{"id":2354,"date":"2026-04-22T06:34:59","date_gmt":"2026-04-22T06:34:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2354"},"modified":"2026-04-22T07:16:34","modified_gmt":"2026-04-22T07:16:34","slug":"ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Syst\u00e8me d'implantation d'ions \u00e0 haute temp\u00e9rature Ai300 (faisceau moyen) pour le traitement de plaquettes de 12 pouces"},"content":{"rendered":"

\"Syst\u00e8meLe syst\u00e8me d'implantation ionique \u00e0 haute temp\u00e9rature Ai300 (Medium Beam) est con\u00e7u pour les lignes de fabrication de semi-conducteurs \u00e0 partir de plaquettes de silicium de 12 pouces. Il s'agit d'un implanteur ionique \u00e0 courant moyen d\u00e9velopp\u00e9 pour les processus de dopage avanc\u00e9s dans les applications de semi-conducteurs \u00e0 base de silicium et \u00e0 large bande interdite, y compris les lignes de traitement SiC.<\/p>\n

Le syst\u00e8me prend en charge une gamme d'\u00e9nergie allant de 5 keV \u00e0 300 keV, ce qui permet une implantation flexible allant de la formation de jonctions peu profondes \u00e0 des applications de dopage profond. Il est \u00e9quip\u00e9 d'une platine pour plaquettes chauff\u00e9e \u00e0 haute temp\u00e9rature, avec une temp\u00e9rature maximale de 400\u00b0C, ce qui permet d'am\u00e9liorer l'activation du dopant et de r\u00e9duire les dommages au r\u00e9seau pendant l'implantation.<\/p>\n

Avec une performance stable du faisceau, un contr\u00f4le de haute pr\u00e9cision et une compatibilit\u00e9 avec les processus de circuits int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 grande \u00e9chelle, le syst\u00e8me Ai300 est adapt\u00e9 aux environnements de fabrication de semi-conducteurs avanc\u00e9s.<\/p>\n

\n

Caract\u00e9ristiques<\/h2>\n

Capacit\u00e9 d'implantation \u00e0 haute temp\u00e9rature<\/h3>\n

\u00c9quip\u00e9 d'un plateau chauffant pour les plaquettes de silicium, supportant des temp\u00e9ratures allant jusqu'\u00e0 400\u00b0C, am\u00e9liorant la qualit\u00e9 de l'implantation et l'efficacit\u00e9 de l'activation du dopant.<\/p>\n

Large gamme d'\u00e9nergie<\/h3>\n

La gamme d'\u00e9nergie de 5 \u00e0 300 keV permet des processus d'implantation \u00e0 la fois superficiels et profonds pour les structures de dispositifs avanc\u00e9s.<\/p>\n

Contr\u00f4le de faisceau de haute pr\u00e9cision<\/h3>\n

Permet une implantation de haute pr\u00e9cision avec une pr\u00e9cision angulaire \u2264 0,1\u00b0, un parall\u00e9lisme de faisceau \u2264 0,1\u00b0, une uniformit\u00e9 \u2264 0,5% et une r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 \u2264 0,5%.<\/p>\n

Performance \u00e0 haut d\u00e9bit<\/h3>\n

Le d\u00e9bit peut atteindre \u2265 500 plaquettes par heure, ce qui convient \u00e0 la fabrication de semi-conducteurs en grande quantit\u00e9.<\/p>\n

Capacit\u00e9 de source d'ions avanc\u00e9e<\/h3>\n

Prend en charge de multiples \u00e9l\u00e9ments implant\u00e9s, notamment C, B, P, N, He et Ar, r\u00e9pondant ainsi \u00e0 diverses exigences en mati\u00e8re de processus de semi-conducteurs.<\/p>\n

Compatibilit\u00e9 des processus LSI<\/h3>\n

Enti\u00e8rement compatible avec les processus de fabrication de circuits int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 grande \u00e9chelle et la fabrication de dispositifs avanc\u00e9s.<\/p>\n

\"\" \"\"<\/p>\n

\n

Principales sp\u00e9cifications<\/h2>\n

Param\u00e8tres du processus<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Objet<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Taille de la plaquette<\/td>\n12 pouces<\/td>\n<\/tr>\n
Gamme d'\u00e9nergie<\/td>\n5-300 keV<\/td>\n<\/tr>\n
\u00c9l\u00e9ments implant\u00e9s<\/td>\nC, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Gamme de doses<\/td>\n1E11-1E16 ions\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Performance des faisceaux<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Objet<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Stabilit\u00e9 de la poutre<\/td>\n\u2264 10% \/ heure (\u22641 interruption de faisceau ou arc par heure)<\/td>\n<\/tr>\n
Parall\u00e9lisme des poutres<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Pr\u00e9cision de l'implantation<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Objet<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gamme d'angles de l'implant<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Pr\u00e9cision de l'angle<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformit\u00e9 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Performance du syst\u00e8me<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Objet<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
D\u00e9bit<\/td>\n\u2265 500 gaufres par heure<\/td>\n<\/tr>\n
Temp\u00e9rature maximale de l'implant<\/td>\n400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Taille de l'\u00e9quipement<\/td>\n6400 \u00d7 3640 \u00d7 3100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Niveau de vide<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Fuite de rayons X<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Mode de num\u00e9risation<\/td>\nBalayage \u00e9lectrostatique horizontal + balayage m\u00e9canique vertical<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Champs d'application<\/h2>\n

Traitement des semi-conducteurs SiC<\/h3>\n

Utilis\u00e9 dans la fabrication de dispositifs en carbure de silicium, pour soutenir les processus d'implantation \u00e0 haute temp\u00e9rature n\u00e9cessaires pour les mat\u00e9riaux \u00e0 large bande interdite.<\/p>\n

Fabrication de semi-conducteurs \u00e0 base de silicium<\/h3>\n

Applicable aux lignes de production de plaquettes de silicium de 12 pouces pour la fabrication de circuits int\u00e9gr\u00e9s CMOS et avanc\u00e9s.<\/p>\n

Proc\u00e9d\u00e9s d'implantation \u00e0 haute temp\u00e9rature<\/h3>\n

Il prend en charge les processus d'implantation n\u00e9cessitant une temp\u00e9rature \u00e9lev\u00e9e de la plaquette afin de r\u00e9duire les d\u00e9fauts et d'am\u00e9liorer l'activation du dopant.<\/p>\n

Fabrication de dispositifs de puissance<\/h3>\n

Convient aux dispositifs semi-conducteurs de puissance n\u00e9cessitant un dopage pr\u00e9cis et une implantation \u00e0 haute \u00e9nergie.<\/p>\n

Production de circuits int\u00e9gr\u00e9s avanc\u00e9s<\/h3>\n

Permet l'int\u00e9gration des processus LSI avec des exigences de haute pr\u00e9cision et de haut d\u00e9bit.<\/p>\n

\n

Questions fr\u00e9quemment pos\u00e9es<\/h2>\n

1. Quelle taille de plaquette le syst\u00e8me Ai300 prend-il en charge ?<\/h3>\n

Le syst\u00e8me est con\u00e7u pour les plaquettes de silicium de 12 pouces et convient aux lignes de fabrication de semi-conducteurs de pointe.<\/p>\n

2. Quel est le principal avantage de la capacit\u00e9 d'implantation \u00e0 haute temp\u00e9rature ?<\/h3>\n

Le syst\u00e8me permet une implantation jusqu'\u00e0 400\u00b0C, ce qui permet de r\u00e9duire les dommages au r\u00e9seau, d'am\u00e9liorer l'activation des dopants et d'accro\u00eetre les performances globales du dispositif.<\/p>\n

3. Quel est le niveau de pr\u00e9cision et d'efficacit\u00e9 de la production offert par le syst\u00e8me ?<\/h3>\n

Le syst\u00e8me offre une pr\u00e9cision angulaire de 0,1 degr\u00e9, un parall\u00e9lisme de faisceau de 0,1 degr\u00e9, une uniformit\u00e9 et une r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 de 0,5 %, avec un d\u00e9bit pouvant atteindre 500 plaquettes par heure.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Le syst\u00e8me d'implantation ionique \u00e0 haute temp\u00e9rature Ai300 (Medium Beam) est con\u00e7u pour les lignes de fabrication de semi-conducteurs \u00e0 partir de plaquettes de silicium de 12 pouces. 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