strong>
      Il offre une rigidit\u00e9 exceptionnelle, limitant efficacement la flexion des plaquettes et la d\u00e9formation structurelle lors des processus thermiques et m\u00e9caniques.<\/p>\n

      Haute r\u00e9sistance m\u00e9canique (1 800\u20132 200 HV)<\/strong>
      Garantit une grande r\u00e9sistance aux dommages superficiels et \u00e0 l'usure m\u00e9canique, ce qui permet une r\u00e9utilisation \u00e0 long terme dans les environnements industriels.<\/p>\n

      Haute transmittance optique (>83%, 300\u20131 200 nm)<\/strong>
      Permet une transmission efficace du laser, facilitant ainsi les proc\u00e9d\u00e9s avanc\u00e9s de d\u00e9collement au laser et de collage temporaire.<\/p>\n

      Excellente homog\u00e9n\u00e9it\u00e9 du mat\u00e9riau<\/strong>
      R\u00e9duit les variations de contrainte localis\u00e9es sur les supports de grand format, am\u00e9liorant ainsi la coh\u00e9rence du processus et la stabilit\u00e9 du rendement.<\/p>\n

      Stabilit\u00e9 thermique et chimique sup\u00e9rieure<\/strong>
      Conserve son int\u00e9grit\u00e9 structurelle m\u00eame apr\u00e8s des cycles thermiques r\u00e9p\u00e9t\u00e9s et des nettoyages chimiques.<\/p>\n

      \n

      Sp\u00e9cifications techniques<\/strong><\/span><\/h2>\n

      G\u00e9om\u00e9trie et formats<\/strong><\/span><\/h3>\n
      \n
      \n\n\n\n\n\n\n\n
      Param\u00e8tres<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
      Taille de la plaquette<\/td>\n8 pouces \/ 12 pouces<\/td>\n<\/tr>\n
      Dimensions du panneau<\/td>\nde 100 \u00d7 100 mm \u00e0 510 \u00d7 515 mm<\/td>\n<\/tr>\n
      Gamme d'\u00e9paisseur<\/td>\n0,7 \u2013 2,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
      \n

      Performances dimensionnelles et de surface<\/strong><\/span><\/h3>\n
      \n
      \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
      Propri\u00e9t\u00e9<\/th>\nQualit\u00e9 standard<\/th>\nGrade haute pr\u00e9cision<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
      Variation totale de l'\u00e9paisseur (TTV)<\/td>\n\u2264 3 \u03bcm<\/td>\n\u2264 2 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
      Distorsion<\/td>\n\u2264 100 \u03bcm<\/td>\n\u2264 50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
      Tol\u00e9rance d'\u00e9paisseur<\/td>\n\u00b10,010 mm<\/td>\n\u00b10,005 mm<\/td>\n<\/tr>\n
      Rugosit\u00e9 de la surface (Ra)<\/td>\n< 1,0 nm<\/td>\n< 1,0 nm<\/td>\n<\/tr>\n
      Gratter\/Creuser<\/td>\n60\/40<\/td>\n40\/20<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
      \n

      Propri\u00e9t\u00e9s des mat\u00e9riaux<\/strong><\/span><\/h3>\n
      \n
      \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
      Propri\u00e9t\u00e9<\/th>\nValeur<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
      Module de Young<\/td>\n345 \u2013 420 GPa<\/td>\n<\/tr>\n
      Duret\u00e9 Vickers<\/td>\n1 800 \u2013 2 200 HV<\/td>\n<\/tr>\n
      Transmission optique<\/td>\n>83% (300\u20131 200 nm)<\/td>\n<\/tr>\n
      Densit\u00e9<\/td>\n3,98 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
      Conductivit\u00e9 thermique<\/td>\n30\u201340 W\/m\u00b7K<\/td>\n<\/tr>\n
      CTE (20 \u00b0C)<\/td>\n5,6 \u2013 7,7 \u00d7 10\u207b\u2076\/K<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
      \n

      \"\"Domaines d'application<\/strong><\/span><\/h2>\n
        \n
      • Traitement de la face arri\u00e8re des plaquettes ultra-minces<\/li>\n
      • Int\u00e9gration h\u00e9t\u00e9rog\u00e8ne 2,5D \/ 3D<\/li>\n
      • Fabrication de TSV (Through-Silicon Via)<\/li>\n
      • Formation de la couche de redistribution (RDL)<\/li>\n
      • Syst\u00e8mes de collage et de d\u00e9collage temporaires de plaquettes<\/li>\n
      • Emballage en plaquette avec dispersion des sorties (FOWLP)<\/li>\n
      • Emballage au niveau du panneau en \u00e9ventail (FOPLP)<\/li>\n
      • Techniques avanc\u00e9es d'amincissement et de manipulation des plaquettes (plaquettes de moins de 50 \u03bcm)<\/li>\n<\/ul>\n
        \n

        Valeur technique<\/strong><\/span><\/h2>\n

        Le support de plaquettes temporaire en saphir permet aux fabricants de solutions d'encapsulation avanc\u00e9es d'atteindre :<\/p>\n

          \n
        • R\u00e9duction significative du gauchissement des plaquettes et des d\u00e9formations structurelles<\/li>\n
        • Am\u00e9lioration de la pr\u00e9cision d'alignement dans les processus d'encapsulation \u00e0 pas fin<\/li>\n
        • Manipulation stable de plaquettes ultra-minces de moins de 50 \u03bcm<\/li>\n
        • Une plus grande r\u00e9gularit\u00e9 des rendements dans la production \u00e0 grande \u00e9chelle<\/li>\n
        • Am\u00e9lioration de la r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 des processus et de la stabilit\u00e9 de la production<\/li>\n
        • Compatibilit\u00e9 avec les plateformes d'int\u00e9gration h\u00e9t\u00e9rog\u00e8nes de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration<\/li>\n<\/ul>\n
          \n

          FAQ<\/strong><\/span><\/h2>\n

          Q1 : Quel est le principal avantage du saphir dans les supports de plaquettes temporaires ?<\/strong>
          R : Le saphir offre une rigidit\u00e9, une duret\u00e9 et une stabilit\u00e9 thermique exceptionnelles, ce qui permet un contr\u00f4le optimal du gauchissement et une fiabilit\u00e9 m\u00e9canique sup\u00e9rieure dans les proc\u00e9d\u00e9s d'encapsulation de pointe.<\/p>\n

          Q2 : Le saphir est-il adapt\u00e9 aux proc\u00e9d\u00e9s de d\u00e9collement au laser ?<\/strong>
          R : Oui. Sa forte transmissivit\u00e9 optique sur toute la gamme de longueurs d'onde allant des UV \u00e0 l'infrarouge moyen permet une p\u00e9n\u00e9tration efficace du laser, ce qui le rend parfaitement compatible avec les syst\u00e8mes de d\u00e9collement au laser.<\/p>\n

          Q3 : Les supports en saphir permettent-ils le conditionnement de panneaux de grand format ?<\/strong>
          R : Oui. Les supports en saphir peuvent \u00eatre fabriqu\u00e9s en grandes dimensions tout en conservant une excellente plan\u00e9it\u00e9 et une r\u00e9partition uniforme des contraintes, ce qui les rend adapt\u00e9s aux applications FOPLP et \u00e0 d'autres applications d'encapsulation de pointe \u00e0 grande surface.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

          Le support de plaquette temporaire en saphir est un substrat haute performance con\u00e7u pour les proc\u00e9d\u00e9s avanc\u00e9s d'encapsulation de semi-conducteurs, en particulier pour la manipulation de plaquettes ultra-minces et les applications d'int\u00e9gration 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