{"id":2360,"date":"2026-04-22T07:08:49","date_gmt":"2026-04-22T07:08:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2360"},"modified":"2026-04-22T07:13:29","modified_gmt":"2026-04-22T07:13:29","slug":"ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Syst\u00e8me d'implantation d'ions \u00e0 faisceau moyen et \u00e0 haute temp\u00e9rature Ai350HT pour le traitement des plaquettes de silicium et de carbure de silicium de 6\/8 pouces"},"content":{"rendered":"

\"Syst\u00e8meLe syst\u00e8me d'implantation ionique \u00e0 haute temp\u00e9rature Ai350HT (Medium Beam) est con\u00e7u pour les lignes de fabrication de semi-conducteurs \u00e0 partir de tranches de silicium de 6 et 8 pouces, ainsi que pour les applications de traitement SiC. Il s'agit d'un implanteur ionique \u00e0 courant moyen d\u00e9velopp\u00e9 pour les processus de dopage \u00e0 haute \u00e9nergie et \u00e0 haute temp\u00e9rature dans la fabrication avanc\u00e9e de semi-conducteurs.<\/p>\n

Le syst\u00e8me prend en charge une gamme d'\u00e9nergie allant de 5 keV \u00e0 350 keV, ce qui permet des processus d'implantation \u00e0 la fois superficiels et profonds. Il est \u00e9quip\u00e9 d'un mandrin \u00e9lectrostatique \u00e0 haute temp\u00e9rature capable de fonctionner jusqu'\u00e0 500\u00b0C, ce qui permet d'am\u00e9liorer l'activation du dopant et de r\u00e9duire les dommages au r\u00e9seau pendant l'implantation. Associ\u00e9 \u00e0 des performances de faisceau stables et \u00e0 un contr\u00f4le de haute pr\u00e9cision, le syst\u00e8me convient \u00e0 la fabrication de semi-conducteurs \u00e0 base de silicium et de semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite.<\/p>\n

\n

Caract\u00e9ristiques<\/h2>\n

Capacit\u00e9 d'implantation \u00e0 haute temp\u00e9rature<\/h3>\n

\u00c9quip\u00e9 d'un mandrin \u00e9lectrostatique \u00e0 haute temp\u00e9rature supportant jusqu'\u00e0 500\u00b0C, il permet d'am\u00e9liorer l'efficacit\u00e9 de l'implantation et l'activation du dopant pour les processus avanc\u00e9s.<\/p>\n

Large gamme d'\u00e9nergie<\/h3>\n

La gamme d'\u00e9nergie de 5 \u00e0 350 keV permet de r\u00e9pondre \u00e0 des besoins d'implantation flexibles, allant de la formation de jonctions peu profondes \u00e0 des processus d'implantation profonde.<\/p>\n

Contr\u00f4le de faisceau de haute pr\u00e9cision<\/h3>\n

Fournit des performances d'implantation pr\u00e9cises avec une pr\u00e9cision angulaire \u2264 0,2\u00b0, un parall\u00e9lisme de faisceau \u2264 0,2\u00b0, une uniformit\u00e9 \u2264 0,5% et une r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 \u2264 0,5%.<\/p>\n

Performance stable du faisceau<\/h3>\n

La stabilit\u00e9 du faisceau est contr\u00f4l\u00e9e dans la limite de 10% par heure, ce qui garantit une qualit\u00e9 constante du processus pendant les longs cycles de production.<\/p>\n

Source d'ions \u00e0 longue dur\u00e9e de vie<\/h3>\n

\u00c9quip\u00e9 d'une source d'ions m\u00e9tal Al d'une dur\u00e9e de vie de \u2265150 heures, r\u00e9duisant la fr\u00e9quence de maintenance et am\u00e9liorant le temps de fonctionnement.<\/p>\n

Capacit\u00e9 de production \u00e9lev\u00e9e<\/h3>\n

Permet un d\u00e9bit de \u2265 200 plaquettes par heure, adapt\u00e9 aux environnements de production de semi-conducteurs.<\/p>\n

Compatibilit\u00e9 avec les processus avanc\u00e9s<\/h3>\n

Compatible avec les proc\u00e9d\u00e9s SiC et la fabrication conventionnelle de semi-conducteurs \u00e0 base de silicium.<\/p>\n

\"\"\"\"<\/p>\n

\n

Principales sp\u00e9cifications<\/h2>\n

Param\u00e8tres du processus<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Objet<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Taille de la plaquette<\/td>\n6-8 pouces<\/td>\n<\/tr>\n
Gamme d'\u00e9nergie<\/td>\n5-350 keV<\/td>\n<\/tr>\n
\u00c9l\u00e9ments implant\u00e9s<\/td>\nC, Al, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Gamme de doses<\/td>\n1E11-1E17 ions\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Performance des faisceaux<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Objet<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Stabilit\u00e9 de la poutre<\/td>\n\u2264 10% \/ heure (\u22641 interruption de faisceau ou arc par heure)<\/td>\n<\/tr>\n
Parall\u00e9lisme des poutres<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Pr\u00e9cision de l'implantation<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Objet<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gamme d'angles de l'implant<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Pr\u00e9cision de l'angle<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformit\u00e9 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Performance du syst\u00e8me<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Objet<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
D\u00e9bit<\/td>\n\u2265 200 gaufres par heure<\/td>\n<\/tr>\n
Temp\u00e9rature maximale du mandrin<\/td>\n500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Taille de l'\u00e9quipement<\/td>\n6270 \u00d7 3500 \u00d7 3000 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Niveau de vide<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Fuite de rayons X<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Mode de num\u00e9risation<\/td>\nBalayage \u00e9lectrostatique horizontal + balayage m\u00e9canique vertical<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Champs d'application<\/h2>\n

Fabrication de semi-conducteurs SiC<\/h3>\n

Utilis\u00e9 dans la fabrication de dispositifs en carbure de silicium n\u00e9cessitant des proc\u00e9d\u00e9s d'implantation ionique \u00e0 haute temp\u00e9rature.<\/p>\n

Traitement des semi-conducteurs \u00e0 base de silicium<\/h3>\n

Applicable \u00e0 la fabrication de CMOS et de circuits int\u00e9gr\u00e9s sur des plaquettes de 6 et 8 pouces.<\/p>\n

Proc\u00e9d\u00e9s d'implantation \u00e0 haute temp\u00e9rature<\/h3>\n

Convient aux proc\u00e9d\u00e9s n\u00e9cessitant une temp\u00e9rature \u00e9lev\u00e9e pour r\u00e9duire les dommages aux cristaux et am\u00e9liorer l'activation du dopant.<\/p>\n

Fabrication de dispositifs de puissance<\/h3>\n

Utilis\u00e9 dans les dispositifs semi-conducteurs de puissance n\u00e9cessitant une implantation profonde et des processus \u00e0 haute \u00e9nergie.<\/p>\n

Ing\u00e9nierie des mat\u00e9riaux avanc\u00e9s<\/h3>\n

Soutien \u00e0 l'implantation ionique dans les environnements de d\u00e9veloppement de mat\u00e9riaux et de proc\u00e9d\u00e9s semi-conducteurs avanc\u00e9s.<\/p>\n

\n

Questions fr\u00e9quemment pos\u00e9es<\/h2>\n

1. Quelles sont les tailles de plaquettes prises en charge par l'Ai350HT ?<\/h3>\n

Le syst\u00e8me prend en charge les plaquettes de 6 et 8 pouces et convient aux lignes de fabrication de semi-conducteurs \u00e0 base de silicium et de SiC.<\/p>\n

2. Quelle est la temp\u00e9rature maximale support\u00e9e pendant l'implantation ?<\/h3>\n

Le syst\u00e8me permet une implantation \u00e0 haute temp\u00e9rature, jusqu'\u00e0 500\u00b0C, en utilisant un mandrin \u00e9lectrostatique chauff\u00e9 avec serrage m\u00e9canique.<\/p>\n

3. Quels sont les principaux avantages de ce syst\u00e8me pour les proc\u00e9d\u00e9s SiC ?<\/h3>\n

Le syst\u00e8me combine une capacit\u00e9 \u00e0 haute temp\u00e9rature, une performance de faisceau stable et une compatibilit\u00e9 avec les processus SiC, ce qui le rend adapt\u00e9 aux applications de semi-conducteurs \u00e0 large bande passante.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Le syst\u00e8me d'implantation ionique \u00e0 haute temp\u00e9rature Ai350HT (Medium Beam) est con\u00e7u pour les lignes de fabrication de semi-conducteurs \u00e0 partir de tranches de silicium de 6 et 8 pouces, ainsi que pour les applications de traitement SiC. Il s'agit d'un implanteur ionique \u00e0 courant moyen d\u00e9velopp\u00e9 pour les processus de dopage \u00e0 haute \u00e9nergie et \u00e0 haute temp\u00e9rature dans la fabrication avanc\u00e9e de semi-conducteurs.<\/p>","protected":false},"featured_media":2361,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[1177],"product_tag":[1189,1190,1194,1178,1181,1186,1199,1196,1195,1198],"class_list":{"0":"post-2360","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ion-implantation-equipment","7":"product_tag-6-inch-wafer-equipment","8":"product_tag-8-inch-wafer-processing","9":"product_tag-high-temperature-ion-implantation","10":"product_tag-ion-implantation-system","11":"product_tag-lsi-manufacturing-equipment","12":"product_tag-medium-beam-ion-implanter","13":"product_tag-power-device-fabrication-equipment","14":"product_tag-semiconductor-doping-machine","15":"product_tag-sic-implantation-equipment","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor-equipment","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-gallery-with-no-image","22":"ast-product-tabs-layout-horizontal","24":"first","25":"instock","26":"shipping-taxable","27":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2360","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2360"}],"version-history":[{"count":4,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2360\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2367,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2360\/revisions\/2367"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2361"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2360"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2360"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2360"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2360"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}