{"id":2419,"date":"2026-04-27T02:15:07","date_gmt":"2026-04-27T02:15:07","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2419"},"modified":"2026-06-11T09:57:44","modified_gmt":"2026-06-11T09:57:44","slug":"6-inch-n-type-6h-sic-epitaxy-wafer-for-mems-uv-sensors-graphene-growth","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/6-inch-n-type-6h-sic-epitaxy-wafer-for-mems-uv-sensors-graphene-growth\/","title":{"rendered":"Plaque d'\u00e9pitaxie SiC 6H de type N de 6 pouces pour MEMS, capteurs UV et croissance du graph\u00e8ne"},"content":{"rendered":"

\"PlaqueLa plaquette d'\u00e9pitaxie SiC de 6 pouces de type N 6H est un substrat semi-conducteur de haute performance con\u00e7u pour des applications avanc\u00e9es, notamment les dispositifs MEMS, les capteurs ultraviolets (UV) et la croissance \u00e9pitaxiale du graph\u00e8ne. Fabriqu\u00e9e \u00e0 partir de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de haute qualit\u00e9, cette plaquette combine d'excellentes propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, thermiques et m\u00e9caniques, ce qui en fait un choix id\u00e9al pour les environnements exigeants o\u00f9 les mat\u00e9riaux en silicium conventionnels ne peuvent pas fonctionner de mani\u00e8re fiable.<\/p>\n

Avec un diam\u00e8tre standard de 150 mm et une \u00e9paisseur de 350 \u00b5m contr\u00f4l\u00e9e avec pr\u00e9cision, cette plaquette offre une stabilit\u00e9 m\u00e9canique sup\u00e9rieure et une compatibilit\u00e9 avec les \u00e9quipements modernes de fabrication de semi-conducteurs. Le polytype 6H pr\u00e9sente une large bande interdite d'environ 2,96 eV, ce qui permet un fonctionnement efficace dans des conditions de haute temp\u00e9rature, de rayonnement \u00e9lev\u00e9 et d'agression chimique.<\/p>\n

Chaque plaquette est trait\u00e9e pour obtenir une surface pr\u00eate \u00e0 l'emploi \u00e0 l'aide d'une technologie avanc\u00e9e de polissage chimico-m\u00e9canique (CMP). Cela permet d'obtenir une rugosit\u00e9 de surface tr\u00e8s faible, des dommages minimaux sous la surface et des conditions optimales pour les processus de croissance des couches \u00e9pitaxiales tels que le d\u00e9p\u00f4t chimique en phase vapeur (CVD). Il en r\u00e9sulte une am\u00e9lioration des performances des dispositifs, un rendement plus \u00e9lev\u00e9 et une fiabilit\u00e9 accrue pour les applications critiques.<\/p>\n

\n

\"PlaqueCaract\u00e9ristiques principales<\/strong><\/span><\/h3>\n

Surface pr\u00eate pour l'\u00e9pitaxie pour une croissance de haute qualit\u00e9<\/strong>
La plaquette est livr\u00e9e avec une surface polie par CMP comme un miroir, ce qui permet d'obtenir une rugosit\u00e9 inf\u00e9rieure au nanom\u00e8tre. Cela garantit une excellente compatibilit\u00e9 avec les processus de croissance \u00e9pitaxiale, en particulier pour la formation de graph\u00e8ne et la fabrication de dispositifs sensibles aux UV.<\/p>\n

Optimis\u00e9 pour les MEMS et les environnements difficiles<\/strong>
La plaquette d'\u00e9pitaxie SiC 6H de type N de 6 pouces fait preuve d'une stabilit\u00e9 thermique exceptionnelle, conservant ses performances \u00e0 des temp\u00e9ratures sup\u00e9rieures \u00e0 500\u00b0C. Sa grande r\u00e9sistance m\u00e9canique et son inertie chimique en font un produit adapt\u00e9 aux dispositifs MEMS fonctionnant dans des environnements extr\u00eames tels que l'a\u00e9rospatiale, l'\u00e9nergie et les syst\u00e8mes de surveillance industriels.<\/p>\n

Large bande passante pour les applications de capteurs UV<\/strong>
Avec une bande interdite d'environ 2,96 eV, cette plaquette est naturellement sensible \u00e0 la lumi\u00e8re ultraviolette tout en restant insensible aux longueurs d'onde visibles. Elle est donc id\u00e9ale pour les capteurs UV aveugles au soleil utilis\u00e9s dans la d\u00e9tection des flammes, la surveillance de l'environnement et les syst\u00e8mes de d\u00e9fense.<\/p>\n

Performances \u00e9lectriques stables<\/strong>
Le dopage \u00e0 l'azote garantit une conductivit\u00e9 de type N fiable, permettant des caract\u00e9ristiques \u00e9lectriques coh\u00e9rentes et la formation de contacts ohmiques stables. Ces caract\u00e9ristiques sont essentielles pour les dispositifs de d\u00e9tection de pr\u00e9cision et les applications opto\u00e9lectroniques.<\/p>\n

Orientation contr\u00f4l\u00e9e des cristaux<\/strong>
La plaquette pr\u00e9sente une orientation hors axe de 4\u00b0 vers (\u00b10,5\u00b0), ce qui favorise la croissance \u00e9pitaxiale par \u00e9tapes et r\u00e9duit les d\u00e9fauts de surface. Cela am\u00e9liore l'uniformit\u00e9 et la r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 lors de la fabrication des dispositifs.<\/p>\n

\n

Applications<\/strong><\/span><\/h3>\n

Dispositifs MEMS dans des conditions extr\u00eames<\/strong>
La plaquette d'\u00e9pitaxie SiC 6H de type N de 6 pouces est largement utilis\u00e9e dans les capteurs MEMS tels que les capteurs de pression et les acc\u00e9l\u00e9rom\u00e8tres con\u00e7us pour les environnements \u00e0 haute temp\u00e9rature et \u00e0 forte contrainte. Ces dispositifs sont essentiels pour l'exploration p\u00e9troli\u00e8re et gazi\u00e8re, les syst\u00e8mes automobiles et la surveillance des turbines a\u00e9rospatiales.<\/p>\n

Capteurs UV aveugles au soleil<\/strong>
Gr\u00e2ce \u00e0 sa large bande interdite, cette plaquette est id\u00e9ale pour la fabrication de photod\u00e9tecteurs UV capables de d\u00e9tecter avec pr\u00e9cision les rayonnements ultraviolets sans interf\u00e9rence avec la lumi\u00e8re visible. Cette capacit\u00e9 est essentielle pour les syst\u00e8mes de d\u00e9tection de flammes et les technologies de d\u00e9tection optique avanc\u00e9es.<\/p>\n

Substrat de croissance du graph\u00e8ne<\/strong>
La plaquette sert de substrat de haute qualit\u00e9 pour la croissance \u00e9pitaxiale du graph\u00e8ne. Dans des conditions de vide \u00e0 haute temp\u00e9rature, les atomes de silicium se subliment \u00e0 la surface du SiC, laissant derri\u00e8re eux des couches de graph\u00e8ne bien ordonn\u00e9es. Ce proc\u00e9d\u00e9 est largement utilis\u00e9 dans l'\u00e9lectronique de pointe, les dispositifs \u00e0 grande vitesse et la recherche quantique.<\/p>\n

Syst\u00e8mes opto\u00e9lectroniques avanc\u00e9s<\/strong>
La transparence optique et la stabilit\u00e9 du mat\u00e9riau 6H-SiC le rendent appropri\u00e9 pour les dispositifs opto\u00e9lectroniques sp\u00e9cialis\u00e9s, y compris les photodiodes UV et les composants \u00e0 haute fr\u00e9quence.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

Sp\u00e9cifications techniques<\/strong><\/span><\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propri\u00e9t\u00e9<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Mat\u00e9riau<\/td>\nMonocristal de SiC<\/td>\n<\/tr>\n
Diam\u00e8tre<\/td>\n150 mm (6 pouces)<\/td>\n<\/tr>\n
\u00c9paisseur<\/td>\n350 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n6H<\/td>\n<\/tr>\n
Type de conductivit\u00e9<\/td>\nType N (dop\u00e9 \u00e0 l'azote)<\/td>\n<\/tr>\n
Orientation<\/td>\n4\u00b0 vers \u00b10.5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Finition de la surface<\/td>\nSSP \/ DSP \/ CMP \/ MP<\/td>\n<\/tr>\n
Qualit\u00e9 de surface<\/td>\nPr\u00eat pour l'\u00e9pitaxie (CMP Polished)<\/td>\n<\/tr>\n
Bande interdite<\/td>\n~2,96 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Focus sur l'application<\/td>\nMEMS \/ Capteurs UV \/ Croissance du graph\u00e8ne<\/td>\n<\/tr>\n
Emballage<\/td>\nConteneur \u00e0 cassette ou \u00e0 galette unique<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Options de personnalisation<\/strong><\/span><\/h3>\n

Nous proposons des services de personnalisation flexibles pour r\u00e9pondre aux exigences sp\u00e9cifiques des processus et des applications. Les options disponibles sont les suivantes<\/p>\n

    \n
  • Epaisseur de la plaquette sur mesure<\/li>\n
  • Diff\u00e9rents angles de coupe (dans l'axe ou sur mesure)<\/li>\n
  • Concentration de dopage et contr\u00f4le de la r\u00e9sistivit\u00e9<\/li>\n
  • Finition de la surface et degr\u00e9 de polissage<\/li>\n<\/ul>\n

    Cela garantit la compatibilit\u00e9 avec divers proc\u00e9d\u00e9s \u00e9pitaxiaux et structures de dispositifs, que ce soit pour la recherche, le prototypage ou la production \u00e0 l'\u00e9chelle pilote.<\/p>\n

    \n

    FAQ<\/strong><\/span><\/h3>\n

    Q1 : Que signifie \u201cepi-ready\u201d pour cette plaquette ?<\/strong>
    R : Cela signifie que la surface de la plaquette a \u00e9t\u00e9 polie avec pr\u00e9cision \u00e0 l'aide de la technologie CMP afin d'obtenir une rugosit\u00e9 ultra-faible, ce qui la rend imm\u00e9diatement apte \u00e0 la croissance \u00e9pitaxiale sans traitement suppl\u00e9mentaire.<\/p>\n

    Q2 : Pourquoi utiliser le 6H-SiC plut\u00f4t que d'autres polytypes ?<\/strong>
    R : Le 6H-SiC offre des avantages en mati\u00e8re de d\u00e9tection des UV, de croissance du graph\u00e8ne et d'applications optiques gr\u00e2ce \u00e0 sa bande interdite et \u00e0 sa structure cristalline.<\/p>\n

    Q3 : Cette plaquette est-elle adapt\u00e9e \u00e0 la production industrielle ?<\/strong>
    R : Oui, les plaquettes de 6 pouces sont largement utilis\u00e9es pour la production pilote et la R&D avanc\u00e9e, en fonction du niveau de qualit\u00e9 et des exigences de l'application.<\/p>\n

    Q4 : Puis-je demander des sp\u00e9cifications personnalis\u00e9es ?<\/strong>
    R : Oui, nous prenons en charge la personnalisation compl\u00e8te, y compris l'\u00e9paisseur, l'orientation, le dopage et la finition de la surface.<\/p>\n

    \n

    Pourquoi choisir cette plaquette d'\u00e9pitaxie SiC de type N 6H de 6 pouces ?<\/strong><\/span><\/h3>\n

    Cette plaquette est con\u00e7ue pour offrir des performances constantes, une qualit\u00e9 de mat\u00e9riau \u00e9lev\u00e9e et une excellente compatibilit\u00e9 avec les processus de semi-conducteurs avanc\u00e9s. C'est une solution id\u00e9ale pour les ing\u00e9nieurs et les chercheurs \u00e0 la recherche de substrats fiables pour les MEMS, les capteurs UV et les technologies bas\u00e9es sur le graph\u00e8ne.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    La plaquette d'\u00e9pitaxie SiC de 6 pouces de type N 6H est un substrat semi-conducteur de haute performance con\u00e7u pour des applications avanc\u00e9es, notamment les dispositifs MEMS, les capteurs ultraviolets (UV) et la croissance \u00e9pitaxiale du graph\u00e8ne. Fabriqu\u00e9e \u00e0 partir de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de haute qualit\u00e9, cette plaquette combine d'excellentes propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, thermiques et m\u00e9caniques, ce qui en fait un choix id\u00e9al pour les environnements exigeants o\u00f9 les mat\u00e9riaux en silicium conventionnels ne peuvent pas fonctionner de mani\u00e8re fiable.<\/p>","protected":false},"featured_media":2420,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[734,1259,1263,1262,1268,1257,1266,1258,1265,1267,1260,1264,1261,692],"class_list":{"0":"post-2419","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-6-inch-sic-wafer","8":"product_tag-6h-sic-substrate","9":"product_tag-epi-ready-sic-wafer","10":"product_tag-graphene-growth-sic-wafer","11":"product_tag-high-temperature-semiconductor-wafer","12":"product_tag-n-type-6h-sic-wafer","13":"product_tag-sic-cmp-polished-wafer","14":"product_tag-sic-epitaxy-wafer","15":"product_tag-sic-wafer-350um","16":"product_tag-sic-wafer-customization","17":"product_tag-sic-wafer-for-mems","18":"product_tag-silicon-carbide-wafer-supplier","19":"product_tag-uv-sensor-sic-wafer","20":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","21":"desktop-align-left","22":"tablet-align-left","23":"mobile-align-left","24":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","25":"ast-product-tabs-layout-horizontal","27":"first","28":"instock","29":"shipping-taxable","30":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2419","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2419"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2419\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2425,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2419\/revisions\/2425"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2420"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2419"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2419"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2419"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2419"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}